国家重点基础研究发展计划(2006CB604907)

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Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响
《中国激光》2009年第5期1205-1208,共4页葛瑞萍 韩平 吴军 王荣华 俞斐 赵红 俞慧强 谢自力 张荣 郑有炓 
国家自然科学基金(60721063);国家973计划(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004)资助课题
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C缓冲层生长温度对样品...
关键词：Ge薄膜 Si1-xGex:C缓冲层 化学气相淀积 生长温度 
AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延
《中国激光》2009年第5期1209-1213,共5页吴军 王荣华 韩平 葛瑞萍 梅琴 俞斐 赵红 谢自力 张荣 郑有炓 
国家973计划(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);国家自然科学基金(60721063)资助课题
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到...
关键词：化学气相淀积 4H—SiC薄膜 AlN/Si(111)复合衬底 异质外延 阴极荧光 
高温高压合成Co掺杂ZnO基DMS及其磁性特征
《Journal of Semiconductors》2008年第6期1156-1159,共4页张国煜 修向前 张荣 陶志阔 崔旭高 张佳辰 谢自力 徐小农 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604907);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A142;2006AA03Z411);国家自然科学基金(批准号:60731160628;60776001)资助项目~~
采用高温高压方法将由溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体纳米颗粒置于6GPa压强和1000℃环境中处理,并研究其结构和磁学性质.XRD,XPS以及HRTEM等结构测量和分析表明,在掺杂浓度不高时,Co2+离子被较好地掺杂到了ZnO晶格中...
关键词：高温高压 ZNO稀磁半导体 CO掺杂 
生长温度对Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>∶C合金薄膜性质的影响
《稀有金属》2007年第S2期21-24,共4页夏冬梅 王荣华 王琦 韩平 谢自力 张荣 
国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);2006年度国防科重点实验室基金(9140C1404010605)
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上制备Si缓冲层,继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。研究表明,较低的Si缓冲层或Si1-xGex∶C外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-xGex∶C合金薄膜,仅在Si缓冲层和Si1-xGex∶C外延层的生长...
关键词：化学气相淀积 Si1-xGex∶C合金薄膜 生长温度 
生长温度对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜性质的影响
《稀有金属》2007年第z1期21-24,共4页夏冬梅 王荣华 王琦 韩平 谢自力 张荣 
国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);2006年度国防科重点实验室基金(9140C1404010605)
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上制备Si缓冲层,继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。研究表明,较低的Si缓冲层或Si1-xGex∶C外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-xGex∶C合金薄膜,仅在Si缓冲层和Si1-xGex∶C外延层的生长...
关键词：化学气相淀积 Si1-xCex:C合金薄膜 生长温度 
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