云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(51302215)

国家自然科学基金(51302215): 作品数：17被引量：21H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：苗瑞霞赵健谢端更多>>; 相关机构：西安邮电大学西北大学更多>>; 相关期刊：《发光学报》《物理学报》《集成电路应用》《计算机工程与设计》更多>>; 相关主题：电子输运石墨烯纳米带整流AL4H-SIC更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

Te掺杂对二维InSe抗氧化性以及电子结构的影响: 《物理学报》2023年第12期83-92,共10页苗瑞霞谢妙春程开李田甜杨小峰王业飞张德栋; 国家自然科学基金(批准号:51302215,62105260,12004303)资助的课题。; In Se作为一种典型的二维层状半导体材料,具有优异的电学性能以及适中可调的带隙,在光电器件中表现出诱人的应用前景.然而有研究表明,单硒空位(Vse)体系的In Se易受O_(2)分子影响,造成In Se材料降解,严重影响其在电子器件领域的应用.本...; 关键词：INSE 抗氧化性掺杂电子结构

微波辅助烧结Al掺杂ZnO陶瓷的缺陷和光学性能研究被引量：1: 《电子元件与材料》2022年第4期356-361,共6页王晨瑞苗瑞霞张德栋李永锋; 国家自然科学基金(51302215)。; 采用微波辅助烧结法在空气气氛中以1100℃烧结20 min制备出不同Al_(2)O_(3)掺杂量(摩尔分数0%~6%)的ZnO陶瓷。通过XRD、SEM、霍尔实验、UV-Vis光谱、Raman光谱、PL光谱的表征,研究了Al_(2)O_(3)掺杂量的变化对微波辅助烧结ZnO陶瓷的物...; 关键词：ZnO陶瓷 Al_(2)O_(3)掺杂微波辅助烧结缺陷光学性能

基于RISC-V的神经网络卷积算法的研究与优化被引量：1: 《计算机工程与设计》2022年第3期668-676,共9页苗瑞霞张雪兰谭星浩方华启; 国家自然科学基金项目(51302215);陕西省自然科学基金项目(2018JQ6084)。; 为加速嵌入式平台ARM CMSIS-NN上的神经网络卷积算法,提出一种面向开源RISC-V(精简指令级架构第五代)的卷积算法。采用RISC-V的P拓展指令集中特有的8位数据操作指令,优化ARM CMSIS-NN(微处理器软件接口标准)库中因为缺少DSP指令8位数据...; 关键词：ARM CMSIS-NN RISC-V 神经网络卷积算法 DSP指令集蜂鸟E203 FPGA

Direct growth of graphene films without catalyst on flexible glass substrates by PECVD被引量：2: 《Chinese Physics B》2021年第9期565-573,共9页Rui-Xia Miao Chen-He Zhao Shao-Qing Wang Wei Ren Yong-Feng Li Ti-Kang Shu Ben Yang; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.51302215);the Joint Research Funds of Department of Science&Technology of Shaanxi Province and Northwestern Polytechnical University,China(Grant No.2020GXLH-Z-029);the Natural Science Basic Research Program of Shaanxi Province,China(Grant Nos.2018JQ6084 and 2019JQ-860).; A hydrogen-plasma-etching-based plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD)synthesis route without metal catalyst for preparing the graphene films on flexible glass is developed.The quality of the prepared graphe...; 关键词：GRAPHENE flexible glass PECVD RF power

石墨烯纳米带整流器件电子输运性质研究被引量：6: 《传感器与微系统》2021年第4期8-10,14,共4页叶海安苗瑞霞郭三栋王少青卜习习邵奇; 国家自然科学基金资助项目(51302215);陕西省自然科学基金资助项目(2018JQ6084)。; 运用密度泛函理论和非平衡格林函数结合的方法,研究中心散射区长度对右电极中心N掺杂的扶手椅型石墨烯纳米带电子输运特性的影响。研究表明:在正向偏压下,不同中心散射区长度的扶手椅型石墨烯纳米带电流随着电压的增加而增大;而在负向...; 关键词：石墨烯纳米带整流现象非平衡格林函数方法中心散射区

石墨烯纳米带电极区N掺杂电子输运性质研究: 《原子与分子物理学报》2021年第1期52-56,共5页卜习习苗瑞霞郭三栋叶海安邵奇; 国家自然科学基金(51302215);陕西省自然科学基金(2018JQ6084)。; 运用密度泛函理论和非平衡格林函数结合的方法,研究电极区N掺杂对扶手椅型石墨烯纳米带电子输运特性的影响.结果表明,与本征扶手椅型石墨烯纳米带电流-电压曲线相比,宽度为7的石墨烯纳米带电流-电压曲线表现出明显的不对称性,其中心N掺...; 关键词：电子输运整流现象非平衡格林函数方法石墨烯纳米带

Electronic structure and optical properties of Ge-and F-doped α-Ga2O3:First-principles investigations被引量：2: 《Chinese Physics B》2020年第12期402-407,共6页Ti-Kang Shu Rui-Xia Miao San-Dong Guo Shao-Qing Wang Chen-He Zhao Xue-Lan Zhang; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.51302215);the Natural Science Basic Research Program of Shaanxi Province,China(Grant Nos.2018JQ6084 and 2019JQ-860).; The prospect ofα-Ga2O3 in optical and electrical devices application is fascinating.In order to obtain better performance,Ge and F elements with similar electronegativity and atomic size are selected as dopants.Based...; 关键词：DFT GGA+U calculation method α-Ga2O3 DOPING

裁剪层数对石墨烯纳米带电学输运性能的研究被引量：1: 《电子元件与材料》2019年第12期34-37,47,共5页卜习习苗瑞霞叶海安郭三栋王少青; 国家自然科学基金(51302215);陕西省自然科学基金(2018JQ6084); 基于密度泛函理论和非平衡格林函数结合的方法,研究了裁剪层数对扶手椅型石墨烯纳米带电子输运性质的影响。研究结果表明,裁剪不同层数对扶手椅型石墨烯纳米带的整流特性会产生不同的影响。当裁剪层数为1,2,3,5层时,器件的电流-电压曲...; 关键词：密度泛函理论石墨烯纳米带整流裁剪电子输运分子器件

InP基HEMT栅槽设计和研究: 《集成电路应用》2018年第8期10-12,共3页武利翻苗瑞霞; 国家自然科学基金青年基金项目(51302215);陕西省教育厅科研计划项目资助(17JK0698); In P基HEMT器件制作中,栅槽刻蚀工艺是形成良好的肖特基接触栅的关键工艺。针对这一问题,研究了用丁二酸和H_2O_2混合液作为In P基HEMT器件栅槽腐蚀液,确定栅槽完全腐蚀并获得较好的表面平整度的最优时间。首先用单片In Ga As和单片In A...; 关键词：InPHEMT 化学湿法腐蚀腐蚀时间表面粗糙度 AFM

高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件（英文）: 《发光学报》2018年第5期687-691,共5页武利翻苗瑞霞商世广; Supported by National Natural Science Foundation of China(51302215);Scientific Research Program Funded by Shaanxi Provincial Education Department(17JK0698);The Science and Technology Project of Shaanxi Province(2016KRM029)~~; 用分子束外延技术将高灵敏度的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件赝配生长在Ga As衬底上。设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构,有效地提高了器件的面电子浓度。与传统的没有掺杂的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件相比,室温下器件...; 关键词：霍尔器件量子阱双δ掺杂分子束外延

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