国家自然科学基金(9020102590301002)

作品数：4被引量：2H指数：1
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氨化法制备大量单晶GaN纳米线及其特性研究
《微细加工技术》2008年第2期15-18,共4页薛成山 秦丽霞 庄惠照 陈金华 杨兆柱 李红 
国家重大自然科学基金资助项目(9020102590301002)
利用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在管式炉中通入流动的氨气在950℃对薄膜进行氨化,反应后成功制备出大量GaN纳米线。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HRT...
关键词：磁控溅射 氮化镓纳米线 钴 X射线衍射 
氨化温度对氨化Ga_2O_3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响被引量：2
《功能材料》2008年第2期331-333,共3页庄惠照 胡丽君 薛成山 薛守斌 
国家自然科学基金重大研究计划资助项目(9020102590301002)
采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响。对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(S...
关键词：Ga2O3/Al膜 GAN纳米棒 氨化 磁控溅射 
氨化Si基Ga_2O_3/Ta薄膜制备GaN纳米线
《微细加工技术》2007年第5期31-33,51,共4页李红 薛成山 庄惠照 张晓凯 陈金华 杨兆柱 秦丽霞 
国家重大自然科学基金资助项目(9020102590301002)
利用磁控溅射技术在Si衬底上制备Ga2O3/Ta薄膜,然后在900℃、氨气中退火合成了大量的一维单晶氮化镓纳米线。用X射线衍射、扫描电子显微镜、傅里叶红外吸收光谱、透射电子显微镜、选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征。...
关键词：氮化镓 磁控溅射 纳米线 
采用氨化技术制备成簇生长的光滑线状氮化镓
《微细加工技术》2007年第2期34-35,40,共3页孙莉莉 薛成山 孙传伟 艾玉杰 庄惠照 王福学 
国家重大自然科学基金资助项目(9020102590301002)
通过在1 000℃时氨化Ga2O3/MgO/Si(111)薄膜15 min,制备出成簇生长的光滑的长直线状GaN。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析。结果表明,线状GaN为六方纤锌矿结构单晶相,表面光滑,且...
关键词：GAN 磁控溅射 线状 
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