孟猛

作品数：11被引量：23H指数：3
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发文主题：芯片宇航单粒子效应测试装置磨抛更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《半导体技术》《核电子学与探测技术》《机电元件》《电子元件与材料》更多>>
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基于PFMEA的集成电路芯片银导电胶粘接工艺可靠性研究被引量：4
《电子制作》2024年第1期113-116,共4页程晓冉 丁鸷敏 吴照玺 孟猛 
微电子封装中,芯片银导电胶粘接工艺的质量会直接影响集成电路的可靠性。针对银导电胶粘接工艺的可靠性问题,本文提出了一种基于PFMEA的芯片粘接工艺风险识别方法,通过开展潜在失效模式分析,找到了芯片粘接工艺中的高风险环节,并制定了...
关键词：集成电路 银导电胶粘接 PFMEA 可靠性 
柔性端电极多层瓷介电容器失效模式分析与改进措施
《电子元件与材料》2023年第6期750-756,共7页薄鹏 曹瑞 徐琴 周丹丹 孟猛 
柔性端电极多层陶瓷电容器(Flexible Termination Multilayer Ceramic Capacitors,FTMLCCs)在典型三层端电极基础上,引入由树脂和导电填充物构成的柔性电极层,在不增加电容尺寸或削减容量的前提下,降低瓷体开裂风险。但FTMLCC引入柔性...
关键词：多层瓷介电容器 柔性端电极 抗弯曲应力 失效分析 装联可靠性 
扇出型晶圆级封装可靠性问题与思考被引量：1
《电子元件与材料》2023年第5期505-513,520,共10页范懿锋 董礼 张延伟 王智彬 孟猛 
半导体先进制程工艺逐步趋于极限,继续沿摩尔定律发展的脚步放缓,而扇出型晶圆级封装(Fan-out Wafer Level Packaging,FOWLP)通过晶圆重构的方式突破了传统扇入封装的I/O引出端的数量限制,并利用多层再布线(Redistribution Layer,RDL)...
关键词：扇出型晶圆级封装 先进封装 综述 可靠性 失效物理 
插装元器件引脚焊点开裂失效分析与控制被引量：1
《金属加工（热加工）》2019年第10期92-96,共5页曹瑞 吴亚宁 王智彬 孟猛 
宇航用某型号元器件在插装焊接并经历环境试验后,其引脚的焊点发生了开裂失效,导致元器件部分功能丧失。采用形貌观察、金相检验、成分分析等方法,对引脚焊点的失效原因进行分析。结果表明:引脚焊点前端的焊料润湿不良时,焊接界面结合...
关键词：元器件 焊点失效 焊接性不良 失效分析 
电磁继电器绝缘下降的失效分析与控制被引量：2
《机电元件》2015年第3期42-44,共3页王智彬 孟猛 
文章通过对某电磁继电器不同引脚以及引脚与管壳之间绝缘下降进行失效分析,采用显微镜外部目检、扫描电镜检查和能谱分析等分析方法与手段,揭示了银离子迁移是导致该继电器绝缘下降的失效原因。阐述了银离子迁移的发生机理,从生产和使...
关键词：电磁继电器 绝缘下降 银离子迁移 失效分析 
隔离型达林顿管静态漏电失效分析
《半导体技术》2014年第8期629-632,共4页王旭 段超 龚欣 孟猛 
分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害。对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及制造工艺特点,对隔离型达林顿管静态漏电的失效现象进行了分析,通过故障树分析,排除了外部沾污、静电损伤...
关键词：高可靠设备 隔离型达林顿 静态漏电 失效分析 磨角染色法 
光敏晶体管漏电流变大的失效分析与控制被引量：2
《电子产品可靠性与环境试验》2013年第4期11-13,共3页薄鹏 张伟 孟猛 
论述了某光敏晶体管CE极之间漏电流变大的失效机理。通过对器件电性能测试、结构解剖、扫描电镜检查和能谱分析,证实了银离子迁移是导致该光敏晶体管CE极漏电变大的主要失效机理。从理论上阐述了银离子迁移的环境条件,从生产和使用两个...
关键词：光敏晶体管 漏电流 银离子迁移 失效分析 
光电耦合器高能质子位移辐射损伤效应评估被引量：1
《航天器环境工程》2012年第5期536-539,共4页李鹏伟 于庆奎 孟猛 唐民 文平 胡泓波 李家敏 
文章针对光电耦合器的空间辐射损伤效应,在国内首次开展了高能质子辐照对光电耦合器的位移损伤效应试验研究。结果表明:电流传输比是光电耦合器件位移损伤的敏感参数;相同质子等效注量辐照下,70MeV能量的质子比191.17MeV能量的质子对光...
关键词：光电耦合器 高能质子 位移损伤 辐射效应评估 
大容量Flash存储器空间辐射效应试验研究被引量：4
《航天器工程》2011年第6期130-134,共5页张洪伟 于庆奎 张大宇 孟猛 唐民 
分析了商用Flash存储器应用于航天器时应考虑的空间辐射效应和机理,并利用钴-60γ射线和重离子加速器对韩国三星公司生产的大容量Flash存储器K9XXG08UXA系列进行了抗电离总剂量试验和抗单粒子试验,以评估其空间应用可行性。试验结果显示...
关键词：航天器 FLASH存储器 辐射效应 电离总剂量 单粒子效应 
CCD外围商用器件单粒子效应试验研究被引量：3
《核电子学与探测技术》2011年第4期428-431,435,共5页孟猛 唐民 于庆奎 李鹏伟 朱恒静 
采用中科院近代物理研究所回旋加速器产生的重离子(Kr),对商用的CCD外围器件进行单粒子效应试验研究,包括CCD信号处理器AD9945、高速视频D/A转换器ADV7123以及CCD时钟驱动器CXD3400等。试验得到AD9945、ADV7123在离子线性能量转移(Linea...
关键词：CCD信号处理器 D/A转换器 商用器件 单粒子效应 单粒子锁定 
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