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检索条件:"关键词=异质界面 "
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Si/SiO_2异质界面的超精细硅量子线
《科学通报》1995年第18期1727-1728,共2页施毅 刘建林 汪峰 张荣 韩平 朱顺明 郑有斗 茅保华 
作为半导体科学技术研究前沿领域的硅低维量子结构,它无论在低维物理基础研究,还是在技术应用上,都具有十分重要的意义.硅量子线作为纳米电子学的基础,将发展实现特大规模集成电路和开拓新一代硅量子效应的器件;同时,这种人工设计的一...
关键词: 二氧化硅 异质界面 硅量子线 
GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质界面极化子的温度效应
《内蒙古大学学报(自然科学版)》1996年第6期856-857,共2页李春圃 班士良 
国家教委优秀年轻教师基金
GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质界面极化子的温度效应李春圃,班士良(内蒙古大学物理学系,010021,呼和浩特)TemperatureEffectofPolaronsonaGaAs/Al_xGa_(1-x)As...
关键词:温度效应 半导体 极化子 异质界面 砷化镓 
结构优化的异质Ca(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_(3)/CaTiO_(3)薄膜介电性能
《硅酸盐学报》2021年第1期174-179,共6页李润润 李月明 闫朝一 包亦望 孙华君 胡灏溔 李宁益 
国家自然科学基金(51472227);江西省教育厅科技项目(GJJ170800);景德镇科技局项目(2017GYZD019-014);江西省科技厅计划项目(20192BBHL80007);绿色建筑材料国家重点实验室开放基金;景德镇陶瓷大学博士科研启动基金。
采用Pechini方法,在Pt/Ti/SiO_(2)/Si(100)基板上沉积了均质Ca(Mg1/3Ta2/3)O3 (CMT),CaTiO_(3)(CT)和堆叠次序不同以及摩尔比不同的异质Ca(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_(3)/CaTiO_(3)(CMT/CT)薄膜。结果表明:以CT为底层的异质CMT/CT薄膜可以形...
关键词:薄膜 异质界面 微观结构 介电性能 
红外探测器中的异质界面和缺陷的研究
《电子显微学报》2000年第4期507-508,共2页刘安生 邵贝羚 安生 刘峥 王敬 
国家自然科学基金资助项目 !批准号为 6 95 76 0 0 2
关键词:红外探测器 异质界面 缺陷 
二维半导体的相干声学声子研究进展被引量:1
《发光学报》2024年第8期1232-1246,共15页许文雄 张何 崔乾楠 徐春祥 
国家自然科学基金(62335003,61704024,61821002,61904082);江苏省自然科学基金(BK20222007)。
飞秒脉冲激光激发固体薄膜材料产生的相干声学声子可以快速无损获取发光材料与器件结构特性,对于光电器件功能界面的无损检测及成像具有重要意义。相较于热弹性机制的传统金属薄膜光声换能器,二维半导体材料具备宽谱吸收、表面原子级平...
关键词:二维半导体 异质界面 相干声学声子 
Si/GaP(111)界面生长及其形成过程
《福州大学学报(自然科学版)》1994年第1期26-31,共6页黄春晖 王迅 
复旦大学应用表面物理国家重点实验室的资助
研究用电子束蒸发方法把Si淀积在GaP表面的界面生长过程。用XPS在线测量Si/GaP(111)界面形成过程中各原子芯能级的移动趋势来研究界面原子间的成键情况;借助Ga3p峰强随Si覆盖厚度的变化确定Si的生长模式。...
关键词:异质界面  磷化镓 界面生长 
磁场中异质界面上负施主离子中心(英文)
《内蒙古大学学报(自然科学版)》2000年第2期168-172,共5页张晓燕 王旭 候富英 
内蒙古青年科学基金
采用变分的方法讨论了异质界面上中性施主D0 和负施主离子D-的能量随垂直于界面的磁场的变化情况 ,分析所选择的两种波函数的适用范围 .计算得到此结构中D-中心角动量L=-1自旋三重态的本征能量和束缚能 ,找到了此三重态由非束缚态转变...
关键词:自旋三重态 磁场 异质界面 负施主离子中心 
磁场中异质界面上正施主中心
《山西大学学报(自然科学版)》2004年第3期261-264,共4页张晓燕 王旭 
用变分法讨论了异质界面上中性施主D0的能量随垂直于界面的磁场的变化情况,计算得到此结构中D0中心的基态能量和束缚能.在此基础上,考虑电子与界面声子的相互作用,发现对于不同材料构成的异质界面,界面声子对施主中心的能量都有不同程...
关键词:异质界面 磁场 束缚能 变分法 界面声子 电子 波函数 
金刚石/硅(001)异质界面的分子动力学模拟研究
《科学新闻》2001年第6期17-17,共1页戴永兵 沈荷生 张志明 何贤昶 胡晓君 孙方宏 莘海维 
采用分子动力学方法模拟研究了未重构的金刚石/硅(001)面相接触时界面层原子的弛豫过程及所形成的异质界面的结构特征。硅碳二元系统中原子间的相互作用采用Tersoff多体经验势描述。弛豫前沿[110]与[110]方向界面碳硅原子数之比均为3:...
关键词:分子动力学 金刚石/硅(001) 异质界面 硅碳键 原子数 
a-Si TFT亚阈特征参数与有源层的厚度效应被引量:4
《固体电子学研究与进展》2004年第1期20-25,共6页宋跃 邹雪城 
99J2 .4.1.JW0 5 14项目
异质界面处的有效界面态出发 ,研究了 a-Si Nx:H/a-Si:H异质结 a-Si:H TFT的亚阈特征参数的界面效应和有源层的厚度效应 ,发现 a-Si:H的特性不仅与材料、工艺有关 ,而且其几何结构参数对 a-Si:H TFT的特性也有明显的影响。实验结果表...
关键词:界面效应 厚度效应 亚阈特征参数 异质界面 TFT 
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