卓博世

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：山东师范大学更多>>
发文主题：纳米线溅射光致发光SUB硅衬底更多>>
发文领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《纳米科技》更多>>
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Au/SiO_2纳米复合膜的形貌及发光特性被引量：1
《微纳电子技术》2011年第3期167-171,共5页杨爱春 李玉国 卓博世 郑学垒 彭瑞芹 
采用磁控溅射和退火法在Si(111)衬底上制备Au/SiO2纳米复合薄膜,并在两种实验模式下进行退火处理。模式A:不同的退火温度,退火20min;模式B:退火温度1 000℃,不同的退火时间。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射方法(XRD)和光致发光(PL)...
关键词：金/二氧化硅 纳米复合膜 溅射 光致发光 纳米结构 
Au／SiO2复合纳米颗粒膜及SiO2纳米线的制备
《纳米科技》2009年第4期35-37,41,共4页李玉国 卓博世 张敬尧 崔传文 张月甫 扬爱春 
基金项目：教育部留学回国人员科研启动基金资助
室温下用磁控溅射法在Si（111）衬底上生成Au／SiO2复合纳米颗粒膜，并分不同温度进行退火处理。1000℃退火时自组装生成空间分布均匀（直径约为70nm）的Au纳米点，从而用自组装生长方法制备了生长一维纳米材料的模板，然后，将Au催化...
关键词：磁控溅射 模板 SiO2纳米线 
Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征被引量：1
《微纳电子技术》2008年第4期240-244,共5页张敬尧 李玉国 崔传文 张月甫 卓博世 
分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积(CVD)、电泳沉积法制备GaN薄膜。利用扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和发光特性的分析比较。射频磁控溅射方法中,把SiC中间层沉淀到Si衬底上,目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬...
关键词：GAN薄膜 SI基 溅射 化学气相沉积 电泳沉积 
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