国家自然科学基金(60927006)

作品数：5被引量：2H指数：1
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相关期刊：《半导体技术》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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提高集成电路ESD防护能力的仿真方法被引量：2
《半导体技术》2013年第10期776-780,共5页李松 曾传滨 罗家俊 韩郑生 
国家自然科学基金专项类项目(60927006)
为解决集成电路的全芯片静电防护设计中寄生电阻导致的防护空间压缩问题,提出了一种实用的能够在版图设计过程中提高集成电路静电放电(ESD)防护能力的仿真方法,用于评估和控制ESD电流通路上的寄生电阻,辅助ESD防护设计,预估器件静电防...
关键词：全芯片静电放电防护设计 静电放电防护空间 寄生电阻 版图设计 静电放电测 试 
The abnormal electrostatic discharge of a no-connect metal cover in a ceramic packaging device
《Journal of Semiconductors》2013年第8期74-78,共5页李松 曾传滨 罗家俊 韩郑生 
supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60927006)
The human body model（HBM） stress of a no-connect metal cover is tested to obtain the characteristics of abnormal electrostatic discharge,including current waveforms and peak current under varied stress voltage and d...
关键词：electrostatic discharge human body model no-connect metal cover sparkover 
H型栅SOIMOS作为静电保护器件的维持电压的研究(英文)
《固体电子学研究与进展》2013年第2期108-111,共4页姜一波 曾传滨 罗家俊 韩郑生 
国家自然科学基金资助项目(60927006)
对绝缘体上硅工艺来说,静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题。着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压,通过实验发现此器件的维持电压与栅宽紧密联系。结合TCAD仿真解释了器件的工作机理,通过建立集约模型并由HSPICE仿真,揭示了体电...
关键词：绝缘体上硅 静电保护 维持电压 
Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-on-insulator technology
《Journal of Semiconductors》2012年第3期38-41,共4页姜一波 曾传滨 杜寰 罗家俊 韩郑生 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60927006)
This paper presents a new phenomenon,where the holding-voltage of a silicon-controlled rectifier acts as an electrostatic-discharge protection drift in diverse film thicknesses in silicon-on-insulator（SOI） technolog...
关键词：holding-voltage drift electrostatic discharge SILICON-ON-INSULATOR silicon-controlled rectifier 
Influence of back-gate stress on the back-gate threshold voltage of a LOCOS-isolated SOI MOSFET
《Journal of Semiconductors》2012年第2期36-40,共5页Mei Bo Bi Jinshun Li Duoli Liu Sinan Han Zhengsheng 
supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60927006);the Major Projects of National Science and Technology
The performance of a LOCOS-isolated SOI MOSFET heavily depends on its back-gate characteristic, which can be affected by back-gate stress.A large voltage stress was applied to the back gate of SOI devices for at least...
关键词：BACK-GATE threshold voltage STRESS SILICON-ON-INSULATOR 
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