云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(2011CBA00705)

国家重点基础研究发展计划(2011CBA00705): 作品数：35被引量：70H指数：6; 导出分析报告; 相关作者：赵颖张晓丹陈新亮耿新华张建军更多>>; 相关机构：南开大学河北工业大学中国科学院研究生院东北电力大学更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《南开大学学报（自然科学版）》《物理学报》《人工晶体学报》更多>>; 相关主题：太阳电池ZNO薄膜W一维光子晶体反应磁控溅射更多>>; 相关领域：电气工程理学电子电信机械工程更多>>

HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜: 《人工晶体学报》2016年第8期2003-2010,共8页郭宇坤周玉荣陈瑱怡马宁刘丰珍; 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CBA00705);青年教师科研启动基金(201524); 采用热丝化学气相沉积（HWCVD）技术在低温条件下（100℃）制备超薄（-30 nm）的硼掺杂硅薄膜。系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响。当RH由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;...; 关键词：热丝化学气相沉积硅薄膜硼掺杂电学性能

宽光谱窄带隙微晶硅锗太阳电池研究被引量：1: 《中国科技论文》2015年第4期429-432,共4页刘群倪牮张建军马峻王昊赵颖; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20120031120044);天津市应用基础及前沿技术研究计划资助项目(12JCQNJC01000);国家自然科学基金资助项目(61377031); 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备了高锗含量(原子百分含量)的氢化微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)材料。通过锗含量、拉曼光谱、吸收系数以及电导率测试,研究了不同离子轰击条件下μc-Si1-xGex:H薄膜的结构及光电性能...; 关键词：微晶硅锗离子轰击长波响应太阳电池

Effect of hydrogen on low temperature epitaxial growth of polycrystalline silicon by hot wire chemical vapor deposition: 《Journal of Semiconductors》2015年第2期29-33,共5页曹勇张海龙刘丰珍朱美芳董刚强; Project supported by the Beijing City Science and Technology Project(No.D121100001812003);the National Basic Research Program of China(No.2011CBA00705); Polycrystalline silicon （poly-Si） films were prepared by hot-wire chemical vapor deposition （HWCVD） at a low substrate temperature of 525 ℃. The influence of hydrogen on the epitaxial growth of ploy-Si films was ...; 关键词：polycrystalline silicon hot-wire chemical vapor deposition low temperature epitaxial growth

衬底温度对磁控溅射生长HMGZO薄膜特性的影响: 《光电子．激光》2014年第11期2114-2122,共9页刘杰铭陈新亮田淙升梁俊辉张德坤赵颖张晓丹; 国家重点基础研究发展计划(2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707);科技部“863”高技术发展计划(2013AA050302);中央高校基本科研业务费专项资金(65010341);天津市应用基础及前沿技术研究计划13JCZDJC26900);天津市重大科技支撑计划(11TXSYGX22100)资助项目; 为适应高效Si基薄膜太阳电池对宽光谱透明导电薄膜的需求,采用磁控溅射技术生长了不同衬底温度氢化作用下Ga和Mg共掺杂ZnO（HMGZO）透明导电氧化物（TCO）薄膜。研究了不同衬底温度（200~280℃）对HMGZO薄膜结晶特性及光电特性的影响。...; 关键词：ZNO薄膜 Mg和Ga共掺 H2引入衬底温度光学带隙展宽太阳电池

A combined experimental-computational study on nitrogen doped Cu_2O as the wide-spectrum absorption material: 《Journal of Semiconductors》2014年第10期12-16,共5页张平周玉荣闫清波刘丰珍李婧雯董刚强; Project supported by the National Basic Research Program of China(No.2011CBA00705);the Beijing City Science and Technology Project(No.D121100001812003); Highly-oriented Cu2O thin films were prepared by low temperature thermal oxidation of evaporated Cu thin films. The films were doped with different doses of nitrogen by ion implantation. An absorption peak ap- pears b...; 关键词：cuprous oxide ion implantation nitrogen doping intermediate band first-principles calculations

