张顾万

作品数：3被引量：17H指数：2
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HgCdTe红外焦平面用1×288 CCD读出电路
《半导体光电》2004年第2期91-93,共3页龙飞 张顾万 顾正伟 李仁豪 
设计和研制了一种采用多晶硅交叠栅结构的1×288红外信号处理器读出电路。制作中采用了多重吸杂技术和大剂量离子注入技术,提高了电路的信号处理能力,降低了信号噪声。该电路具有分割、抗晕、背景撇出功能。其功耗小于等于50mW,动态范...
关键词：电荷耦合器件 转移效率 红外读出电路 
LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析被引量：4
《半导体光电》2002年第6期421-423,共3页张顾万 龙飞 阙蔺兰 
叙述了采用LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的机理 ,分析了在淀积多晶硅薄膜过程中引起发雾的因素 ,指出了保持LPCVD系统的洁净能有效消除在淀积多晶硅薄膜过程中出现的发雾现象。
关键词：LPCVD 淀积 多晶硅 发雾 
PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究被引量：13
《半导体光电》2001年第3期201-203,217,共4页张顾万 龙飞 
对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究 ,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件 ,制作出了高质量的氮化硅介质膜。对样品进行了湿法腐蚀和超声实验 ,在显微镜下观察无膜脱落现象发生。阐述了几种工艺参数对介质膜生长的影响。
关键词：PECVD 氮化硅 薄膜 介质膜 
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