云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60866001)

国家自然科学基金(60866001): 作品数：23被引量：39H指数：5; 导出分析报告; 相关作者：丁召罗子江周勋郭祥王继红更多>>; 相关机构：贵州大学贵州师范大学贵州财经大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《材料导报》《真空科学与技术学报》《功能材料》更多>>; 相关主题：STMRHEEDGAASMBEINGAAS更多>>; 相关领域：理学电子电信自然科学总论更多>>

GaAs(001)-(2×6)重构下的表面形貌及其重构原胞被引量：1: 《功能材料》2016年第4期147-151,156,共6页周勋罗子江王继红郭祥丁召; 国家自然科学基金资助项目(60866001);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2014]2046号;[2013]2114号);贵州师范大学2012年博士基金资助项目([2012]001号);贵州省教育厅自然科学研究资助项目(黔教合KY字(2014)265号); 采用RHEED与STM技术对GaAs(001)-(2×6)表面重构下的表面形貌进行研究,研究发现GaAs(001)-(2×6)重构表面是GaAs(001)-β2(2×4)重构表面经530℃,1.33μPa As BEP退火获得,在(2×6)重构下的GaAs(001)表面形貌已经进入表面存在系列单层...; 关键词：GaAs(001)-(2×6)重构表面形貌 As覆盖率重构原胞

不同应力下的In_xGa_(1-x)As薄膜表面形貌被引量：1: 《材料导报》2015年第2期21-23,37,共4页郭祥王一魏文喆黄梦雅赵振王继红胡明哲丁召; 国家自然科学基金(60866001);教育部博士点基金(20105201110003);贵州省自然科学基金(20132092;黔科合J字[2014]2046号); 利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控InGaAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长In0.86Ga0.14As,在GaAs(001)基片上生长In0.14Ga0.86As(厚度均为20原子层)单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后的InGaAs样品进行扫...; 关键词：MBE INGAAS 表面形貌

GaAs(001)表面预粗糙化过程中的临界减慢被引量：1: 《功能材料》2014年第11期11105-11109,共5页罗子江周勋王继红郭祥丁召; 国家自然科学基金资助项目(60866001);教育部博士点基金资助项目(20105201110003);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2011]2095号;黔科合J字[2013]2114号;黔科合J字[2013]2092号);2013年度贵州财经大学引进人才科研资助项目(2013YJ009); 通过对于GaAs表面形貌在特定As BEP(1.33μPa)、不同温度(570,560,550,540和530℃)下相变过程研究,发现随着温度的降低GaAs预粗糙化过程发生了不同程度的迟滞,在温度降至530℃附近时,延迟现象尤其明显,并且当温度远低于530℃时(As BEP 1...; 关键词：临界减慢 GaAs薄膜预粗糙化临界温度

GaAs(001)薄膜表面形貌相变过程被引量：2: 《功能材料》2014年第9期88-91,共4页罗子江周勋王继红郭祥王一魏文喆丁召; 国家自然科学基金资助项目(60866001);教育部博士点基金资助项目(20105201110003);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2011]2095号;黔科合J字[2013]2114号);贵州省留学人员科技资助项目(Z103233); 采用STM以及RHEED技术对于GaAs(001)的表面形貌相变过程(有序平坦→无序平坦→粗糙)进行了深入研究。通过GaAs(001)在不同As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因,高温引起...; 关键词：STM GaAs薄膜形貌相变表面重构 AsBEP

GaAs(001)表面重构: 《材料导报》2014年第9期15-19,29,共6页罗子江周勋王继红郭祥丁召; 国家自然科学基金(60866001);教育部博士点基金(20105201110003);贵州师范大学2012年博士基金;贵州省科学技术基金(黔科合J字[2011]2095号);贵州大学青年教师科研基金(2012年001号);2013年度贵州财经大学引进人才科研项目; GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点。重点回顾了几十年来研究者们对于GaAs(001)表面重构的研究成果,结合所在实验室最近的实验数据,对GaAs(001)表面重构的相关...; 关键词：RHEED STM GAAS(001) 表面重构

An application of half-terrace model to surface ripening of non-bulk GaAs layers被引量：1: 《Chinese Physics B》2014年第4期492-495,共4页刘珂郭祥周清张毕禅罗子江丁召; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.60866001);the Doctorate Foundation of the Education Ministry of China(Grant No.20105201110003); In order to predict the actual quantity of non-bulk GaAs layers after long-time homoepitaxy on GaAs （001） by theo- retical calculation, a half-terrace diffusion model based on thermodynamics is used to calculate the...; 关键词：scanning tunneling microscopy III-V semiconductors ANNEALING diffusion in nanoscale solids

GaAs(001)-(2×4)重构下的表面形貌被引量：4: 《真空科学与技术学报》2014年第4期426-431,共6页罗子江周勋王继红郭祥丁召; 国家自然科学基金资助项目(60866001);教育部博士点基金资助项目(20105201110003);贵州师范大学2012年博士基金项目;贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2011]2095号;[2013]2114号);贵州财经大学引进人才科研项目(2013YJ004);贵州省留学人员科技项目(Z103233);贵州大学青年教师科研基金项目2012年001号; 采用反射高能电子衍射仪与扫描隧道显微镜技术对GaAs(001)-(2×4)表面重构下的表面形貌进行深入研究,获得GaAs(001)薄膜处于不同(2×4)表面重构时的表面形貌。研究发现当GaAs(001)表面处于β2(2×4)时,经过精确控制薄膜的生长、退火以...; 关键词：GaAs薄膜 (2×4)表面重构表面形貌 As二聚体

恒力场下粒子一维运动问题的求解: 《大学物理》2014年第1期22-24,共3页王一黄梦雅魏文喆丁召; 国家自然科学基金(60866001);教育部博士点基金(2010520111003)资助; 利用动量表象与坐标表象的等价性,本文采用了动量表象和路径积分的方法计算了恒力场下一维运动粒子的传播函数,然后再将其转换为坐标表象下的传播函数.提出了一种路径积分的解法思路,展示了动量表象在解决恒力场下粒子一维运动问题的价值.; 关键词：动量表象恒力场路径积分

InAs(001)吸附表面的不可逆重构相变研究: 《真空科学与技术学报》2013年第12期1266-1269,共4页郭祥周勋罗子江王继红周清刘珂丁召; 国家自然科学基金资助项目(60866001);贵州师范大学2012博士基金项目;教育部博士点基金资助项目(20105201110003);贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(黔省专合字(2009)114号);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2011]2095号);贵州省留学人员科技项目(Z103233); 对吸附了大量As的InAs（001）样品进行升降温热处理，发现在485℃时表面有从（3×1）重构到（2×4）重构的不可逆转变现象。利用扫描隧道显微镜对（3X1）重构表面分析，结果表明大量常温吸附的As从表面脱附使InAs（001）（2×4）重构表...; 关键词：扫描隧道是微镜InAs(001) 重构不可逆相变

InAs(001)表面脱氧动力学分析: 《物理学报》2013年第22期351-357,共7页魏文喆郭祥刘珂王一罗子江周清王继红丁召; 国家自然科学基金(批准号:60866001);教育部博士点基金(批准号:20105201110003)资助的课题~~; 利用反射式高能电子衍射(RHEED)实时监控对InAs衬底进行两步完全脱氧的过程,对比了有低(高)砷等效束流压强保护下采用两步法对InAs衬底缓慢长时间的高温脱氧过程.InAs衬底两步完全脱氧法的第一步为传统的缓慢升温脱氧方法,第二步为高温I...; 关键词：热分解 Ⅲ—Ⅴ族半导体反射式高能电子衍射

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