国家部委预研基金(51308040203)

作品数：4被引量：22H指数：3
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应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型被引量：1
《物理学报》2011年第5期784-788,共5页秦珊珊 张鹤鸣 胡辉勇 屈江涛 王冠宇 肖庆 舒钰 
国家部委预研基金(批准号:51308040203;9140A08060407DZ0103;6139801)资助的课题~~
本文通过求解二维泊松方程,为应变Si全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上,得到了应变Si全耗SOI MOSFET的亚阈电流模型,并通过与二维器件数值模拟工具ISE的结果做比较,证明了所建...
关键词：应变硅 FD-SOI MOSFET 表面势 亚阈电流 
(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的输运特性被引量：3
《西安电子科技大学学报》2010年第3期520-523,共4页刘红霞 宋久旭 张鹤鸣 
国家部委预研基金资助项目(51308040203)
建立了(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的模型,采用非平衡格林函数法计算了该异质结的输运特性.从异质结的分子投影自洽哈密顿量的本征轨道,可以看出最高占据分子轨道和最低空轨道均位于碳纳米管侧,其能带间隙约为0.48 eV;从其伏安特...
关键词：碳纳米管 碳化硅纳米管 异质结 输运特性 非平衡格林函数 
应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型被引量：5
《物理学报》2009年第7期4948-4952,共5页张志锋 张鹤鸣 胡辉勇 宣荣喜 宋建军 
国家部委预研基金(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103,9140C0905040706)资助的课题~~
在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压与SiGe层掺杂浓度和Ge组分的关系、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的...
关键词：应变硅 阈值电压 电势分布 反型层 
应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究被引量：16
《物理学报》2007年第6期3504-3508,共5页张鹤鸣 崔晓英 胡辉勇 戴显英 宣荣喜 
国家部委预研项目(批准号:51308040203;51408061105DZ0171)资助的课题~~
在绝缘层附着硅(SOI)结构的Si膜上生长SiGe合金制作具有SiGe量子阱沟道的SOIp型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),该器件不仅具有SOI结构的优点,而且因量子阱中载流子迁移率高,所以进一步提高了器件的性能.在分析常规的SiSOI MOS...
关键词：应变SiGe SOI MOSFET 阈值电压 模型 
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