王书昶

作品数：9被引量：26H指数：3
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供职机构：扬州大学物理科学与技术学院更多>>
发文主题：光电性能透明导电薄膜透明导电脉冲激光沉积发光二极管更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《真空科学与技术学报》《材料导报（纳米与新材料专辑）》《微电子学》《低温物理学报》更多>>
所获基金：江苏省科技支撑计划项目江苏省科技厅基金更多>>
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ITO:Mo透明导电薄膜的制备被引量：4
《微电子学》2012年第1期111-114,共4页张春伟 王书昶 刘振华 刘拥军 何军辉 
江苏省科技厅工业支撑项目资助(BE2009106)
利用通过固相烧结法得到的自制靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同的衬底温度下沉积得到薄膜。通过XRD对它们的晶体结构进行分析,对薄膜断面进行扫描,测量其薄膜厚度。利用四探针法和霍尔效率测试仪,分别对薄膜的电阻率和载流子浓度及...
关键词：ITO∶Mo 透明导电薄膜 PLD TCO 
Ru掺杂La_(0.7)Ca_(0.2)Ba_(0.1)Mn_(1-x)Ru_xO_3的磁性和输运性质被引量：1
《低温物理学报》2012年第1期63-68,共6页刘丽军 张春伟 黄丽 刘宝琴 刘振华 王书昶 何军辉 
利用固相反应法制备了Ru掺杂La0.7Ca0.2Ba0.1Mn1-xRuxO3(x=0～0.06)的多晶样品,探讨了Ru掺杂对体系结构,输运性质以及磁电阻的影响.多晶X射线衍射证实所有样品均保持简单立方钙钛矿结构.通过零场冷却(ZFC)和加场冷却(FC)下的磁化曲线的...
关键词：Ru掺杂 磁电阻 锰氧化物 磁性 
透明导电InSnGaMo氧化物薄膜光电性能研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2012年第2期109-113,共5页刘振华 刘宝琴 张春伟 王书昶 刘拥军 何军辉 
江苏省科技支撑计划项目(No.BE2009106)
利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率极低的Ga,Mo共掺杂ITO基InSnGaMo复合氧化物薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明:衬底温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性...
关键词：InSnGaMo复合氧化物薄膜 透明导电薄膜 脉冲激光沉积 光电性能 
退火温度对透明导电InSnGaMo氧化物薄膜性能的影响
《材料导报（纳米与新材料专辑）》2011年第2期331-334,343,共5页刘振华 刘宝琴 张春伟 王书昶 刘拥军 何军辉 
江苏省科技支撑计划项目(BE2009106)
利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出可见光透过率高、电阻率极低的Ga、Mo共掺杂ITO基透明导电InSnGaMo复合氧化物薄膜,研究了退火温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明,退火温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、...
关键词：InSnGaMo复合氧化物薄膜 透明导电薄膜 脉冲激光沉积 退火温度 光电性能 
衬底温度对PLD法制备的ZnO:Ga薄膜结构和性能的影响被引量：3
《电子元件与材料》2011年第5期23-25,34,共4页王书昶 张春伟 刘振华 刘拥军 何军辉 
江苏省科技厅工业支撑项目资助(No.BE2009106)
利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜的结构、表面形貌和光电性能的影响。研究表明:制备的ZnO:Ga薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜。随着衬底温度的增加,衍射峰明显增强,晶...
关键词：脉冲激光沉积 ZnO:Ga薄膜 衬底温度 光电性能 
钐掺杂氧化锌陶瓷的晶体结构和电磁特性被引量：3
《扬州大学学报（自然科学版）》2011年第2期30-34,共5页刘振华 何军辉 刘宝琴 张春伟 王书昶 刘丽军 曹永珍 
江苏省科技支撑计划资助项目(BE2009106)
以ZnO,Sm2O3粉体为原料,采用常压固相烧结法,通过优化烧结工艺,制备出平整、组织均匀、致密的Zn1-xSmxO(x=0.01,0.02,0.03,0.04,0.05)陶瓷样品.多晶X射线衍射分析结果表明:当Sm2O3的掺杂量x≥0.04时,过量或堆积的Sm与ZnO结合生成了锌钐...
关键词：氧化锌陶瓷 掺杂陶瓷 固相烧结 电磁性质 
GaN基不同电极形状的LED性能比较被引量：3
《半导体技术》2011年第3期177-181,193,共6页董雅娟 张俊兵 林岳明 金豫浙 王书昶 曾祥华 
江苏省科技项目资助项目(BG2007026)
对前期工作中使用Crosslight APSYS软件模拟的6种优化电极的GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进行可靠性分析。结果表明,优化电极的实验结果和软件模拟结果基本吻合,优化电极...
关键词：GAN 电极形状 发光二极管 寿命 光电性能 
用于高亮LED的Si键合研究
《半导体技术》2010年第5期436-439,共4页王书昶 林岳明 李伙全 刘剑霜 张俊兵 金豫浙 曾祥华 
江苏省科技项目(BG2007026);扬州大学自然科学基金项目(2006XJJ02)
在Si和外延层之间使用一层薄金属层作为高效反射镜的所谓"镜面衬底",不但有助于提高芯片的出光效率,同时把键合温度降低到300℃以下。利用Au/In合金的方法,来实现用于高亮LED的Si片与AlGaInP四元外延片的键合。实验表明,在温度为250℃时...
关键词：硅键合 Au/In合金 AlGaInP外延片 发光二极管 镜面衬底 
图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制被引量：12
《光电子．激光》2010年第3期359-362,共4页张俊兵 林岳明 范玉佩 王书昶 曾祥华 
江苏省科技项目资助项目(BG2007026)
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm...
关键词：GaN基发光二极管(LED) 图形蓝宝石衬底(PSS) 光提取效率 ICP 
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