潘岭峰

作品数：7被引量：22H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：激光光束图形化氮化镓脉冲激光更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《激光与红外》《微纳电子技术》《激光与光电子学进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金中国博士后科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
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紫外激光改性氧化钒薄膜
《激光与红外》2017年第12期1473-1478,共6页李海鸥 丁志华 潘岭峰 王晓峰 张紫辰 
国家自然科学基金项目(No.61474031);国家自然科学基金项目(No.51505456);国家自然科学基金项目(No.61376083)资助;广西自然科学基金项目(No.2016GXNSFDA380021);桂林市科技开发项目(No.20160216-1);桂林电子科技大学研究生教育创新计划项目(No.2016YJCX15);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题(No.KFJJ201604);吉林省省级经济结构战略调整引导资金专项基金项目(No.2015Y028)
氧化钒薄膜制备后需要进行退火处理以降低非晶态氧化钒薄膜的方阻大小并改善薄膜结晶特性。传统退火方式时间较长且退火过程会导致器件性能降低。本文主要利用激光精确控制的特点处理氧化钒薄膜,通过平顶光路系统改变激光功率、高斯光...
关键词：激光功率 激光重叠率 氧化钒薄膜 激光退火 光束整形 
固体纳秒激光器应用于非晶硅薄膜结晶的研究被引量：1
《激光与红外》2017年第9期1096-1101,共6页王帅 刘敏 潘岭峰 张紫辰 王晓峰 杨富华 
国家自然科学基金面上项目(No.61376083);中国科学院院装备研制项目资助
多晶硅薄膜比非晶硅薄膜具有更高的电子迁移率,在器件中表现出更优良的性能,脉冲激光结晶非晶硅薄膜制备多晶硅薄膜的方法具有热积存小、对衬底影响小、成本低等优点。使用532 nm固体纳秒激光器进行了非晶硅薄膜激光结晶实验,为了解决...
关键词：脉冲激光 激光结晶 超薄非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 
晶圆激光切割技术的研究进展被引量：13
《半导体技术》2017年第8期561-568,共8页李海鸥 韦春荣 王晓峰 张紫辰 潘岭峰 李琦 陈永和 
国家自然科学基金资助项目(61376083;61474031);广西自然科学基金资助项目(2016GXNSFDA380021);广西十百千人才工程资助项目;中国科学院装备研制项目;中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室资助项目;射频电路与系统教育部重点实验室(杭州电子科技大学)资助项目
综述了半导体领域晶圆切割技术的发展进程,介绍了刀片切割技术、传统激光切割技术、新型激光切割技术及整形激光切割技术的特点、工作原理和优缺点以及国内外使用晶圆切割技术获得的研究成果及其应用前景。与刀片切割技术相比,激光切割...
关键词：刀片切割 激光切割 切割速度 切割质量 整形激光 
532 nm平顶激光光束用于硅晶圆开槽的研究被引量：1
《激光与光电子学进展》2017年第9期254-260,共7页李海鸥 韦春荣 王晓峰 张紫辰 潘岭峰 
国家自然科学基金(61376083);中国科学院装备研制项目;广西自然科学基金(2016GXNSFDA380021)
根据衍射原理,设计并制备了平顶整形元件,将激光能量由高斯分布转变为平顶分布。利用532nm脉冲激光进行了硅晶圆激光划片实验,研究了激光能量、划片速度及聚焦位置对划片效果的影响。结果表明,基于平顶光束的激光划片,可实现宽约为16μ...
关键词：激光技术 脉冲激光 激光划槽 平顶整形 硅片 热影响区 
AlN陶瓷激光金属化的研究进展被引量：4
《激光与光电子学进展》2017年第7期12-20,共9页黄平奖 王晓峰 李琦 张紫辰 潘岭峰 
国家自然科学基金(61376083);中国博士后科学基金特别资助(2015T80080)
介绍了氮化铝(AlN)陶瓷激光金属化的进展和金属化过程中的问题以及主要解决方法。激光金属化利用激光的热效应使AlN表面发生热分解,直接生成金属导电层,该方法具有成本低、效率高、设备维护简单等优点。进一步介绍了激光器、光束质量、...
关键词：激光光学 金属化 光束类型 AIN 
低损伤ICP刻蚀技术提高GaN LED出光效率被引量：1
《微纳电子技术》2011年第5期333-337,共5页潘岭峰 李琪 伊晓燕 樊中朝 王良臣 王军喜 
首先分析了在制作GaN基LED时,采用干法刻蚀技术会对材料的表面和量子阱有源区造成损伤,影响了GaN基LED的内量子效率。针对这个问题,研究实验采用感应耦合等离子反应刻蚀(ICP-RIE)技术,分别选择了氯气/三氯化硼(Cl2/BCl3)气体体系和氯气...
关键词：发光二极管(LED) 氮化镓(GaN) 干法刻蚀 低损伤 内量子效率 
阳极氧化铝工艺用于提高LED的出光效率被引量：2
《半导体技术》2011年第4期283-286,共4页潘岭峰 李琪 刘志强 王晓峰 伊晓燕 王良臣 王军喜 
使用纳米尺度的多孔阳极氧化铝(anodic aluminum oxide,AAO)作为刻蚀掩膜,刻蚀氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO),形成纳米图形化表面,对于发光二极管的出光效率有明显的提升作用。AAO纳米掩膜的制备已广为报道,是纳电子学研究中常用的模...
关键词：发光二极管 氮化镓 阳极氧化铝 外量子效率 纳米图形化表面 
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