毛昆纯

作品数：5被引量：4H指数：2
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：GAAS砷化镓MMICCAD模型微波单片集成电路更多>>
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发文期刊：《功能材料与器件学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
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砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展被引量：2
《功能材料与器件学报》2000年第3期129-136,共8页陈效建 毛昆纯 林金庭 杨乃彬 
着重讨论南京电子器件研究所（NEDI）在GaAsMMIC研制方面的近期进展。在详细介绍MMIC有源器件（MESFET，PHEMT及HBT）的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上，以NEDI近年开发的各种MMIC为实例，包括发射、接收与控制三类电路...
关键词：砷化镓 微波单片集成电路 CAD模型 设计优化 
GaAs亚微米自对准工艺技术研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》1994年第2期161-167,共7页陈克金 顾炯 盛文伟 毛昆纯 林金庭 
国家自然科学基金
总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍ...
关键词：自对准 离子注入 平面工艺 砷化镓 
GaAs自对准高温栅全离子注入运放差分输入电路研究
《固体电子学研究与进展》1991年第2期89-94,共6页李拂晓 林金庭 毛昆纯 余志平 
国家自然科学基金重大项目
本文主要从事GaAs自对准高温栅全离子注入技术(SAG)的研究,并以此工艺为基础,制作了WSi_xN_y/GaAs SBD,栅长分别是0.8μm和0.5μm的MESFET和GaAs.高速运算放大器差分输入电路.其中制造的耗尽型MESFET,栅长0.8μm,栅宽25μm,夹断电压V_P=...
关键词：MESFET GAAS 离子注入 运算放大器 
GaAs数字单片电路的计算机模拟
《固体电子学研究与进展》1990年第1期22-27,共6页徐世晖 沈祥骥 毛昆纯 余志平 
本文在开发并确立通用电路分析程序SPICE3A7的GaAs MESFET模型及相应模型参数提取方法的基础上,对GaAs MESFET器件及相关BFL.单元电路进行了直流和瞬态的计算机模拟和部分优化,取得了较好结果;并对研制中的分频器电路设计进行了计算机研究.
关键词：数字电路 GAAS 单片 计算机模拟 
GaAs高温栅全平面离子注入技术研究及运算放大器差分输入电路的实现
《固体电子学研究与进展》1990年第1期113-114,共2页李拂晓 林金庭 毛昆纯 余志平 
国家自然科学基金资助项目
为适应军用毫米波和潜在商用的发展,Varian公司研制了新的毫米波宽带放大器.以前的W频段(75～110GHz)雷达、通讯和监视系统存在不少缺点,部分原因是由于它们采用混合集成电路.而MMIC技术能把多种电路集成在一个芯片上.Varian公司研制了...
关键词：GAAS 离子注入 运算放大器 电路 
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