云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 北京市自然科学基金(4092007)

北京市自然科学基金(4092007): 作品数：11被引量：21H指数：4; 导出分析报告; 相关作者：徐晨沈光地解意洋刘英明王宝强更多>>; 相关机构：北京工业大学中国科学院教育部更多>>; 相关期刊：《红外与激光工程》《物理学报》《Journal of Semiconductors》《Chinese Physics B》更多>>; 相关主题：光子晶体ALGAINP垂直腔面发射激光器二维光子晶体LIGHT-EMITTING_DIODES更多>>; 相关领域：电子电信理学动力工程及工程热物理天文地球更多>>

质子注入能量对垂直腔面发射激光器的阈值和功率的影响被引量：5: 《物理学报》2012年第21期249-252,I0003,共5页毛明明徐晨魏思民解意洋刘久澄许坤; 国家高技术研究发展计划(批准号:2008AA03Z402);国家自然科学基金(批准号:61076044);北京市自然科学基金(批准号:4092007;4102003;4112006)资助的课题~~; 文章研究了如何兼顾质子注入型垂直腔面发射激光器的功率和阈值性能.从模拟和实验两方面分析了质子注入能量与器件功率和阈值特性的关系.发现注入能量过高时,损伤有源区,降低了功率性能.而能量过低则会减弱对注入电流的限制,增加阈值....; 关键词：质子注入能量垂直腔面发射激光器功率阈值

氧化孔形状对光子晶体垂直腔面发射激光器模式的影响被引量：4: 《物理学报》2012年第5期160-165,共6页刘发徐晨赵振波周康解意洋毛明明魏思民曹田沈光地; 国家高技术研究发展计划(863计划)(批准号:2008AA03Z402);北京市自然科学基金(批准号:4092007);国家自然科学基金(批准号:61076044)资助的课题~~; 用时域有限差分方法对氧化孔限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器(VCSEL)在小氧化孔下氧化孔形状对激光器模式特性的影响进行了模拟计算.建立了三维光子晶体面发射激光器光场计算模型,分析了氧化孔形状变化对器件远场特性与频率特...; 关键词：光子晶体垂直腔面发射激光器氧化孔时域有限差分

掩膜对GaAs基二维光子晶体ICP刻蚀效果的影响被引量：1: 《纳米技术与精密工程》2011年第3期279-282,共4页徐晨王宝强刘英明解意洋沈光地; 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA03Z402);北京市自然科学基金资助项目(4092007); 结合刻蚀GaAs基光子晶体在光子晶体垂直腔面发射激光器中的应用,研究了光刻胶、SiO2掩膜的特性以及对GaAs基二维光子晶体ICP刻蚀效果的影响,并分析了ICP刻蚀小尺寸光子晶体时,造成底面凹凸不平、侧壁粗糙、垂直度差的原因.最后,调整工...; 关键词：掩膜光子晶体感应耦合等离子体(ICP) GAAS

Absorption of photons in the thin film AlGalnP light emitting diode: 《Journal of Semiconductors》2011年第1期72-74,共3页高伟郭伟玲邹德恕蒋文静刘自可沈光地; Project supported by the Natural Science Foundation of Beijing(No.4092007);the National High Technology Research and Development Program of China(Nos.2008AA03Z402,2009AA03A1A3); The path of photons in the thin film （TF） light emitting diode （LED） was analyzed. The reflectivity of reflector in AlGaInP TF LED with and without the AlGaInP layer was contrasted. The absorption of the AlGaInP l...; 关键词：LED ALGAINP thin film

Thin film AlGaInP light emitting diodes with different reflectors: 《Journal of Semiconductors》2010年第12期80-82,共3页高伟郭伟玲邹德恕秦圆蒋文静沈光地; Project supported by the Natural Science Foundation of Beijing,China(No.4092007);the National High Technology Research and Development Program of China(Nos.2008AA03Z402,2009AA03A1A3); The reflectivity versus incident angle of a GaP/Au reflector, a GaP/SiO2/Au triple ODR （omni-directional reflector） and a GaP/ITO/Au triple ODR was calculated. Compared to A1GaInP LEDs with a GaAs absorbing substrat...; 关键词：LE ALGAINP ODR

