郑庆瑜

作品数：7被引量：10H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：半绝缘砷化镓TSC热激电流硅硅铝合金更多>>
发文领域：天文地球电子电信理学农业科学更多>>
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X荧光更换X光管后定量测试方法研究
《现代仪器》2011年第4期86-86,95,共2页董彦辉 李光平 郑庆瑜 
本文介绍采用X射线荧光光谱仪在更换X光管后,经过测试及数据处理,可以采用之前X光管测试的样品做标样,然后对新样品进行测试,而不用新的标样。结果表明,该方法定量准确、干扰因素小,可以大大节约制作标样的时间及成本。
关键词：X射线荧光法 更换X光管 定量测试 
X射线荧光法快速测定蒙脱石(固态)中的铝含量被引量：3
《现代仪器》2011年第2期55-56,42,共3页董彦辉 李光平 郑庆瑜 
本文介绍采用X射线荧光法测定蒙脱石中铝含量的方法及相关条件,并对测量结果精度进行分析。本方法具有样品前期处理简单、干扰因素小,且快速、准确等特点。
关键词：X 射线荧光法 蒙脱石 铝 
X荧光光谱在溅射工艺研究中的应用
《现代仪器》2009年第4期13-14,共2页董彦辉 李光平 郑庆瑜 
本文结合X荧光光谱讨论半导体材料镍欧姆接触电极的溅射工艺,形成的工艺流程短、效率高,方便获得更好的欧姆接触。
关键词：X荧光光谱 镍电极 溅射工艺 
X射线荧光法快速测定硅铝合金中的硅含量被引量：5
《现代仪器》2005年第6期21-22,共2页董彦辉 李光平 郑庆瑜 
本文介绍采用X射线荧光法测定硅铝合金中硅含量的方法及相关条件,并对测量结果精度进行分析。本方法具有样品前期处理简便、干扰因素小,且快速、准确等特点。
关键词：X射线荧光法 硅铝合金 硅 
半绝缘砷化镓的热激电流谱测量被引量：1
《现代仪器》2002年第2期21-24,共4页王良 郑庆瑜 
本文介绍了热激电流谱(TSC)测试方法,测量了SI-GaAs材料的TSC特征谱图。并对SI-GaAs的深能级中心的行为进行了初步的分析。
关键词：半绝缘砷化镓 热激电流谱 EL2缺陷 
半绝缘砷化镓的光淬灭对TSC的影响
《半导体杂志》2000年第2期1-6,共6页王良 郑庆瑜 孙毅之 
实验研究了SI-GaAs材料中的EL2能级光淬灭对TSC谱的影响。EL2能级显著光淬灭后 ,TSC谱发生了明显的变化。一些TSC峰的高度明显降低甚至消失 ,在低温端TSC谱出现一些新的峰。
关键词：热激电流 光淬灭 砷化镓 
剥离霍尔技术分析与实用中的问题被引量：1
《固体电子学研究与进展》1998年第2期194-199,共6页孙毅之 冯玢 郑庆瑜 
根据剥离霍尔技术的物理基础，分析了范德堡测试结构中薄膜材料在逐层测量时F因子发生变化的可能原因，主要归因于被测样品存在导电层厚度和电阻率不均匀性所致。而实验表明，采用阳极氧化技术控制膜厚的不均匀性可小于10％，因此导致F...
关键词：剥离霍尔技术 F因子 薄膜材料 薄膜测量 
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