雷海峰

作品数：2被引量：6H指数：2
导出分析报告
供职机构：北京交通大学更多>>
发文主题：少子寿命晶闸管碳化硅GTO晶闸管4H-SIC更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《电力电子技术》更多>>
所获基金：国家电网公司科技项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
大功率4H-SiC GTO晶闸管研究被引量：3
《电力电子技术》2011年第12期129-132,共4页雷海峰 金锐 温家良 刘明光 
国家电网公司科技项目(ZL71-09-001)~~
此处主要从SiC-GTO晶闸管设计的3个因素进行了研究,包括:击穿电压设计、两个等效晶体管共基极电流放大系数设计以及少子寿命取值设计。通过ATLAS器件仿真得到器件的击穿特性、内部电场分布及正向I-V曲线。最后通过Silvaco-TCAD提供的Mix...
关键词：晶闸管 击穿电压 少子寿命 开关特性 
SiC肖特基二极管在升压斩波电路中的应用分析被引量：3
《电力电子技术》2011年第6期103-105,共3页雷海峰 温家良 金锐 刘明光 
国家电网公司科技项目(ZL71-09-001)~~
对碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)在升压斩波电路中的应用进行了深入研究。实验中分别对普通Si二极管和SiC SBD进行了比较,结果表明,SiC二极管具有良好的动态特性,其反向恢复电流约为普通Si二极管的1/4,同时对IGBT开通时的电流过冲有很...
关键词：肖特基二极管 碳化硅 反向恢复 少子寿命 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部