云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(2002CB311905)

国家重点基础研究发展计划(2002CB311905): 作品数：23被引量：15H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：张世林郭维廉梁惠来毛陆虹齐海涛更多>>; 相关机构：天津大学中国科学院北京师范大学天津工业大学更多>>; 相关期刊：《微电子学》《半导体技术》《电子学报》《光电子．激光》更多>>; 相关主题：色散效应异质结双极晶体管HBT负阻特性电路模拟更多>>; 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>

肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究: 《高技术通讯》2010年第6期632-636,共5页宋瑞良毛陆虹郭维廉谢生齐海涛张世林梁惠来; 973计划(2002CB311905)资助项目; 基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻...; 关键词：共振隧穿三极管(RTT) 器件模型肖特基接触

用变温法测量RTD串联电阻被引量：1: 《半导体技术》2009年第1期83-87,共5页宋瑞良毛陆虹郭维廉谢生齐海涛张世林梁惠来; 国家973课题项目(2002CB311905); 用变温法测量了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)器件的串联电阻参数。与网络分析仪法不同,变温法是通过测量RTD器件在不同温度下的I-V特性曲线,用数学方法求解曲线特定区域的相关参数得到串联电阻值。为了便于对比,设计并研制了两种发射极面...; 关键词：共振隧穿二极管串联电阻变温法

双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量: 《Journal of Semiconductors》2008年第1期136-139,共4页郭维廉张世林梁惠来齐海涛毛陆虹牛萍娟于欣王伟王文新陈宏周均铭; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311905)~~; 采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"Λ"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6,峰值电流跨导约为3×10...; 关键词：RSTT 高速化合物三端功能器件三端负阻器件热电子器件电子转移器件

新型恒压控制型负阻HBT的研制进展: 《半导体技术》2007年第7期553-557,共5页齐海涛郭维廉张世林; 国家重点基础研究发展规划项目(2002CB311905);中国博士后科学基金资助(20060400189); 研究了HBT产生负阻的可能机制,通过对材料结构和器件结构的特殊设计,采用常规台面HBT工艺,先后研制出3类高电流峰谷比的恒压控制型负阻HBT。超薄基区HBT的负阻特性是由超薄基区串联电阻压降调制效应造成的,在GaAs基InGaP/GaAs和AlGaAs/G...; 关键词：负阻异质结双极晶体管电流峰谷比

折射率色散效应对晶体硅太阳电池反射率的影响被引量：5: 《光子学报》2007年第7期1202-1206,共5页白一鸣陈诺夫彭长涛梁平; 国家自然科学基金(60176001);国家重大基础研究发展规划(2002CB311905)资助; 为了分析色散效应对晶体硅太阳电池反射率的影响,在考虑材料折射率色散效应的情况下,运用光学干涉矩阵计算了具有SiO2单层减反射膜和MgF2/ZnS双层减反射膜晶体硅太阳电池的反射率与波长的函数关系,并与实验结果和未考虑色散效应的计算...; 关键词：薄膜光学减反射膜晶体硅太阳电池色散效应

Ferromagnetic MnSb Films Consisting of Nanorods and Nanoleaves: 《Journal of Semiconductors》2007年第5期661-664,共4页戴瑞烜陈诺夫张兴旺彭长涛吴金良; 国家自然科学基金(批准号:60176001,60390072);国家重点基础研究专项基金(批准号:2002CB311905)资助项目~~; Ferromagnetic MnSb films were synthesized on Si wafers by physical vapor deposition. X-ray diffraction revealed that the films primarily consisted of MnSb alloy. Nanorods and nanoleaves were observed in the MnSb films...; 关键词：FERROMAGNETIC MNSB nanorods and nanoleaves physical vapor deposition

利用多层堆垛InAs/GaAs量子点结构实现1.3μm光致发光: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期215-217,共3页刘宁金鹏吴巨王占国; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604904,2002CB311905)和国家自然科学基金(批准号: 60306010,60390071,60390074,90301007,90201033)资助项目; 在GaAs衬底上用分子束外延分别生长了单层和五层垂直堆垛的InAs/GaAs量子点结构.室温光致发光实验表明,五层堆垛结构较单层结构的发光峰位红移180nm,实现了1.3μm发光.结合透射电镜分析,多层堆垛量子点材料发光的显著红移是由于量子点...; 关键词：量子点分子束外延垂直堆垛长波长发光

单向载流子传输光电探测器模拟被引量：5: 《Journal of Semiconductors》2006年第11期2019-2024,共6页朱浩波毛陆虹杨展郭维廉张世林梁惠来; 国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2002CB311905)~~; 用Atlas软件对单向载流子传输光电探测器(uni-traveling-carrier photodetector,UTC-PD)进行了模拟,研究了器件的基本工作原理,着重讨论了器件性能与外延层结构的关系.设计出的UTC-PD可同时具有高的响应度(≥0.18A/W)和宽的3dB带宽(≥10...; 关键词：UTC 光电探测器响应度 3DB带宽

肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT)的器件模拟: 《固体电子学研究与进展》2006年第3期290-294,共5页宋瑞良毛陆虹郭维廉梁惠来张世林; 国家重点基础研究发展规划项目资助(2002CB311905);专用集成电路国家级重点实验室资助(51432010204JW1401); 使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响,最后对器件在...; 关键词：肖特基栅共振隧穿三极管器件模拟单稳-双稳转换逻辑电路单元

色散效应对GaAs太阳电池双层减反射膜的影响被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2006年第4期725-729,共5页白一鸣陈诺夫戴瑞烜王鹏彭长涛; 国家自然科学基金(批准号:60176001);国家重大基础研究发展规划(批准号:2002CB311905)资助项目~~; 考虑双层减反射膜材料的折射率色散效应,采用光学干涉矩阵法计算了SiO2/ZnSe和SiO2/ZnS两种GaAs太阳电池双层减反射膜的反射率与波长的函数曲线,以及加权平均反射率随着顶层减反射膜SiO2厚度变化的函数曲线,并与未考虑色散效应的情况进...; 关键词：色散效应加权平均反射率双层减反射膜 GAAS太阳电池

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