云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(2010CB327502)

国家重点基础研究发展计划(2010CB327502): 作品数：12被引量：37H指数：4; 导出分析报告; 相关作者：金智刘新宇苏永波周静涛杨成樾更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所西安电子科技大学电子科技大学中国科学院更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《电子器件》《空间电子技术》《红外与毫米波学报》更多>>; 相关主题：INPINP基DHBT太赫兹HEMTS更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

基于零偏置肖特基二极管的270GHz高性能波导检波器（英文）被引量：9: 《红外与毫米波学报》2015年第1期1-5,22,共6页张建军周静涛杨成樾田忠金智; Supported by the National Basic Research Program of China(2010CB327502);the National Nature Science Foundation of China(61434006),(61106074); 根据InP二极管的物理结构,采用三维高频电磁仿真软件对其精确建模仿真,获得二极管的物理模型和匹配电路的精确参数,而后将此模型利用谐波平衡进行仿真设计.最后,在此基础上采用InP肖特基二极管,设计制作并测试了国内首款270 GHz的零偏...; 关键词：太赫兹检波器 InP肖特基二极管

100-nm T-gate InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs with f_T = 249 GHz and f_(max) = 415 GHz被引量：2: 《Chinese Physics B》2014年第3期613-618,共6页汪丽丹丁芃苏永波陈娇张毕禅金智; Project supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2010CB327502); InA1As/InGaAs high electron mobility transistors （HEMTs） on an InP substrate with well-balanced cutoff frequency fT and maximum oscillation frequency frnax are reported. An InA1As/InGaAs HEMT with 100-nm gate length...; 关键词：InP high electron mobility transistor asymmetrically recessed gate cutoff frequency fx maximumoscillation frequency fmax

W-band push–push monolithic frequency doubler in 1-μm InP DHBT technology被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2013年第9期122-127,共6页姚鸿飞王显泰吴旦昱苏永波曹玉雄葛霁宁晓曦金智; supported by the National Basic Research Program of China(No.2010CB327502); A W-band frequency doubler MMIC is designed and fabricated using 1-μm InP DHBT technology. Ac tive halun is employed to transform the single-ended signal into differential output. Push-push configuration loaded with ...; 关键词：frequency doubler W-BAND lnP DHBT push-push

太赫兹固态电子器件和电路被引量：6: 《空间电子技术》2013年第4期48-55,共8页金智丁芃苏永波张毕禅汪丽丹周静涛杨成樾刘新宇; 国家重点基础研究发展计划(973计划)项目(编号:2010CB327502); 随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性特性得到极大发展。以固态器件为基础的电路的工作频率进入到太赫兹频段。太赫兹固态电子器件与电路技术在空间领域有着重要的应用前景。文章...; 关键词：太赫兹固态电子器件和电路 InP基三端电子器件肖特基二极管综述

A 16.9 dBm InP DHBT W-band power amplifier with more than 20 dB gain被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2013年第7期147-153,共7页姚鸿飞曹玉雄吴旦昱宁晓曦苏永波金智; Project supported by the National Basic Research Program of China(No.2010CB327502); A two-stage MMIC power amplifier has been realized by use of a l-μm InP double heterojunction bipolar transistor（DHBT）.The cascode structure,low-loss matching networks,and low-parasite cell units enhance the power ...; 关键词：power amplifier W-BAND DHBT INP

有效跨导为1052mS/mm的高性能InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As HEMTs(英文)被引量：5: 《红外与毫米波学报》2013年第3期193-197,288,共6页钟英辉王显泰苏永波曹玉雄张玉明刘新宇金智; Supported by the National Basic Research Program of China(2010CB327502); 成功研制了栅长为0.15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2μm的InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件.室温下,当器件VDS为1.7 V、VGS为0.1 V时,其有效跨导达到了1 052 mS/mm.传输线方法(TLM)测试显示器件的接触电阻为0.03...; 关键词：高电子迁移率器件栅长栅槽 InP INALAS INGAAS

InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展被引量：4: 《太赫兹科学与电子信息学报》2013年第1期43-49,共7页金智苏永波张毕禅丁芃汪丽丹周静涛杨成樾刘新宇; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(No.2010CB327502); 随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性得到极大发展。以固态器件为基础的太赫兹电路的工作频率进入到THz频段。本文重点介绍InP基双极器件和场效应器件的发展以及在太赫兹电路和系...; 关键词：太赫兹 InP基晶体管固态电子器件太赫兹单片集成电路

W波段InGaAs/InP动态二分频器(英文)被引量：5: 《红外与毫米波学报》2012年第5期393-398,共6页钟英辉苏永波金智王显泰曹玉雄姚鸿飞宁晓曦张玉明刘新宇; Supported by the National Basic Research Program of China(2010CB327502); 采用fT=214 GHz,fmax=193 GHz的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺,设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作频段为60～100 GHz,但由于测试系统上限频率的限制,只能测出62～83 GHz的工作范围.在-4.2 V和-5.2 V的单...; 关键词：磷化铟异质结双极型晶体管动态分频器时钟驱动型反相器

75GHz 13.92dBm InP DHBT共射共基功率放大器(英文)被引量：2: 《红外与毫米波学报》2012年第4期294-297,301,共5页曹玉雄苏永波吴旦昱金智王显泰刘新宇; Supported by the National Basic Research Programme of China(2010CB327502); 报道了基于InP基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.放大器的输出极发射极面积为15μm×4μm.功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB,饱和输出功率为13....; 关键词：InP双异质结双极晶体管(DHBT) 微波单片集成毫米波功放

Impact of the lateral width of the gate recess on the DC and RF characteristics of InAlAs/InGaAs HEMTs被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2012年第5期61-65,共5页钟英辉王显泰苏永波曹玉雄金智张玉明刘新宇; Project supported by the National Basic Research Program of China(No.2010CB327502); We fabricated 88 nm gate-length InP-based InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors（HEMTs） with a current gain cutoff frequency of 100 GHz and a maximum oscillation frequency of 185 GHz.The characteristics of...; 关键词：kink effect HEMT gate recess InP InAlAs/InGaAs

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