浙江省科技计划项目(2009C21G2040066)

作品数：4被引量：9H指数：1
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相关作者：张海鹏齐瑞生王德君张帆陈波更多>>
相关机构：杭州电子科技大学大连理工大学杭州汉安半导体有限公司更多>>
相关期刊：《微电子学》《电讯技术》《电力电子技术》《科技通报》更多>>
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4H-SiC TPJBS二极管器件结构和器件仿真被引量：2
《电力电子技术》2011年第9期35-37,共3页张海鹏 齐瑞生 王德君 王勇 
浙江省科技计划项目资助(2009C21G2040066)~~
4H-SiC JBS器件具有通态电压较高、泄漏电流较大、静态功耗较高等缺点。为探索改善这些缺点的理论方法和技术途径,提出一种沟槽P型PN结肖特基势垒复合4H-SiC二极管。采用Silvaco TCAD对该器件的正向导通特性和反向阻断特性进行仿真,仿...
关键词：碳化硅 功率器件 电学特性 器件仿真 
SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展
《微电子学》2011年第3期461-464,478,共5页苏步春 张海鹏 王德君 
国家自然科学基金资助项目(60306003);浙江省科技计划资助项目(2009C21G2040066)
概述了绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管(SOI LIGBT)抗闩锁结构的改进历程,介绍了从早期改进的p阱深p+欧姆接触SOI LIGBT结构到后来的中间阴极SOI LIGBT、埋栅SOILIGBT、双沟道SOI LIGBT、槽栅阳极短路射频SOI LIGBT等改进结构;阐述了一...
关键词：绝缘层上硅 横向绝缘栅双极晶体管 闩锁效应 
双槽栅SOI LDMOS器件结构及其制造方法研究被引量：1
《科技通报》2011年第2期258-262,267,共6页许生根 张海鹏 齐瑞生 陈波 
863计划资助项目(AA09Z239);浙江省科技计划资助项目(2009C21G2040066)
提出了一种具有双槽栅(DTG)SOI LDMOS新结构及其制造方法。与单槽栅(STG)SOI LDMOS相比,DTG SOI LDMOS具有更高的击穿电压,更低的通态电阻,更高的跨导。通过Silvaco TCAD对该结构进行了工艺仿真和器件电学特性模拟,结果表明DTG SOI LDMO...
关键词：微电子学与固体电子学 双槽栅 SOI LDMOS 电学特性 制造方法 
一种电子货架标签系统(ESLS)的设计被引量：6
《电讯技术》2010年第12期95-100,共6页张帆 张海鹏 
浙江省科技计划资助项目(2009C21G2040066)~~
针对目前商业领域纸质标签的信息更新滞后、手工更换效率低、易出错等缺点,采用自顶向下设计方法设计了一种基于有源远距离RFID技术的电子货架标签系统。该设计集计算机控制、远程收发、微功耗设计特性为一体,辅以完善的应用系统设计。...
关键词：无线传感器网络 电子货架标签系统 射频识别 射频收发器 POS通信模块 读写器 
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