中国工程物理研究院科学技术发展基金(2007A02001)

作品数：11被引量：34H指数：4
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基于自组装单分子层技术的单晶硅表面化学镀镍工艺优化被引量：3
《材料保护》2010年第9期32-34,共3页胡睿 熊晓玲 王关全 魏洪源 张华明 杨玉青 
中国工程物理研究院科学技术发展基金(2007A02001)资助
传统的化学镀镍前处理会对单晶硅造成严重影响,进而影响两者的结合。以单因素条件设计并结合4因素3水平正交试验,对单晶硅表面进行改性活化处理,优选出化学镀镍的处理条件为:羟基化处理15h,偶联处理48h,再在化学镀液中于90℃下施镀1h,...
关键词：化学镀镍 自组装单分子层技术 单晶硅 正交试验 
利用偶联技术制备核电池用镍膜的工艺初探被引量：1
《表面技术》2010年第4期62-64,共3页胡睿 魏洪源 熊晓玲 张华明 王关全 杨玉青 
中国工程物理研究院科学技术发展基金资助项目(2007A02001)
曲面换能单元的核电池中镍-63的加载难以用常规源片加载法实现。采用偶联技术,对功能高分子膜的表面用偶联剂改性后进行活化处理,初步制备了镀有非放镍的高分子薄膜,并分析了此工艺的反应机理。采用该工艺可避免常规化学镀镍方法中试剂...
关键词：核电池 镍 加载 
辐射伏特效应同位素电池换能单元设计及其性能测试被引量：11
《原子能科学技术》2010年第4期494-498,共5页王关全 杨玉青 张华明 胡睿 魏洪源 熊晓玲 罗顺忠 
中国工程物理研究院科学技术发展基金资助项目(2007A02001)
以单晶硅基结型器件为基础,探讨其结构与辐射作用下电输出性能的关系,为辐射伏特效应同位素电池换能单元(PN结)设计提供依据。设计制作了两种可作为同位素电池换能单元用的单晶硅半导体PN结型器件,使用63Ni源辐照这些器件并测量其电输...
关键词：辐射伏特效应同位素电池 换能单元 电学性能 
辐射伏特效应同位素电池换能单元的初步设计被引量：8
《核技术》2010年第3期197-200,共4页杨玉青 王关全 胡睿 高晖 刘业兵 张华明 罗顺忠 
中国工程物理研究院科学技术发展基金(2007A02001)资助
初步设计制作3种辐射伏特效应同位素电池换能单元,测试其在固态63Ni源和3H源辐照下的输出电特性,对输出电特性进行数学解析模型分析并提出进一步改进设计的思路。结果表明,设计的换能单元在发射高能α同位素作用下,性能快速急剧退化;在2...
关键词：辐射伏特效应 同位素电池 换能单元 初步设计 
PN结型器件在氚钛片辐照下电输出性能被引量：5
《核技术》2009年第8期584-587,共4页王关全 杨玉青 张华明 胡睿 魏洪源 熊晓玲 高晖 
中国工程物理研究院科学技术发展基金(2007A02001)资助
用多片具有不同金属钛膜厚度和充氚量的氚钛片对两种单晶硅基PN结型器件进行了辐照,在线测量了它们的电输出性能并进行了定性分析。结果表明,在本文所采用的钛膜厚度和氚量级下,器件输出短路电流等随充氚量增加而小幅增大,但不成正比关...
关键词：PN结 氚钛片 辐射伏特效应同位素电池 电输出性能 
氚钛片辐照硅基半导体器件电学输出性能被引量：4
《同位素》2009年第4期218-220,共3页王关全 杨玉青 张华明 胡睿 魏洪源 熊晓玲 罗顺忠 
中国工程物理研究院科学技术发展基金资助(2007A02001)
制备了多个不同厚度金属钛膜吸附不同量3H的氚钛片,利用这些源片辐照硅基半导体器件,测试并分析了它们的电学输出性能。结果表明,这些氚钛片辐照硅基半导体器件可以输出电流,但由于金属钛对氚源β射线的阻挡,器件输出电流和最大输出功...
关键词：氚钛片 辐射伏特效应同位素电池 电学输出性能 
小体积化学镀镍工艺被引量：4
《电镀与涂饰》2009年第8期27-29,共3页胡睿 张华明 熊晓玲 王关全 杨玉青 刘国平 
中国工程物理研究院科学技术发展基金(2007A02001)
以尺寸不规则的Y1Cr18Ni9不锈钢片为基底,研究了在约2mL镀液的条件下,化学镀镍工艺中主盐与还原剂浓度之比、pH、反应时间及反应温度对镀层沉积速率的影响。结果表明:当c(Ni2+):c(H2PO2-)=0.75:1,pH为6,温度为77°C,反应2h的条件下,镀...
关键词：不锈钢 化学镀镍 酸度 沉积速率 
低浓度硝酸镍间接化学镀镍工艺的研究被引量：4
《表面技术》2009年第2期57-59,共3页胡睿 杨玉青 王关全 熊晓玲 张华明 
中国工程物理研究院科学技术发展基金资助项目(2007A02001)
在传统化学镀镍工艺中，硝酸镍不是直接施镀的主盐，但在一些特殊使用需求的情况下只能使用硝酸镍作原料。研究了以硝酸镍为原料，通过不同的沉淀剂，采用离心-沉淀-再溶解法以及灼烧法将硝酸镍转化成硫酸镍，将硝酸根去除后间接实现化...
关键词：化学镀镍 硝酸镍 镀层 
CO在δ-Pu(111)面吸附行为的周期性密度泛函理论研究被引量：4
《分子科学学报》2009年第1期50-54,共5页熊晓玲 魏洪源 罗顺忠 刘国平 
中国工程物理研究院科学技术发展基金资助项目(2007A02001);中国工程物理研究院科学技术发展基金资助项目(2007B02004)
利用量子化学中的密度泛函理论结合周期模型方法研究了CO分子在δ-Pu(111)面的吸附行为.通过对不同吸附位置的吸附能和平衡几何结构比较发现,CO分子在δ-Pu(111)面的吸附C端吸附比O端吸附更有利,属于较强的化学作用,最稳定的吸附方式为...
关键词：CO分子 δ-Pu(111)面 表面吸附 
半导体器件在辐射作用下的电学输出性能被引量：8
《同位素》2008年第4期198-203,共6页王关全 张华明 罗顺忠 胡睿 高晖 杨玉青 魏洪源 宋宏涛 
中国工程物理研究院科学技术发展基金资助(2007A02001)
半导体结型器件是决定辐射伏特效应同位素电池能量转换效率的核心部件。本工作采用加速器产生的不同能量电子束和^(63)Ni源的β射线对硅基PiN结型器件进行辐照,在线测量了其电学输出性能。结果表明,当电子束能量为18 keV时,能量转换效率...
关键词：辐射伏特效应同位素电池 半导体器件 能量转换效率 
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