国家自然科学基金(61176082)

作品数：8被引量：25H指数：3
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相关机构：中国科学院中国科学院研究生院暨南大学中国科学院大学更多>>
相关期刊：《红外与激光工程》《红外与毫米波学报》《固体电子学研究与进展》《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》更多>>
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InAs基InAs/Ga(As)Sb Ⅱ类超晶格长波红外探测器湿法腐蚀研究（英文）被引量：3
《红外与毫米波学报》2019年第5期549-553,共5页吴佳 徐志成 陈建新 何力 
Supported by the National Natural Science Foundation of China(61534006,61974152,61505237,61505235,61404148,61176082);the National Key Research and Development Program of China(2016YFB0402403);the Youth Innovation Promotion Association,CAS(2016219)
开展了InAs基InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格长波红外探测器的湿法腐蚀工艺研究.选择的腐蚀液由柠檬酸、磷酸和过氧化氢组成,先后在InAs、GaSb体材料和InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格上进行了湿法腐蚀实验,分别获得了其最佳的腐蚀液组分及配比.使用...
关键词：In As/Ga(As) SB Ⅱ类超晶格 湿法腐蚀 表面形貌 
Growth mechanism and optical properties of InGaAs/GaAsSb Su-perlattice structures
《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》2015年第4期40-44,共5页JIN Chuan XU QingQing CHEN JianXin 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61176082);the National Basic Research Program of China(Grant No.2012CB619203)
In this paper,we report the growth of Ga As Sb and its crystalline property under various Sb2/As2 flux ratios and growth temperatures.We simulated the incorporation difference between Sb2 and As2 by using a non-equili...
关键词：GAASSB InGaAs/GaAsSb SUPERLATTICE PHOTOLUMINESCENCE 
320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器被引量：6
《红外与毫米波学报》2014年第6期598-601,共4页许佳佳 陈建新 周易 徐庆庆 王芳芳 徐志成 白治中 靳川 陈洪雷 丁瑞军 何力 
国家自然科学基金资助项目(61176082)
报道了320×256元In As/Ga SbⅡ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在Ga Sb衬底上生长超晶格材料,器件采用PBIN结构,红外吸收区结构为14 ML(In As)/7 ML(Ga Sb),焦平面阵列光敏元尺寸为27μm×27μm...
关键词：长波红外探测器 INAS/GASB Ⅱ类超晶格 焦平面阵列 
长波InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器被引量：11
《红外与毫米波学报》2013年第3期210-213,224,共5页周易 陈建新 徐庆庆 徐志成 靳川 许佳佳 金巨鹏 何力 
国家自然科学基金(61176082)~~
报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度...
关键词：InAs/GaSbⅡ类超晶格 长波12.5μm 暗电流 
四层结构模型下的InAs/GaSb超晶格材料能带计算被引量：3
《红外与毫米波学报》2013年第1期13-17,72,共6页周易 陈建新 何力 
国家自然科学基金(61176082)~~
在包络函数近似下采用K.P理论计算了InAs/Ga(In)Sb Ⅱ类超晶格材料的能带结构.同时,计算了超晶格材料的电子有效质量和空穴有效质量,以及不同的结构对应的吸收系数.在此基础上使用了考虑包括界面在内的四层超晶格模型进行能带计算,并与...
关键词：Ⅱ类超晶格 包络函数近似 能带计算 
128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器被引量：3
《红外与毫米波学报》2012年第6期501-504,共4页许佳佳 金巨鹏 徐庆庆 徐志成 靳川 周易 陈洪雷 林春 陈建新 何力 
国家自然科学基金(61176082)~~
报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×40μm.通过台面形...
关键词：长波红外探测器 InAs GASB Ⅱ类超晶格 焦平面阵列 
半导体异质结中的实空间转移
《固体电子学研究与进展》2012年第5期411-418,共8页靳川 陈建新 陈振强 
国家自然科学基金资助项目(61176082)
实空间转移的机理不同于k空间转移,因而受到了广泛关注。实空间转移效应的器件是一种新型的半导体器件,有众多其它器件达不到的优点,如响应时间可达到ps级别、可以实现负阻效应等。为深入的理解半导体异质结中的实空间转移对实空间转移...
关键词：实空间转移 负阻效应 量子效应 
InAs/GaSbⅡ类超晶格中波红外探测器被引量：5
《红外与激光工程》2012年第1期7-9,42,共4页徐庆庆 陈建新 周易 李天兴 金巨鹏 林春 何力 
国家自然科学基金(61176082)
InAs/GaSb II类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器,其优越性表现在高量子效率和高工作温度,以及良好的均匀性和较低的暗电流密度,因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能。通过优化...
关键词：INAS/GASB 超晶格 红外探测器 分子束外延 
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