云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 兰林锋

兰林锋: 作品数：20被引量：60H指数：5; 导出分析报告; 供职机构：华南理工大学更多>>; 发文主题：薄膜晶体管氧化物氧化物半导体迁移率沟道更多>>; 发文领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《高分子材料科学与工程》《发光学报》《物理学报》《材料研究与应用》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金广东省科技计划工业攻关项目更多>>

集成石墨烯的全介质超表面的光吸收调制和图像显示功能研究: 《中国科学：物理学、力学、天文学》2024年第11期169-178,共10页聂国政谢明鑫李宗霖陈智全李德琼许辉兰林锋; 国家自然科学基金(编号:62175062,62173135);湖南省教育厅自然科学基金(编号:23A0454,21B0581,22A0433,22A0435);湖南省自然科学基金(编号:2022JJ30301,2023JJ30195);长沙市自然科学基金(编号:kp2208059)资助项目。; 在单层二维(2D)材料中实现完美吸收对于新一代片上集成光子元器件至关重要.然而,基于表面等离子体共振和法布里-珀罗腔的完全吸收机制存在着调谐能力差,稳定性低以及制备过程复杂等问题.连续体中的束缚态(BICs)被认为是增强光-物质相互...; 关键词：连续体束缚态石墨烯光吸收调制图像显示

可拉伸应变传感器材料与器件研究进展被引量：1: 《材料研究与应用》2023年第5期787-798,共12页沈康馨陈宝中梁瑞斌兰林锋; 国家自然科学基金项目(62022034);国家重点研发计划项目(2022YFB3603805)。; 随着可穿戴设备市场越来越大,越来越多的目光聚焦到了可拉伸传感器上。由于可拉伸应变传感器具有拉伸应变范围大、灵敏度高、响应速度快、稳定性高、耐久性好等优点,在医学健康、运动检测、智能机器人、人机交互、虚拟现实娱乐技术等领...; 关键词：可拉伸应变传感器工作原理传感器材料器件性能

基于印刷双层电极的氧化物薄膜晶体管被引量：1: 《液晶与显示》2021年第9期1239-1246,共8页林奕龙陈思婷吴永波兰林锋彭俊彪; 国家自然科学基金(No.62022034,No.22090024)。; 为满足印刷显示的大面积制备、低信号延迟的需求,有必要开发应用于氧化物薄膜晶体管(TFTs)的低电阻印刷电极。研究发现喷墨打印Ag和氧化物有源层的界面接触特性较差,导致基于Ag电极的氧化物TFT性能很差。通过在Ag电极和有源层中间插入...; 关键词：薄膜晶体管氧化物半导体喷墨打印双层电极银电极

印刷薄膜晶体管及其在显示中的应用被引量：1: 《高分子材料科学与工程》2021年第1期150-156,199,共8页兰林锋陈宝中彭俊彪曹镛; 薄膜晶体管(TFT)作为显示器的寻址和像素灰阶控制器件,是有源显示器实现图像视频显示的关键核心元器件。传统的TFT背板是基于真空法制备以及光刻法图形化的,成本较高;相比之下,印刷(溶液加工)法因为工艺简单、材料利用率高等优点受到广...; 关键词：薄膜晶体管印刷显示有机半导体氧化物半导体碳纳米管

压电波形对喷墨打印电极的调控规律被引量：3: 《发光学报》2017年第5期617-622,共6页宁洪龙朱镇南陶瑞强陈建秋周艺聪蔡炜胡诗犇姚日晖徐苗王磊兰林锋彭俊彪; 国家自然科学基金重大集成项目(U1601651);973国家重点基础研究发展计划(2015CB655004);国家重点研发计划专项(2016YFB0401504,2016YFF0203603);广东省自然科学基金(2016A030313459);广东省科技计划(2014B090915004,2015B090914003,2016A040403037,2016B090907001,2016B090906002);中央高校基本科研业务费专项资金(2015ZP024,2015ZZ063);广东省高校珠江学者资助计划(2016)资助项目~~; 压电喷墨打印是制备印刷电子器件的主要手段之一,其墨滴喷射状态直接受压电波形的影响,因而压电波形对于器件打印具有重要意义。本文主要研究了压电波形对薄膜晶体管(TFT)电极打印效果的影响,实验通过改变压电波形的加压速率和脉冲持续...; 关键词：喷墨打印加压速率脉冲持续时间 TFT电极表面粗糙度

