国家自然科学基金(61076012)

作品数：5被引量：8H指数：2
导出分析报告
相关作者：于彤军钟灿涛张国义陶岳彬更多>>
相关机构：北京大学更多>>
相关期刊：《Chinese Physics B》《光谱学与光谱分析》《Science Bulletin》《Rare Metals》更多>>
相关主题：EFFICIENCYMOCVD生长GAN-BASEDALGAN光电子材料更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程自然科学总论更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
GaN-based substrates and optoelectronic materials and devices被引量：4
《Chinese Science Bulletin》2014年第12期1201-1218,共18页Guoyi Zhang Bo Shen Zhizhong Chen Xiaodong Hu Zhixin Qin Xinqiang Wang Jiejun Wu Tongjun Yu Xiangning Kang Xingxing Fu Wei Yang Zhijian Yang Zhizhao Gan 
supported by the National Key Basic R&D Project of China(TG2011CB301900 and TG2012CB619304);the project of National High Technology of China(2011AA03A103);the National Natural Science Foundation of China(61076012 and60876063);the Beijing Municipal Science & Technology Commission(D111100001711002)
In order to solve the problems of GaN heteroepitaxy on sapphire substrate,some techniques were explored.Freestanding GaN substrates have been made by hydride vapor phase epitaxy(HVPE),laser lift-off(LLO),and chemical ...
关键词：ALGAN 蓝宝石衬底 光电子材料 MOCVD生长 氢化物气相外延 激光二极管 垂直结构 器件 
Growth of N-polar GaN on vicinal sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition
《Rare Metals》2014年第6期709-713,共5页Can-Tao Zhong Guo-Yi Zhang 
financially supported by the National Basic Research Program of China (Nos. 2012CB619303 and 2012CB619304);the National Natural Science Foundation of China (Nos. 11023003, 10990102, 11174008 and 61076012);the National High Technology Research & Development Project of China (No. 2011AA03A103)
The growth and properties of N-polar Ga N layers by metal organic chemical vapor deposition（MOCVD） were reported. It is found that N-polar Ga N grown on normal sapphire substrate shows hexagonal hillock surface morp...
关键词：GAN N-polarity Metal organic chemical vapor deposition 
InGaN／GaN多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性被引量：1
《光谱学与光谱分析》2014年第2期327-330,共4页代爽 于彤军 李兴斌 袁刚成 路慧敏 
国家重点基金研究项目(2011CB301900,2013CB328705);国家高科技研究发展计划项目(2011AA03A103);国家自然科学基金项目(61076012,61076013,61204054,61275052)资助
系统地研究了小注入电流(<4mA)下InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管的发光光谱特性在老化过程中的变化。对比老化前后的电致发光(EL)光谱,发现在注入电流1mA下的峰值波长(peak wavelength)和半高宽(FWHM)随老化时间增加而减小,变化...
关键词：INGAN GaN多量子阱蓝光发光二极管 老化 电致发光谱 极化电场 
Improvement of doping efficiency in Mg-Al_(0.14)Ga_(0.86)N/GaN superlattices with AlN interlayer by suppressing donor-like defects被引量：1
《Chinese Physics B》2012年第11期402-407,共6页刘宁炀 刘磊 王磊 杨薇 李丁 李磊 曹文彧 鲁辞莽 万成昊 陈伟华 胡晓东 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61076012,61076013,and 51102003);the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2007AA03Z403);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education,China (Grant No. 20100001120014);the National Basic Research Program of China (Grant No. 2012CB619304)
We investigate the mechanism for the improvement of p-type doping efficiency in Mg-Al0.14Ga0.86N/GaN super- lattices （SLs）. It is shown that the hole concentration of SLs increases by nearly an order of magnitude, f...
关键词：SUPERLATTICE doping efficiency strain modulation nitrogen vacancy 
图形化蓝宝石衬底上InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性研究被引量：2
《光谱学与光谱分析》2012年第1期7-10,共4页颜建 钟灿涛 于彤军 徐承龙 陶岳彬 张国义 
国家重点基础研究发展计划项目(2011CB301904,2011CB301905);国家高技术研究发展计划项目(2009AA03A198);国家自然科学基金项目(61076012,61076013)资助
运用电致发光(EL)和光致发光(PL)实验,分析了图形化蓝宝石衬底(PSSLEDs)和常规平面蓝宝石衬底(C-LEDs)InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性。对比EL谱,发现PSSLEDs拥有更强的光功率和更窄的半峰宽(FWHM),说明PSSLEDs具有较高的晶体...
关键词：图形化蓝宝石衬底发光二极管 峰值波长 极化场 EFFICIENCY droop 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部