云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家教育部博士点基金(20050700006)

国家教育部博士点基金(20050700006): 作品数：10被引量：13H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：高勇刘静马丽王彩琳黄媛媛更多>>; 相关机构：西安理工大学更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《电子学报》《物理学报》《电子器件》更多>>; 相关主题：功率二极管SIGEC快速软恢复硅锗漏电流更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

超低漏电流超快恢复SiGeC功率二极管研究被引量：1: 《电子学报》2009年第11期2525-2529,共5页刘静高勇; 国家自然科学基金(No.50477012);高等学校博士学科点专向科研基金(No.20050700006); 提出一种超低漏电流超快恢复SiGeC p-i-n二极管结构.基于异质结电流输运机制,该SiGeC二极管实现了低通态压降下高电流密度的传输,改善了二极管的反向恢复特性,同时具有较低的反向漏电流.与少子寿命控制技术相比,该器件有效协调了降低通...; 关键词：硅锗碳超低漏电流超快恢复热稳定性

半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管被引量：7: 《物理学报》2009年第1期529-535,共7页马丽高勇; 国家自然科学基金(批准号:50477012);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050700006);陕西省教育厅专项科研计划(批准号:05JK268)资助的课题~~; 将SiGe材料的优异性能与半超结结构的优势相结合,提出了一种半超结SiGe功率二极管,可适应高频化电力电子电路对功率二极管低通态压降、高击穿电压、较小的反向漏电流以及快而软的反向恢复特性的要求,显著提高器件的各种特性.; 关键词：半超结硅锗二极管高压快速软恢复

应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性研究被引量：3: 《西安理工大学学报》2008年第4期385-389,共5页刘静高勇黄媛媛; 国家自然科学基金资助项目(50477012);高等学校博士学科点专向科研基金资助项目(20050700006);西安理工大学优秀博士学位论文研究基金资助项目; SiGe SOI p-MOSFET在高频、高速、低功耗、抗辐射方面具有极大的优势。但二氧化硅埋层较低的热导率以及SiGe材料较低的热稳定性,使器件内部自加热效应的减弱或消除成为提高器件温度特性的关键因素。对应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性机...; 关键词：自加热效应热稳定性驱动电流

Research on reverse recovery characteristics of SiGeC p-i-n diodes被引量：1: 《Chinese Physics B》2008年第12期4635-4639,共5页高勇刘静杨媛; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 50477012);the Foundation of Excellent Doctoral Dissertation of Xi’an University of Technology and the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (Grant No 20050700006); This paper analyses the reverse recovery characteristics and mechanism of SiGeC p-i-n diodes. Based on the integrated systems engineering （ISE） data, the critical physical models of SiGeC diodes are proposed. Based ...; 关键词：SIGEC softness factor THERMAL-STABILITY lifetime control

SiGeC/Si异质结二极管特性分析与优化设计: 《固体电子学研究与进展》2008年第4期621-626,共6页刘静高勇王彩琳马丽; 国家自然科学基金资助项目(50477012);高等学校博士学科点专向科研基金资助项目(20050700006);西安理工大学优秀博士学位论文研究基金资助; 基于异质结理论,提出了一种新型p+(SiGeC)-n--n+异质结功率二极管结构。分析了C对SiGe合金的应变补偿作用的物理机理。利用MEDICI模拟、对比分析了C的引入对器件电特性的影响,并针对不同Ge/C组分比进行优化设计。结果表明:在SiGe/Si功...; 关键词：硅锗碳功率二极管临界值漏电流

薄膜全耗尽应变Si SOI MOSFET特性模拟与优化分析(英文)被引量：1: 《电子器件》2008年第3期859-863,共5页刘静高勇王彩琳黄媛媛; 国家自然科学基金资助(50477012);高等学校博士学科点专向科研基金资助项目(20050700006); 研究了应变Si沟道引入对薄膜全耗尽SOI MOSFET器件特性的影响,并分析了器件特性改进的物理机理。与传统的SOI MOSFET结构相比,器件的驱动电流和峰值跨导都有明显提高,对n-FET分别为21%和16.3%,对p-FET为14.3%和10%。应变Si沟道的引入还...; 关键词：应变硅全耗尽驱动电流功耗

SiGeC异质结功率二极管通态特性研究: 《固体电子学研究与进展》2008年第3期455-459,共5页马丽高勇刘静王彩琳; 国家自然科学基金(50477012);高等学校博士学科点专项科研基金(20050700006);陕西省教育厅专项科研计划资助(05JK268); 研究了一种大功率低功耗p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管结构,分析了Ge、C含量对器件正向通态特性的影响。结果表明:与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000 A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降有明显的降低。当...; 关键词：硅锗碳/硅异质结功率二极管正向通态特性大功率低功耗

快速软恢复SiGe功率开关二极管的结构设计与特性分析: 《电子器件》2007年第4期1255-1257,1265,共4页马丽高勇刘静余明斌; 国家自然科学基金资助(50477012);陕西省教育厅专项科研项目资助(05JK268);高等学校博士学科点专项科研基金资助(20050700006); 为了进一步提高SiGe/Si异质结功率开关二极管的性能,提出了一种SiGe功率开关二极管的新结构,用交替的p+、n+区形成的mosaic结构来代替原常规的n+区,关断时可同时为电子和空穴的抽取提供通道使阴极具有理想欧姆接触.该结构可大大提高开...; 关键词：SIGE/SI异质结功率二极管快速软恢复低漏电流

大功率低功耗快速软恢复SiGeC功率开关二极管被引量：1: 《物理学报》2007年第12期7236-7241,共6页马丽高勇刘静王彩琳; 国家自然科学基金(批准号:50477012);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050700006);陕西省教育厅专项科研计划(批准号:05JK268)资助的课题.~~; 为满足电力电子电路对功率开关二极管高频化的发展要求,提出了一种大功率低功耗快速软恢复p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管.与常规的Sip-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降减少了约1/5,...; 关键词：快速软恢复大功率低功耗 SiGeC/Si异质结功率二极管

A Novel Ideal Ohmic Contact SiGeC/Si Power Diode with Graded Doping Concentration: 《Journal of Semiconductors》2007年第3期342-348,共7页刘静高勇杨媛王彩琳; 国家自然科学基金(批准号:50477012);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050700006);西安理工大学优秀博士学位论文研究基金资助项目; A novel structure of ideal ohmic contact p^＋（SiGeC）-n^- -n^＋ diodes with three-step graded doping concentration in the base region is presented, and the changing doping concentration gradient is also optimized. U...; 关键词：SiGeC/Si heterojunction power diodes reverse blocking voltage ohmic contact

国家教育部博士点基金(20050700006)