国家自然科学基金(60276013)

作品数：6被引量：2H指数：1
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相关机构：天津师范大学北京师范大学更多>>
相关期刊：《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》《天津师范大学学报（自然科学版）》《光子技术》《光电子．激光》更多>>
相关主题：量子阱混合MQWPECVD离子注入X射线光电子谱更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
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Plasma-enhanced Chemical Vapordeposition SiO_2 Film after Ion Implantation Induces Quantum Well Intermixing被引量：1
《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》2006年第4期105-107,共3页彭菊村 
Funded bythe National Natural Science Foundation of China(No.60276013)
A method of QWI （ quantum well intermixing） realizing through plasma-enhanced chemical vapordepositiom （PECVD） SiO2 film following ion implantation was investigated. PECVD 200 mn SiO2 film after 160 keV phosphorus...
关键词：quantum well intermixing P ion implantation PECVD SiO2 PL blue shift 
离子注入结合无杂质空位诱导量子阱混合的研究
《中国材料科技与设备》2006年第2期22-24,共3页陈杰 杨格丹 王永晨 赵杰 
国家自然基金资助项目（编号：60276013）;教育部北京师范大学射线束技术与材料改性重点实验室部分资助项目
离子注入诱导无序（IICD）和无杂质空住扩散（IFVD）方法是在同一基片上生长量子阱以后再导致部分区域量子阱混合（QWI）的重要方法。本文采用磷离子注入（注入能量为160keV，剂量分别为1×10^11，1×10^12，1×10^13，3×10^13，7×10^...
关键词：岛子注入诱导无序(IICD) 无杂质空位扩散(IFVD) 量子阱混合 带隙蓝移 
磷离子注入诱导InGaAsP/InP双量子阱混合的研究
《光子技术》2005年第4期187-189,共3页陈杰 王永晨 赵杰 韩德俊 
国家自然基金资助项目(编号:60276013);北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室部分资助。
本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合。注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2。注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒。实验结果表明,小剂量注入...
关键词：离子注入 InGaAsP/InP双量子阱 量子阱混合 
PECVD沉积SiOP电介质膜及其XPS研究被引量：1
《光电子．激光》2004年第11期1292-1296,共5页王永晨 杨格丹 赵杰 车经国 张淑云 
国家自然科学基金资助项目(60276013)
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术沉积含P电介质薄膜,用于无杂质空穴扩散(IFVD)技术中InGaAsP InPMQW结构中新的包封层,替代传统的SiO2层。经X射线光电子谱(XPS)研究证明,该膜就是SiOP结构。快速退火(RTA)研究表明,该膜结构基...
关键词：原子 电介质 XPS PECVD SIO2膜 空穴 证明 MQW 等离子体增强化学气相沉积 X射线光电子谱 
一种增强量子阱混合的新技术被引量：1
《光子技术》2004年第3期132-134,155,共4页杨格丹 王永晨 赵杰 车经国 张淑云 
国家自然科学基金项目(60276013)
采用PECVD技术在1.55μm InGaAsP-InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5-74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝...
关键词：量子阱 MQW SIO2薄膜 激光器结构 PL谱 快速热退火 蓝移 i-O 测试 电介质 
SiOP介质膜及其对InGaAsP/InP量子阱激光结构混合无序的影响
《天津师范大学学报（自然科学版）》2003年第4期36-39,共4页王永晨 杨格丹 赵杰 李彦 刘明成 
国家自然科学基金资助项目(60276013)
用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜—SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1.55μmInGaAsP/InP量子阱激光结构带隙的影响.XPS分析表明,该膜中存在SiO和PO键,P(2p)态键能为134.6eV.PL测...
关键词：SiOP介质膜及 PECVD 量子阱混合QWI 电介质薄膜 激光结构 等离子体增强化学沉积法 光纤通讯 
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