Improved light extraction of wafer-bonded AlGalnP LEDs by surface roughening: 《Journal of Semiconductors》2010年第11期52-54,共3页刘自可高伟徐晨邹德恕秦园郭靖沈光池; Project supported by the Natural Science Foundation of Beijing,China(No.4092007);the National High Technology Research and Development Program of China(No.2008AA03Z402);the Doctoral Program Foundation of Beijing,China(No.X0002013200801);the Eighth BJUT Technology Fund for Postgraduate Students,China; By using the wafer bonding technique and wet etching process,a wafer bonded thin film AlGaInP LED with wet etched n-AlGaInP surfaces was fabricated.The morphology of the etched surface exhibits a pyramid-like feature....; 关键词：AlGalnP light-emitting diodes metal bonding surface roughening

Improving performances of ITO/GaP contact on AlGaInP light-emitting diodes: 《Chinese Physics B》2010年第9期559-563,共5页李春伟朱彦旭沈光地张勇辉秦园高伟蒋文静邹德恕; supported by the Natural Science Foundation of Beijing,China (Grant No.4092007);the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No.2008AA03Z402);the Doctoral Program Foundation of Beijing,China(Grant No.X0002013200801);the Seventh BJUT Technology Fund for postgraduate students,China; In this paper AlGaInP light emitting diodes with different types of electrodes： Au/Zn/Au-ITO Au/Ti-ITO Au/Ge/Ni-ITO and Au-ITO are fabricated. The photoelectricity properties of those LEDs are studied. The results sh...; 关键词：Ohmic contact TUNNELING light emitting diode Zn/Au-ITO/Zn

表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究被引量：4: 《物理学报》2010年第11期8083-8087,共5页陈依新郑婉华陈微陈良惠汤益丹沈光地; 国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121;2008AA03Z402);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902;2006CB921705);北京市自然科学基金(批准号:4092007)资助的课题~~; 近年来,GaN基光子晶体发光二极管(light emitting diode,LED)的研究已经取得了一定的进展,利用光子晶体的光子带隙效应和光栅衍射原理,在LED上制作光子晶体结构将会提高出光效率.本文为了提高AlGaInP系LED的光提取效率,分析了常规LED光...; 关键词：AlGaInP系LED 光子晶体光提取效率光强

光子晶体垂直腔面发射激光器的电流分布研究被引量：4: 《物理学报》2010年第12期8542-8547,共6页王宝强徐晨刘英明解意洋刘发赵振波周康沈光地; 国家高技术研究发展计划(批准号:2008AA03Z402);北京市自然科学基金(批准号:4092007)资助的课题~~; 对氧化限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器注入到有源区的电流密度分布进行了分析研究.提出三维电流分布计算模型,研究了光子晶体结构对电流密度分布和器件串联电阻的影响.研究发现,光子晶体孔刻蚀深度越深,电流分布圆对称性越差,...; 关键词：光子晶体垂直腔面发射激光器电流分布

二维光子晶体对面发射激光器横模控制研究被引量：4: 《红外与激光工程》2010年第3期460-463,共4页解意洋徐晨阚强王春霞王宝强刘英明陈弘达沈光地; 国家高技术研究发展计划资助项目(2008AA03Z402;2009AA03ZA12);国家重点基础研究发展计划资助项目(2009CB320300);国家自然科学基金资助项目(60807010;60736037;60887030);北京市自然科学基金资助项目(4092007); 垂直腔面发射激光器的单模输出特性在光网络数据传输光互连、光存储和激光打印中有重要的应用。传统的氧化限制型垂直腔面发射半导体激光器由于串联电阻大、发热严重而很难工作在单模状态。二维光子晶体结构可以有效地控制垂直腔面发射...; 关键词：光子晶体垂直腔面发射半导体激光器单模

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