国家重点基础研究发展计划(2006CB302801)

作品数：8被引量：169H指数：5
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LED波长一致性和温度均匀性对背光源色差的影响被引量：7
《半导体光电》2010年第1期104-107,共4页刘煜原 罗毅 韩彦军 钱可元 
国家自然科学基金项目(60536020,60390074);国家“973”计划项目(2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家“863”计划项目(2006AA03A105);北京市自然科学基金重点项目(4091001);深圳市产学研和公共科技专项资助项目(SY200806300244A)
直下式动态三基色LED背光源具有色域广、寿命长、节能环保、对比度高等优势,但许多因素限制了其颜色的表现力。研究了LED波长一致性、背光温度均匀度两个因素对色差的影响,指出为使色差小于人眼所能分辨范围(CIE1976色坐标体系Δu′v′...
关键词：三基色LED 直下式动态背光源 色差 
AlGaN插入层对6H-SiC上金属有机物气相外延生长的GaN薄膜残余应力及表面形貌的影响被引量：3
《物理学报》2009年第10期7282-7287,共6页江洋 罗毅 席光义 汪莱 李洪涛 赵维 韩彦军 
国家自然科学基金(批准号:60536020;60723002);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302801;2006CB302804;2006CB302806;2006CB921106);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A105);北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~
研究了具有不同台阶数目的AlGaN插入层对在6H-SiC衬底上利用金属有机物气相外延(MOVPE)生长的GaN体材料残余应力和表面形貌的影响.高分辨率X射线衍射测试表明样品的c轴晶格常数随台阶数目的增多而增大;低温光荧光谱中GaN发光峰也随着台...
关键词：残余应力 表面形貌 SIC衬底 AlGaN插入层 
柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响被引量：7
《物理学报》2009年第5期3468-3473,共6页江洋 罗毅 汪莱 李洪涛 席光义 赵维 韩彦军 
国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002);国家重点基础研究发展计划“973”(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家高技术研究发展计划“863”(批准号:2006AA03A105);北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~
在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断...
关键词：蓝宝石图形衬底 氮化镓 发光二极管 侧向生长 
半导体照明中的非成像光学及其应用被引量：85
《中国激光》2008年第7期963-971,共9页罗毅 张贤鹏 王霖 杨毅 胡飞 钱可元 韩彦军 李旭亮 张志海 邓国强 
国家自然科学基金(60536020,60723002);国家973计划(2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家863计划(2006AA03A105);北京市科委重大计划(D0404003040321)资助项目
以GaN基功率型发光二极管(LED)为代表的半导体照明光源,具有其他传统光源无法比拟的诸多优点,被公认为21世纪最有价值的新型光源。充分发挥功率型LED的优势,利用非成像光学进行面向实际应用的功率型LED封装光学系统设计,以高端半导体照...
关键词：半导体照明 非成像光学 氮化镓 发光二极管 
AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响被引量：3
《物理学报》2008年第11期7238-7243,共6页席光义 任凡 郝智彪 汪莱 李洪涛 江洋 赵维 韩彦军 罗毅 
国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002);国家重点基础研究发展计划“973”(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家高技术研究发展计划“863”(批准号:2006AA03A105);北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~
利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 电流崩塌 坑状缺陷 位错缺陷 
大功率LED结温测量及发光特性研究被引量：55
《光电子．激光》2008年第3期289-292,299,共5页费翔 钱可元 罗毅 
国家自然科学基金资助项目(60536020,60390074);国家重点基础研究发展计划“973”资助项目(2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806);国家高技术研究发展计划“863”资助项目(2006AA03A105);北京市科委重大计划资助项目(D0404003040321)
介绍了基于正向电压法原理自行研制的大功率LED结温测试系统,结温定量测量精度可达±0.5℃。利用该系统对不同芯片结构与不同封装工艺的大功率LED热阻进行了测量比较,并对不同结温的大功率LED发光特性进行了研究。结果表明,不同结构芯...
关键词：结温 大功率LED 光辐射功率 光效 
应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究
《红外与毫米波学报》2007年第5期344-348,共5页张明俊 孙长征 蔡鹏飞 熊兵 罗毅 
国家自然科学基金(60536020;60390074);"973"重大国家基础研究计划(2006CB302801)
针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围....
关键词：阻抗匹配 Ta2N薄膜 接触电阻 比接触电阻率 
窄线宽半导体激光器件被引量：10
《红外与激光工程》2007年第2期147-151,共5页罗毅 黄缙 孙长征 
国家自然科学基金资助项目(60536020);国家重点基础研究发展计划"973"资助项目(2006CB302801)
分布反馈半导体激光器的线宽一般较大,难以满足光纤传感等领域的要求。根据C.H.Henry于1982年提出的半导体激光器的线宽理论,通过适当设计DFB半导体激光器的腔长、耦合系数、微分增益、光限制因子,能有效地减小激光器的线宽。同时,空间...
关键词：窄线宽 DFB激光器 DBR激光器 外腔激光器 
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