李秀娟

作品数：12被引量：74H指数：6
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供职机构：华东政法学院知识产权学院更多>>
发文主题：化学机械抛光铜材料去除机理ULSI抛光液更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺机械工程轻工技术与工程更多>>
发文期刊：《金刚石与磨料磨具工程》《Journal of Semiconductors》《制造技术与机床》《润滑与密封》更多>>
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铜抛光液的电化学行为研究被引量：4
《哈尔滨工业大学学报》2008年第7期1144-1147,共4页李秀娟 郭东明 康仁科 金洙吉 
国家自然科学基金重大项目资助(50390061)
为分析用于超大规模集成电路(ULSI)中铜化学机械抛光(CMP)所使用抛光液的添加剂对铜硅片的氧化、溶解和腐蚀抑制行为,以双氧水为氧化剂,柠檬酸为络合剂,苯丙三唑(BTA)为腐蚀抑制剂,在pH5的条件下进行抛光液的电化学行为研究.测试了铜在...
关键词：化学机械抛光 电化学 交流阻抗谱 电极过程 
RBR控制在超大规模集成电路制造的化学机械抛光工艺中的应用
《金刚石与磨料磨具工程》2006年第2期61-64,共4页李秀娟 金洙吉 康仁科 郭东明 苏建修 
国家自然科学基金重大项目资助(50390061);国家杰出青年科学基金资助(50325518)
本论文介绍了RBR过程控制技术在超大规模集成电路(ULSI)制造中的化学机械抛光(CMP)这一关键工艺中的应用。CMP工艺中的RBR控制是利用CMP工艺后检测获得的抛光质量数据来调整下一片硅片抛光的输入工艺参数的方法实现的。由于影响CMP过程...
关键词：化学机械抛光 RBR控制 过程控制 
理想材料零件成形机控制系统研究
《制造技术与机床》2005年第11期33-35,66,共4页江连会 贾振元 王东兴 郭丽莎 张士军 李秀娟 
国家自然科学基金资助项目(5997501;50275018);教育部博士点基金(1999014102)
论述了使用数字喷射成形加工技术实现理想材料零件[1]的数字化并行设计与制造的原理。开发了以PMAC(Programmable Multi-Axis Controller)运动控制器为控制系统核心,工业控制机为系统支撑单元的并行双CPU控制系统,辅以相应的辅助元件,...
关键词：PMAC 理想材料零件 复合控制系统 补偿 
磨料对铜化学机械抛光过程的影响研究被引量：9
《摩擦学学报》2005年第5期431-435,共5页李秀娟 金洙吉 康仁科 郭东明 
国家自然科学基金重大项目资助(50390061)
利用CP-4型抛光试验机对直径为50.8 mm、表面沉积厚530 nm的铜硅片(表面粗糙度Ra为1.42 nm)进行化学机械抛光(CM P)试验,评价了CM P过程中不同磨料作用下的摩擦系数和材料去除率;利用ZYGO表面形貌分析系统测试含不同磨料抛光液抛光后的...
关键词：铜化学机械抛光(CMP) 摩擦 磨料 材料去除机理 
硅片化学机械抛光时运动形式对片内非均匀性的影响分析被引量：14
《中国机械工程》2005年第9期815-818,共4页苏建修 郭东明 康仁科 金洙吉 李秀娟 
国家自然科学基金资助重大项目(50390061)
分析了目前几种常见的化学机械抛光机中抛光头与抛光垫的运动关系,针对不同的硅片运动形式,计算了磨粒在硅片表面的运动轨迹;通过对磨粒在硅片表面上的运动轨迹分布的统计分析,得出了硅片在不同运动形式下的片内材料去除非均匀性。从硅...
关键词：化学机械抛光 运动形式 硅片内非均匀性 磨粒轨迹 
铜布线化学机械抛光技术分析被引量：5
《中国机械工程》2005年第10期896-901,共6页李秀娟 金洙吉 苏建修 康仁科 郭东明 
国家自然科学基金资助重大项目(50390061)
对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论。着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素;根据现有的研究成果主要介绍了铜化学机械抛光的化学材料去除机理;在分析抛光液组...
关键词：技术分析 化学机械抛光(CMP) 铜布线 甚大规模集成电路 材料去除机理 腐蚀抑制剂 碱性抛光液 研究成果 组成成分 H2O2 研究情况 研究重点 平坦化 重分析 氧化剂 
ULSI制造中铜化学机械抛光的腐蚀磨损机理分析被引量：3
《润滑与密封》2005年第4期77-80,共4页李秀娟 金洙吉 康仁科 郭东明 苏建修 
国家自然科学基金重大项目资助(50390061).
以超大规模集成电路(ULSI)芯片多层互连结构制造中的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CuCMP)为研究对象,针对CuCMP中存在的抛光液的化学腐蚀作用和磨料的机械磨损现象,采用腐蚀磨损理论分析了CuCMP材料去除机理。提出铜CMP的材料去...
关键词：ULSI 铜化学机械抛光 材料去除机理 腐蚀磨损 
集成电路制造中的固结磨料化学机械抛光技术研究被引量：10
《润滑与密封》2005年第3期1-4,8,共5页苏建修 康仁科 郭东明 金洙吉 李秀娟 
国家自然科学基金重大资助项目(50390061).
经过对传统化学机械抛光技术的研究与分析,指出了目前ULSI制造中使用的传统化学机械抛光技术的缺点,通过对固结磨料化学机械抛光中的抛光垫结构、抛光机原理及抛光液的分析,得出了固结磨料化学机械抛光技术的优点,同时还对硅片固结磨料...
关键词：抛光技术 集成电路制造 磨料 固结 化学机械抛光 ULSI 抛光垫 抛光液 抛光机 传统 
ULSI制造中硅片化学机械抛光的运动机理被引量：14
《Journal of Semiconductors》2005年第3期606-612,共7页苏建修 郭东明 康仁科 金洙吉 李秀娟 
国家自然科学基金重大项目资助(批准号:50390061)~~
从运动学角度出发,根据硅片与抛光垫的运动关系,通过分析磨粒在硅片表面的运动轨迹,揭示了抛光垫和硅片的转速和转向以及抛光头摆动参数对硅片表面材料去除率和非均匀性的影响.分析结果表明:硅片与抛光垫转速相等转向相同时可获得最佳...
关键词：化学机械抛光 材料去除机理 材料去除率 非均匀性 磨粒 
铜化学机械抛光中电化学理论的应用研究被引量：7
《润滑与密封》2005年第1期106-108,121,共4页李秀娟 金洙吉 苏建修 康仁科 郭东明 
国家自然科学基金重大项目资助(50390061)
概述了电位 pH图、极化曲线、交流阻抗谱和开路电压测试等电化学方法在铜化学机械抛光 (Cu- CMP) 中的应用, 并分析了采用电化学方法进行CMP分析存在的问题, 指出采用以上电化学方法进行Cu -CMP分析有利于对Cu- CMP的过程的理解, 并可...
关键词：化学机械抛光 电化学 抛光液 铜 CMP分析 
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