ZNO稀磁半导体

作品数：12被引量：27H指数：3
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质子辐照对Yb掺杂ZnO稀磁半导体薄膜缺陷与磁性的影响被引量：1
《无机材料学报》2018年第8期903-908,共6页陈卫宾 刘学超 卓世异 柴骏 施尔畏 
国家自然科学基金青年基金(51602331);国家重点研发计划项目(2016YFB0400401;2017YFB0405700)~~
采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法制备了Yb掺杂ZnO薄膜,并采用不同剂量质子对薄膜进行了辐照实验,重点采用X射线衍射、光电子能谱、正电子湮灭图谱和磁测量系统对Zn_(0.985)Yb_(0.015)O薄膜的缺陷和磁性能进行了研究。磁性测试...
关键词：Yb掺杂ZnO 质子辐照 稀磁半导体 铁磁性 
C掺杂ZnO稀磁半导体的磁特性研究被引量：1
《福州大学学报（自然科学版）》2015年第6期778-782,共5页翁臻臻 
福建省教育厅科研资助项目(JA13038);福州大学科研启动基金资助项目(XRC-1282)
利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,研究C掺杂ZnO稀磁半导体的磁性质.发现ZnO∶C体系的磁性来源于C-p和Zn-d轨道之间的杂化,铁磁性产生的机制是以巡游电子为媒介的铁磁交换作用.富O环境下制备ZnO∶C样品能够更好地在室温...
关键词：氧化锌 稀磁半导体 第一性原理 磁特性 
Cu-Co共掺杂ZnO稀磁半导体的水热法制备与性能被引量：2
《材料热处理学报》2015年第7期24-29,共6页魏智强 徐可亮 张旭东 武晓娟 王璇 杨华 姜金龙 
国家自然科学基金(51261015);甘肃省自然科学基金(1308RJZA238)
采用水热法了制备不同掺杂比例的Zn0.95Cu0.05-xCoxO(x=0,0.025,0.05)稀磁半导体材料。X射线衍射(XRD)表明所有样品具有结晶良好的纤锌矿结构,随着Co掺杂量的增加点阵常数有所增大。高分辨透射电子显微镜(HRTEM)发现所有样品形貌为纳米...
关键词：共掺杂 ZNO基稀磁半导体 水热法 光致发光 铁磁性 
烧结温度对Co掺杂ZnO稀磁半导体性能的影响
《吉林师范大学学报（自然科学版）》2013年第3期57-59,共3页刘洪波 刘卓 刘洋 周志平 杨景海 
国家自然科学基金青年科学基金项目(10904050);吉林省教育厅"十二五"科学技术研究项目(吉教科合字[2011]第157号);江苏省2012年度普通高校研究生科研创新计划项目(CXZZ12_0667)
通过溶胶—凝胶法制备了Co掺杂ZnO稀磁半导体纳米颗粒,利用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计等测试手段对Co掺杂ZnO稀磁半导体样品进行了结构和磁性表征.结果表明,随着烧结温度的升高,样品的固溶度逐渐增加.当样品的烧结温...
关键词：ZNO稀磁半导体 CO掺杂 溶胶—凝胶法 结构 磁性 
非磁性元素掺杂ZnO稀磁半导体研究进展被引量：3
《人工晶体学报》2011年第4期1048-1052,共5页卓世异 刘学超 熊泽 陈之战 杨建华 施尔畏 
国家自然科学基金(50772122;51002176)
ZnO基稀磁半导体的磁性来源和机理一直是研究的热点和难点。传统的磁性3d过渡族元素掺杂ZnO容易形成铁磁性的第二相,而非磁性元素掺杂可以很好的避免这一弊端,是研究稀磁半导体磁性来源和机理的理想体系。而且理论计算和实验方面已经报...
关键词：稀磁半导体 ZNO 非磁性元素掺杂 室温铁磁性 
Mn、Li共掺ZnO稀磁半导体的制备与铁磁性研究被引量：1
《材料导报》2011年第4期9-11,共3页王庆 王成 伍双杰 
湖北省自然科学基金(2007ABA112)
采用固相陶瓷烧结法制备了Mn、Li共掺的ZnO稀磁半导体材料,实现了室温铁磁性。分别用XRD、XPS和VSM对各样品进行了结构测量和磁性能测量,分析了Mn、Li掺杂浓度对ZnO基稀磁半导体的影响。结果表明,在相同的外磁场下,随着Mn掺杂浓度的增加...
关键词：氧化锌 稀磁半导体 固相反应法 铁磁性 
过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体分析技术的研究现状被引量：2
《材料导报（纳米与新材料专辑）》2010年第2期351-355,359,共6页王古平 
台州学院校立项目资助(09ND11)
过渡金属(TM)掺杂获得铁磁性ZnO基稀磁半导体(DMSs)的报道很多,但其铁磁性是否有微量磁性TM原子团簇或第二相的贡献存在争议。从磁性测量和磁性TM原子团聚及第二相的排除两方面综述了TM掺杂ZnODMSs本征铁磁性检证的常用方法,着重分析了...
关键词：ZNO 稀磁半导体 本征铁磁性 分析技术 TM掺杂 
过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体的发光特性被引量：2
《材料导报》2010年第19期27-33,48,共8页徐明 胡志刚 吴艳南 周海平 徐禄祥 周勋 
四川省教育厅基金(2006B033;2006C020);贵州省科学技术基金(黔科通J合[2006]2004)
ZnO是一种宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体,具有良好的光电耦合特性和稳定性,在光、电、磁功能集成等新型器件方面可获得重要应用。近来的研究表明,过渡金属掺杂的ZnO基半导体有望成为实现高居里温度稀磁半导体的候选材料,是目前研究的热点。总结...
关键词：ZNO 稀磁半导体 过渡金属 掺杂 发光 
高温高压合成Co掺杂ZnO基DMS及其磁性特征
《Journal of Semiconductors》2008年第6期1156-1159,共4页张国煜 修向前 张荣 陶志阔 崔旭高 张佳辰 谢自力 徐小农 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604907);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A142;2006AA03Z411);国家自然科学基金(批准号:60731160628;60776001)资助项目~~
采用高温高压方法将由溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体纳米颗粒置于6GPa压强和1000℃环境中处理,并研究其结构和磁学性质.XRD,XPS以及HRTEM等结构测量和分析表明,在掺杂浓度不高时,Co2+离子被较好地掺杂到了ZnO晶格中...
关键词：高温高压 ZNO稀磁半导体 CO掺杂 
过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体铁磁特性研究进展被引量：5
《人工晶体学报》2008年第1期114-123,共10页王爱华 张丽伟 张兵临 姚宁 
教育部重点项目(No.205091)
ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,关于3d过渡金属掺杂(transition-m etal-doped)ZnO的室温铁磁性有很多报道。本文对不同方法和不同条件制备的过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了综述。
关键词：自旋电子学 稀磁半导体 ZNO 过渡金属掺杂 室温铁磁性 
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