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一种带埋层的超低比导通电阻槽型LDMOS被引量：1: 《微电子学》2019年第1期125-131,共7页李欢陈星弼; 国家自然科学基金资助项目(51237001); 提出了一种带n型浮空埋层的超低比导通电阻的变k槽型LDMOS(TLDMOS)。新结构在漂移区内引入变介电常数(VK)的深槽结构和自驱动的U型p区,不仅可提高漂移区的掺杂浓度,还可优化体内电场分布。衬底中引入的n埋层在器件阻断时进一步调制漂移...; 关键词：积累层低压电源 n埋层槽型LDMOS

利用P型场环调节表面电场的积累层LDMOS: 《微电子学》2019年第1期132-135,共4页孙旭陈星弼; 国家自然科学基金资助项目(51237001); 提出了一种在N型外延层中带有P型场环的积累层LDMOS。当器件耐压时,N型漂移区中浮空P型场环能调节漂移区的电场分布,以提高器件的耐压。当器件正向导通时,漂移区上方介质层的多晶硅二极管会在漂移区表面形成一层电子积累层,大幅提高器...; 关键词：积累层LDMOS P型场限环多晶硅二极管

一种基于扩展栅的改进的双通道OPTVLD p-LDMOS被引量：4: 《微电子学》2019年第1期146-152,共7页李欢程骏骥陈星弼; 国家自然科学基金资助项目(51237001);中国青年自然科学基金资助项目(61604030);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201612); 提出了一种具有超低比导通电阻的新型优化横向变掺杂双通道p-LDMOS。与传统结构相比,该结构在器件表面增加了一个自驱动的扩展栅。该扩展栅不仅显著提高了导通时空穴的导电能力,还改善了阻断时器件表面的电场分布。因此,新结构的击穿电...; 关键词：积累层双通道高侧 p-LDMOS 比导通电阻

一种背面深槽填充P型多晶硅RC-IGBT: 《微电子学》2018年第6期830-833,共4页孙旭陈星弼; 国家自然科学基金资助项目(51237001); 提出了一种新型RC-IGBT,在背面阳极处设置了填充重掺杂P型多晶硅的深槽和FOC浮空电极。器件正向导通时,利用重掺杂P型多晶硅与N型衬底的接触电势差,将槽间的N型衬底部分耗尽,增强了阳极PN结的短路电阻,在较短背面阳极尺寸的条件下实现了...; 关键词：无电压折回背面深槽 P型多晶硅开关损耗

一种具有载流子存储层的500V高速SOI-LIGBT被引量：1: 《微电子学》2018年第5期686-689,共4页邓菁陈星弼; 国家自然科学基金资助项目(51237001); 为了改善LIGBT的关断特性,已有一种采用PMOS管来控制LIGBT阳极空穴注入的方法。在此基础上,提出了一种具有载流子存储效应的高速SOI-LIGBT结构。采用二维仿真软件MEDICI,对器件P-top区的剂量、载流子存储层的长度、掺杂浓度等参数进行...; 关键词：SOI-LIGBT 击穿电压正向压降关断时间

A superjunction structure using high-k insulator for power devices:theory and optimization: 《Journal of Semiconductors》2016年第6期116-121,共6页黄铭敏陈星弼; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.51237001); A superjunction（SJ） structure using a high-k（Hk） insulator is studied and optimized by using an analytic model.Results by using the proposed model match well with that of numerical calculations.Numerical calculati...; 关键词：high-k（Hk） superjunction MOSFET specific on-resistance charge imbalance

An LDMOS with large SOA and low specific on-resistance: 《Journal of Semiconductors》2016年第5期52-55,共4页杜文芳吕信江陈星弼; Project supported in part by the National Natural Science Foundation of China(No.51237001); An LDMOS with nearly rectangular-shape safe operation area （SOA） and low specific on-resistance is proposed. By utilizing a split gate, an electron accumulation layer is formed near the surface of the n-drift region...; 关键词：LDMOS safe operation area （SOA） snap-back split gate

A novel double trench reverse conducting IGBT with robust freewheeling switch: 《Journal of Semiconductors》2014年第8期79-83,共5页朱利恒陈星弼; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.51237001);the Fundamental Research Funds for the Central Universities(No.E022050205); The phenomenon that the wide P-emitter region in the conventional reverse conducting insulated gate bipolar transistor （RC-IGBT） results in the non-uniform current distribution in the integrated freewheeling diode ...; 关键词：reverse conducting insulated gate bipolar transistor SNAPBACK current concentration

Novel reverse conducting insulated gate bipolar transistor with anti-parallel MOS controlled thyristor: 《Journal of Semiconductors》2014年第7期48-51,共4页朱利恒陈星弼; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.51237001);the Fundamental Research Funds for the Central Universities of China(No.E022050205); Novel reverse-conducting IGBT （RC-IGBT） with anti-parallel MOS controlled thyristor （MCT） is proposed. Its major feature is the introduction of an automatically controlled MCT at the anode, by which the anodeshort...; 关键词：reverse conducting IGBT snapback flee turn-off energy reverse-recovery charge

Theoretical calculation of the p-emitter length for snapback-free reverse-conducting IGBT被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2014年第6期62-66,共5页朱利恒陈星弼; Project supported by the Fundamental Research Funds for the Central Universities(No.E022050205);the National Natural Science Foundation of China(No.51237001); A physically based equation for predicting required p-emitter length of a snapback-free reverse- conducting insulated gate bipolar transistor （RC-IGBT） with field-stop structure is proposed. The n-buffer resis- tanc...; 关键词：reverse conducting insulated gate bipolar transistor voltage snapback

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