云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(2012CB933503)

国家重点基础研究发展计划(2012CB933503): 作品数：10被引量：59H指数：4; 导出分析报告; 相关作者：陈松岩李成王尘赖虹凯黄巍更多>>; 相关机构：厦门大学中国科学院闽江学院华侨大学更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《物理学报》《激光与光电子学进展》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关主题：PHOTODETECTOR光电探测器硅基半导体光电器件调制器更多>>; 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>

Gate-dependent photoresponse in self-assembled graphene p–n junctions: 《Chinese Physics B》2015年第6期603-606,共4页尹伟红王玉冰韩勤杨晓红; Project supported by the High Technology Research and Development Program of China(Grant No.2013AA031401);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61176053,61274069,and 61435002);the National Basic Research Program,China(Grant No.2012CB933503); The intrinsic photocurrent generation mechanism of a self-assembled graphene p-n junction operating at 1.55 ~tm is investigated experimentally. It is concluded that both a photovoltage effect and a photothermoelectric...; 关键词：GRAPHENE PHOTODETECTOR PHOTOVOLTAGE photothermoelectric

硅基锗薄膜选区外延生长研究被引量：5: 《物理学报》2015年第12期407-411,共5页汪建元王尘李成陈松岩; 国家自然科学基金(批准号:61474094);国家重点基础研究发展计划(批准号:2012CB933503)资助的课题~~; 利用超高真空化学气相沉积系统,基于低温Ge缓冲层和选区外延技术,在Si/Si O2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜.采用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼散射光谱等表征了其晶体质量和应变等参数随图形尺寸的变化规律.测试结果显示,...; 关键词：超高真空化学气相沉积选区外延锗

A high-speed avalanche photodiode被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2014年第7期73-77,共5页李彬杨晓红尹伟红吕倩倩崔荣韩勤; supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61176053,61274069);the National Key Basic Research and Development Program of China(No.2012CB933503);the National High Technology Research and Development Program of China(Nos.2012AA012202,2013AA031401); High-speed avalanche photodiodes are widely used in optical communication systems. Nowadays, separate absorption charge and multiplication structure is widely adopted. In this article, a structure with higher speed th...; 关键词：avalanche photodiodes PHOTODETECTOR high speed

SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成被引量：5: 《激光与光电子学进展》2014年第11期18-27,共10页崔荣杨晓红吕倩倩尹冬冬尹伟红李彬韩勤; 国家973计划(2012CB933503);国家863计划(2012AA012202;2013AA013401);国家自然科学基金(61274069;61176053); 成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III^V族半导体材料。综述了近期III^V族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP...; 关键词：探测器 InGaAs/InP光电探测器 SOI(silicon-on-insulator)波导键合技术倏逝波耦合

Design and fabrication of a high-performance evanescently coupled waveguide photodetector被引量：1: 《Chinese Physics B》2013年第10期614-618,共5页刘少卿杨晓红刘宇李彬韩勤; Project supported by the High Technology Research and Development Program of China (Grant Nos.2012AA012202 and 2013AA031401);the National Basic Research Program of China (Grant No.2012CB933503);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos.61176053,61274069,and 61021003); In this paper, we present the design, fabrication, and measurement of an evanescently coupled waveguide photode- tector operating at 1.55 gm, which mainly comprises a diluted waveguide, a single-mode rib waveguide and...; 关键词：HIGH-PERFORMANCE diluted waveguide evanescent coupling waveguide photodiode

硅基硒纳米颗粒的发光特性研究: 《物理学报》2013年第17期469-474,共6页潘书万陈松岩周笔黄巍李成赖虹凯王加贤; 华侨大学科研基金(批准号:12BS226);福建省自然科学基金(批准号:2012J01277,2012J01284);国家重点基础研究发展计划(批准号:2012CB933503);国家自然科学基金(批准号:61036003,61176050,61176092,60837001);福建省教育厅基金项目(A类)(批准号:JA12270)资助的课题~~; 由于尺寸缩小引起的量子效应,硒(Se)材料的低维纳米结构具有更高的光响应和低的阈值激射等特性,因此成为纳米电子与纳米光电子器件领域一个重要的研究方向.本文通过对非晶硒薄膜的快速热退火来制备硒纳米颗粒,退火温度在100—180 C之间...; 关键词：硅基硒纳米颗粒光致发光施主-受主对

金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析被引量：2: 《物理学报》2013年第16期344-348,共5页严光明李成汤梦饶黄诗浩王尘卢卫芳黄巍赖虹凯陈松岩; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2012CB933503;2013CB632103);国家自然科学基金(批准号:61036003;61176092);中央高校基本科研业务费(批准号:2010121056)资助的课题~~; 金属与Ge材料接触时界面处存在着强烈的费米钉扎效应,尤其与n型Ge形成的欧姆接触的比接触电阻率高,是制约Si基Ge器件性能的关键因素之一.本文对比了分别采用金属Al和Ni与Si衬底上外延生长的p型Ge和n型Ge材料的接触特性.发现在相同的较...; 关键词：金属与Ge接触性质 NiGe 比接触电阻率

基于石墨烯的半导体光电器件研究进展被引量：38: 《物理学报》2012年第24期585-596,共12页尹伟红韩勤杨晓红; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2012CB933503);国家高技术研究发展计划(批准号:2012AA012202);国家自然科学基金(批准号:61274069;61176053;61021003)资助的课题~~; 石墨烯自从被发现以来,由于其零带隙、低电导率、常温下的高电子迁移率及量子霍尔效应和独特的光吸收等优良特性,引发了世界各国科研人员的重视,研究人员对其物理性质及应用的研究越来越多并且进展迅速.本文以光纤通信用光电器件中的探...; 关键词：石墨烯光电探测器调制器半导体光电器件

Wet thermal annealing effect on TaN/HfO_2/Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with and without a GeO_2 passivation layer被引量：3: 《Chinese Physics B》2012年第11期467-473,共7页刘冠洲李成路长宝唐锐钒汤梦饶吴政杨旭黄巍赖虹凯陈松岩; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61176092,61036003,and 60837001);the National Basic Research Program of China (Grant No. 2012CB933503);the Ph.D. Program Foundation of Ministry of Education of China (Grant No. 20110121110025);the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China (Grant No. 2010121056); Wet thermal annealing effects on the properties of TaN/HfO2/Ge metal-oxide-semiconductor （MOS） structures with and without a GeO2 passivation layer are investigated. The physical and the electrical properties are ch...; 关键词：HfO2 dielectric on germanium X-ray photoemission spectroscopy wet thermal anneal-ing metal-oxide semiconductor capacitor

采用Al/TaN叠层电极提高Si基Ge PIN光电探测器的性能被引量：4: 《物理学报》2012年第18期355-360,共6页吴政王尘严光明刘冠洲李成黄巍赖虹凯陈松岩; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2012CB933503);国家自然科学基金(批准号:61036003;61176092);中央高校基本科研业务费(批准号:2010121056);教育部博士项目基金(批准号:201101211 10025)资助的课题~~; 金属与Ge材料接触由于存在强烈的费米钉扎效应,导致金属电极与n型Ge接触引入较大的接触电阻,限制了Si基Ge探测器响应带宽.本文报道了在SOI衬底上外延Ge单晶薄膜并制备了不同台面尺度的Ge PIN光电探测器.对比了电极分别为金属Al和Al/TaN...; 关键词：Al/TaN 接触电阻 Ge PIN光电探测器高频特性

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