国家高技术研究发展计划(2007AA04Z315)

作品数：6被引量：11H指数：2
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相关作者：孙立宁王家畴荣伟彬李昕欣李欣昕更多>>
相关机构：哈尔滨工业大学中国科学院山东理工大学上海大学更多>>
相关期刊：《光学精密工程》《Journal of Semiconductors》《压电与声光》更多>>
相关主题：体硅工艺有限元方法超声波换能器超声波并联更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺机械工程更多>>
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新型并联复合式超声波能量传输机构研究被引量：1
《压电与声光》2009年第5期678-681,共4页刘曰涛 刘延杰 孙立宁 张乐敏 
国家自然科学基金资助项目(50705027);"八六三"基金资助项目(2007AA04Z315)
介绍了一种引线键合领域新型并联复合式超声波能量传输机构。与常规其他形式的超声波能量传输机构相比,用减弱了横向偏转刚度的夹持梁代替常规夹持环结构进行机构有效夹持,可显著降低并联结构的耦合特性。对一体式变截面三段变幅杆的杆...
关键词：引线键合 压电陶瓷 超声波换能器 
基于体硅工艺的集成式定位平台
《光学精密工程》2009年第2期333-340,共8页王家畴 荣伟彬 李昕欣 孙立宁 马立 
国家杰出青年基金资助计划项目(No.50725518);国家863高技术研究发展计划资助项目(No.2007AA04Z315);长江学者和创新团队发展计划资助项目
针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制出了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度微型定位平台,定位平台采用侧向平动静电梳齿驱动。利用力电耦合和能量守恒原理分析了静电致动器的致动机理,对...
关键词：体硅工艺 纳米级定位平台 静电驱动 致动机理 特性分析 
A Silicon Integrated Micro Positioning xy-Stage for Nano-Manipulation
《Journal of Semiconductors》2008年第10期1932-1938,共7页王家畴 荣伟彬 孙立宁 李欣昕 
国家杰出青年基金(批准号:50725518);国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA04Z315);长江学者和创新团队发展计划资助项目~~
An integrated micro positioning xy-stage with a 2mm × 2mm-area shuttle is fabricated for application in nano- meter-scale operation and nanometric positioning precision. It is mainly composed of a silicon-based xy-st...
关键词：MEMS integrated micro xy-stage electrostatics comb actuator vertical sidewall surface piezoresistor inplane 
带有位移检测功能的纳米级定位平台被引量：4
《纳米技术与精密工程》2008年第5期376-382,共7页王家畴 荣伟彬 李昕欣 孙立宁 
国家杰出青年基金资助项目(50725518);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2007AA04Z315);长江学者和创新团队发展计划资助项目
为了解决纳米定位平台小型化、定位精度高的问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅的、带有位移检测功能的新型二自由度微型定位平台.介绍了定位平台的工作原理,通过理论计算和有限元模拟相结合的方法实现定位平台的结构设计...
关键词：体硅微加工工艺 微型定位平台 面内侧壁压阻 有限元方法 压阻灵敏度 
基于侧壁压阻式的位移传感器研制及应用
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1589-1594,共6页孙立宁 王家畴 荣伟彬 李欣昕 
国家杰出青年基金(批准号:50725518);国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA04Z315);长江学者和创新团队发展计划资助项目~~
为了提高面内运动位移检测的灵敏度和改善侧壁压阻工艺与其他工艺间的兼容性问题,研究了一种可用于面内运动位移检测的传感器,提出了利用离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法.侧壁压阻式位移传感...
关键词：微机电系统 侧壁压阻 定位平台 反应离子刻蚀 位移传感器 
基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析被引量：6
《光学精密工程》2008年第4期636-641,共6页王家畴 荣伟彬 李昕欣 孙立宁 
国家杰出青年基金资助项目(No.50725518);国家“863”高技术研究发展计划资助项目(No.2007AA04Z315);长江学者和创新团队发展计划资助项目
针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减...
关键词：体硅工艺 深度反应离子刻蚀 背片技术 面内侧面压阻 纳米级定位平台 
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