基于柔性显示器件的氧化铝介电层室温制备被引量：7: 《光学学报》2017年第3期367-372,共6页姚日晖郑泽科曾勇胡诗犇刘贤哲陶瑞强陈建秋蔡炜宁洪龙徐苗王磊兰林锋彭俊彪; 国家重点研发计划(2016YFB0401504,2016YFF0203603);国家973计划(2015CB655004);广东省自然科学基金资助项目(2016A030313459);广东省科技计划(2014B090915004,2016B090907001);中央高校基本科研业务费专项资金(2015ZP024,2015ZZ063);发光学及应用国家重点实验室开放基金(SKLA-2016-11); 在室温环境下采用射频磁控溅射方法制备了氧化铝(A_l2O_3)薄膜,通过调节溅射气压实现了对薄膜特性的优化控制。当溅射功率为120 W、Ar气压强为0.13Pa时,制备的A_l2O_3薄膜具有最好的厚度均匀性,薄膜中Al和O的原子比为1∶1.67,密度为3.21...; 关键词：薄膜柔性薄膜晶体管氧化铝介电层射频磁控溅射室温制备

氧化物薄膜晶体管研究进展被引量：14: 《物理学报》2016年第12期1-22,共22页兰林锋张鹏彭俊彪; 国家高技术研究发展计划(批准号:2014AA033002);国家重点基础研究发展计划(批准号:2015CB655000);国家自然科学基金(批准号:61204087,51173049)资助的课题~~; 氧化物半导体材料因其载流子迁移率高、制备温度低、电学均匀性好、对可见光透明和成本低等优势,被认为是最适合驱动有机发光二极管的薄膜晶体管(TFT)的半导体有源材料之一.目前氧化物TFT已成功地应用在平板显示的驱动背板上.本文从氧化...; 关键词：薄膜晶体管输运机理制备稳定性

铜-钼源漏电极对非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的改善被引量：3: 《物理学报》2015年第12期65-71,共7页宁洪龙胡诗犇朱峰姚日晖徐苗邹建华陶洪徐瑞霞徐华王磊兰林锋彭俊彪; 广东省引进创新科研团队计划(批准号:201101C0105067115);中国科学院红外物理国家重点实验室开放课题(批准号:M201406);国家自然科学基金(批准号:61036007,51173049,61306099,61401156,61204089);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2014ZZ0028);广州市科技计划(批准号:2013Y2-00114)资助的课题~~; 在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层,制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT).Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散,而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度.制备的Cu...; 关键词：高导互联非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管铜-钼源漏电极

低温溶液加工法制备氧化锌薄膜晶体管: 《华南理工大学学报（自然科学版）》2015年第3期98-102,共5页兰林锋宋威史文彭俊彪; 国家"863"计划项目(2014AA032702);国家自然科学基金资助项目(61204087;51173049;61306099);广州市珠江科技新星项目(2014J2200053);华南理工大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2014ZM0003;2014ZZ0028)~~; 为适应柔性有源有矩阵有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,将低温溶液处理的氧化锌作为半导体层、电化学氧化的氧化铝钕作为栅绝缘层,制备了氧化锌薄膜晶体管(TFT).制备氧化锌半导体层所用的前驱体溶液为无碳的Zn(OH)x-(NH...; 关键词：薄膜晶体管氧化锌低温溶液加工

源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响被引量：4: 《物理学报》2014年第3期444-449,共6页徐华兰林锋李民罗东向肖鹏林振国宁洪龙彭俊彪; 国家高技术研究发展计划(863计划)(批准号:2011AA03A110);国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2009CB623600和2009CB930604);国家自然科学基金重点项目(批准号:61204087;51173049;U0634003;61036007和60937001);广东省平板显示项目(批准号:20081202)资助的课题~~; 本文采用钼-铝-钼(Mo/Al/Mo)叠层结构作为源漏电极,制备氧化铟锌(IZO)薄膜晶体管(TFT).研究了Mo/Al/Mo源漏电极中与IZO接触的Mo层溅射功率对TFT器件性能的影响.随着Mo层溅射功率的增加,器件开启电压(Von)负向移动,器件均匀性下降.通过X...; 关键词：氧化铟锌源漏电极溅射功率薄膜晶体管

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