云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(2007CB613404)

国家重点基础研究发展计划(2007CB613404): 作品数：25被引量：75H指数：5; 导出分析报告; 相关作者：李成赖虹凯陈松岩成步文王启明更多>>; 相关机构：中国科学院厦门大学深圳信息职业技术学院集美大学更多>>; 相关期刊：《微细加工技术》《中国集成电路》《Chinese Physics B》《光子学报》更多>>; 相关主题：锗硅基光电探测器SI退火更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长被引量：4: 《物理学报》2012年第7期495-499,共5页陈城钊郑元宇黄诗浩李成赖虹凯陈松岩; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404);国家自然科学基金(批准号:61036003,60837001);中央高校基本业务费(批准号:2010121056)资助的课题~~; 利用超高真空化学气相淀积系统,基于低温缓冲层和插入应变超晶格的方法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为880nm的纯Ge层.采用X射线双晶衍射、高分辨透射电镜、原子力显微镜和光致发光谱分别表征了其结构及光学性质.测试结果显示外延Ge的X...; 关键词：Ge 外延生长 UHV/CVD 光致发光谱

N型掺杂应变Ge发光性质被引量：3: 《物理学报》2012年第3期356-363,共8页黄诗浩李成陈城钊郑元宇赖虹凯陈松岩; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404);国家自然科学基金(批准号:61036003,60837001);中央高校基础业务费项目(批准号:2010121056);信息功能材料国家重点实验室开放课题资助的课题~~; 应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计算了应变情况下半导体Ge材料的能带结构以及载流子在导带中的分布;通过分析载流子直接带和间接带问的辐...; 关键词：应变 N型掺杂Ge 量子效率光增益

Formation of rippled surface morphology during Si/Si(100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapour deposition: 《Chinese Physics B》2011年第12期328-334,共7页胡炜玄成步文薛春来苏少坚王启明; supported by the Major State Basic Research Program of China (Grant No. 2007CB613404);the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2006AA03Z415);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos. 60676005,61036003,and 60906035);the Knowledge Innovation Program of the Chinese Academy of Sciences(Grant No. ISCAS2009T01); The Si epitaxial films are grown on Si （100） substrates using pure Si2H6 as a gas source using ultrahigh vacuum chemical vapour deposition technology. The values of growth temperature Tg are 650 ℃, 700 ℃, 730 ℃, ...; 关键词：step-bunching Ehrlich-Chwoebel barrier elastic repulsion fluctuation

Detailed balance limit efficiency of silicon intermediate band solar cells: 《Chinese Physics B》2011年第9期334-338,共5页曹权马志华薛春来左玉华王启明; Project supported by the National Basic Research Program of China (Grant No.2007 CB613404);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos.61036001,60906035,and 51072194); The detailed balance method is used to study the potential of the intermediate band solar cell （IBSC）, which can improve the efficiency of the gi-based solar cell with a bandgap between 1.1 eV to 1.7 eV. It shows th...; 关键词：intermediate band silicon solar cell concentrated light detailed balance principle

基于绝缘硅的微环谐振可调谐滤波器被引量：17: 《光子学报》2011年第8期1143-1148,共6页李帅吴远大尹小杰安俊明李建光王红杰胡雄伟; 国家高技术研究发展计划(No.2007AA03Z420);国家重点基础研究发展计划(No.2007CB613404)资助; 采用电子束光刻和感应耦合等离子刻蚀等工艺,研制了一种基于绝缘硅材料的的微环谐振可调谐滤波器.滤波器微环半径为5μm左右,波导截面尺寸为(350～500nm)×220nm不等.测试结果表明,波导宽度为450nm时器件性能最为理想,其自由频谱宽度为1...; 关键词：绝缘硅微环谐振热光效应滤波器串扰

采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜被引量：7: 《光电子．激光》2011年第7期1030-1033,共4页周志文贺敬凯李成余金中; 国家重点基础发展研究计划资助项目(2007CB613404); 采用低温缓冲层技术,在Si衬底上生长了质量优良的Ge薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、双晶X射线衍射(XRD)和拉曼散射等研究了薄膜的晶体质量。结果表明,由于无法抑制三维岛状生长,低温Ge缓冲层的表面是起伏的。然而,Ge与Si间的压应变几乎...; 关键词：Ge薄膜低温缓冲层技术表面形貌超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)

Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展: 《半导体光电》2011年第3期304-308,共5页黄诗浩李成陈城钊郑元宇赖虹凯陈松岩; 国家"973"计划项目(2007CB613404);国家自然科学基金资助项目(561036003;60837001); 理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的生长技术及其能带结构,结合本小组近年来在该领域所取得的成果,介绍了国内外各研究机构对Ge薄膜发光材料...; 关键词：Si基外延Ge 应变掺杂光致发光电致发光

Strained and strain-relaxed epitaxial Ge_(1-x)Sn_x alloys on Si(100) substrates: 《Chinese Physics B》2011年第6期485-489,共5页汪巍苏少坚郑军张广泽左玉华成步文王启明; Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2006AA03Z415);the National Basic Research Program of China (Grant No. 2007CB613404);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60906035 and 61036003);the Knowledge Innovation Program of the Chinese Academy of Sciences (Grant No. ISCAS2009T01); Epitaxial Ge1-xSnx alloys are grown separately on a Ge-buffer/Si（100） substrate and directly on a Si（100） substrate by molecular beam epitaxy （MBE） at low temperature. In the case of the Ge buffer/Si（100） subs...; 关键词：GeSn alloys STRAINED strain-relaxed molecular beam epitaxy

Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用被引量：2: 《物理学报》2011年第9期712-716,共5页潘书万亓东峰陈松岩李成黄巍赖虹凯; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404);国家自然科学基金(批准号:61036003和60837001);福建省自然科学基金(批准号:2008J0221);福建省教育厅科技项目(批准号:JB08215)资助的课题~~; 本文采用分子束外延(MBE)系统在Si(100)表面淀积Se薄膜.通过控制衬底和固态Se束源炉的温度,实现了Se材料在Si(100)表面上的自限制超薄薄膜生长;在Se超薄层钝化的Si(100)表面上制备的Ti金属电极具有低的欧姆接触电阻特性,且热稳定性温度...; 关键词：硒钝化欧姆接触热稳定性

循环氧化／退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究被引量：2: 《物理学报》2011年第7期779-783,共5页胡美娇李成徐剑芳赖虹凯陈松岩; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404);国家自然科学基金(批准号:61036003和60837001)资助的课题~~; 采用超高真空化学气相淀积系统在SOI(绝缘体上硅)衬底上生长了Si0.82Ge0.18外延层,通过循环氧化/退火工艺,制备出Ge组分从0.24到1的绝缘体上锗硅(SGOI)材料.采用高分辨透射电镜、拉曼散射光谱和光致发光谱表征了其结构及光学性质,对氧...; 关键词：GEOI 氧化退火光致发光谱

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