Structural properties of a-SiO_x:H films studied by an improved infrared-transmission analysis method被引量：1: 《Chinese Physics B》2014年第9期578-584,共7页王烁张晓丹熊绍珍赵颖; supported by the National Basic Research Program of China(Grant Nos.2011CBA00705,2011CBA00706,and 2011CBA00707);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.60976051);the Program for New Century Excellent Talents in University of China(Grant No.NCET-08-0295); An improved method of fitting point-by-point is proposed to determine the absorption coefficient from infrared （IR） transmittance. With no necessity of empirical correction factors, the absorption coefficient can be...; 关键词：amorphous silicon oxide film thin thickness infrared transmission structural properties

A new kind of superimposing morphology for enhancing the light scattering in thin film silicon solar cells： Combining random and periodic structure: 《Chinese Physics B》2014年第8期350-356,共7页Huang Zhen-Hua; Project supported by the National Basic Research Program of China （Grant Nos. 2011CBA00705, 2011CBA00706, and 2011CBA00707）, the National Natural Science Foundation of China （Grant No. 61377031）, the Natural Science Foundation of Tianjin, China （Grant No. 12JCQNJC01000）, the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education, China （Grant No. 20120031120044）, and the Fundamental Research Funds for the Central Universities, China （Grant No. 65012371）.; In this article, a new type of superimposing morphology comprised of a periodic nanostructure and a random structure is proposed for the first time to enhance the light scattering in silicon-based thin film solar cell...; 关键词：light scattering superimposing morphology RANDOM PERIODIC

硅基薄膜太阳电池一维光子晶体背反射器的模拟设计与制备被引量：6: 《物理学报》2014年第12期447-455,共9页陈培专侯国付索松倪牮张建军张晓丹赵颖; 国家自然科学基金(批准号:61176060;61377031);天津市自然科学基金重点项目(批准号:12JCZDJC28300);国家高技术研究发展规划(批准号:2011AA050503);国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00705;2011CBA00706;2011CBA00707);天津市重大科技支撑计划(批准号:11TXSYGX22100)资助的课题~~; 从模拟和实验两个方面研究了一种适用于硅基薄膜太阳电池的一维光子晶体新型背反射器.首先采用时域有限差分方法,模拟研究了组成一维光子晶体的两种介质的折射率比、厚度比以及周期厚度对光子禁带的影响.基于模拟结果,制备出一种由低折...; 关键词：硅基薄膜太阳电池一维光子晶体禁带可调背反射

电极间距对μc-Si_(1-x)Ge_x:H薄膜结构特性的影响被引量：2: 《物理学报》2014年第7期277-282,共6页曹宇张建军严干贵倪牮李天微黄振华赵颖; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707);国家自然科学基金(批准号:61377031);天津市应用基础及前沿技术研究计划(批准号:12JCQNJC01000);东北电力大学博士科研启动基金(批准号:BSJXM-201304)资助的课题~~; 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,使用SiH4加GeH4的反应气源组合生长微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)薄膜.研究了电极间距对μc-Si1-x Gex:H薄膜结构特性的影响.发现薄膜中的Ge含量随电极间距的降低逐渐增加.当电极间距降至7...; 关键词：微晶硅锗电极间距滞留时间射频等离子体增强化学气相沉积

基于一维光子晶体的新型背反射器及其在非晶硅薄膜太阳电池中的应用被引量：6: 《物理学报》2014年第7期301-305,共5页陈培专侯国付索松倪牮张建军张晓丹赵颖; 国家自然科学基金(批准号:61176060,61377031);天津市自然科学基金重点项目(批准号:12JCZDJC28300);国家高技术研究发展规划(批准号:2011AA050503);国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707);天津市重大科技支撑计划项目(批准号:11TXSYGX22100)资助的课题~~; 本文研究制备一种由低折射率的SiOx层与高折射率的a-Si层周期性交叠构成的新型一维光子晶体(1D PC)背反射器.研究结果表明,随着SiOx/a-Si交叠周期数的增加,一维光子晶体的反射率逐步提高.当周期数大于3时,在空气中500—750 nm波长范围...; 关键词：非晶硅薄膜太阳电池一维光子晶体陷光结构背反射器

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