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国家自然科学基金(50477012): 作品数：15被引量：16H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：高勇刘静马丽王彩琳黄媛媛更多>>; 相关机构：西安理工大学更多>>; 相关期刊：《微电子学》《Chinese Physics B》《电子学报》《电力电子技术》更多>>; 相关主题：功率二极管SIGE漏电流SIGEC快速软恢复更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

超低漏电流超快恢复SiGeC功率二极管研究被引量：1: 《电子学报》2009年第11期2525-2529,共5页刘静高勇; 国家自然科学基金(No.50477012);高等学校博士学科点专向科研基金(No.20050700006); 提出一种超低漏电流超快恢复SiGeC p-i-n二极管结构.基于异质结电流输运机制,该SiGeC二极管实现了低通态压降下高电流密度的传输,改善了二极管的反向恢复特性,同时具有较低的反向漏电流.与少子寿命控制技术相比,该器件有效协调了降低通...; 关键词：硅锗碳超低漏电流超快恢复热稳定性

半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管被引量：7: 《物理学报》2009年第1期529-535,共7页马丽高勇; 国家自然科学基金(批准号:50477012);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050700006);陕西省教育厅专项科研计划(批准号:05JK268)资助的课题~~; 将SiGe材料的优异性能与半超结结构的优势相结合,提出了一种半超结SiGe功率二极管,可适应高频化电力电子电路对功率二极管低通态压降、高击穿电压、较小的反向漏电流以及快而软的反向恢复特性的要求,显著提高器件的各种特性.; 关键词：半超结硅锗二极管高压快速软恢复

A super junction SiGe low-loss fast switching power diode被引量：1: 《Chinese Physics B》2009年第1期303-308,共6页马丽高勇; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 50477012);the Doctoral Program Foundation of Institutes of Higher Education of China (Grant No 20050700006);the Special Scientific Research Program of the Education Bureau of Shaanxi Province,China (Grant No 05JK268); This paper proposes a novel super junction （S J） SiGe switching power diode which has a columnar structure of alternating p- and n- doped pillar substituting conventional n- base region and has far thinner strained ...; 关键词：super junction SiGe diode fast switching LOW-LOSS

应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性研究被引量：3: 《西安理工大学学报》2008年第4期385-389,共5页刘静高勇黄媛媛; 国家自然科学基金资助项目(50477012);高等学校博士学科点专向科研基金资助项目(20050700006);西安理工大学优秀博士学位论文研究基金资助项目; SiGe SOI p-MOSFET在高频、高速、低功耗、抗辐射方面具有极大的优势。但二氧化硅埋层较低的热导率以及SiGe材料较低的热稳定性,使器件内部自加热效应的减弱或消除成为提高器件温度特性的关键因素。对应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性机...; 关键词：自加热效应热稳定性驱动电流

Research on reverse recovery characteristics of SiGeC p-i-n diodes被引量：1: 《Chinese Physics B》2008年第12期4635-4639,共5页高勇刘静杨媛; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 50477012);the Foundation of Excellent Doctoral Dissertation of Xi’an University of Technology and the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (Grant No 20050700006); This paper analyses the reverse recovery characteristics and mechanism of SiGeC p-i-n diodes. Based on the integrated systems engineering （ISE） data, the critical physical models of SiGeC diodes are proposed. Based ...; 关键词：SIGEC softness factor THERMAL-STABILITY lifetime control

掺碳SiGe二极管反向阻断特性模拟与机理分析: 《电力电子技术》2008年第12期42-45,共4页刘静高勇; 国家自然科学基金资助项目(50477012);高等学校博士学科点专向科研基金资助项目(2005070-0006);西安理工大学优秀博士学位论文研究基金资助项目~~; 深入研究了掺碳SiGe(SiGeC)功率二极管的反向阻断特性,给出了详细的机理分析。与同结构SiGe二极管相比,SiGeC二极管的热稳定性显著提高,反向漏电流明显减小,击穿电压也有所增加,且随着温度的升高,其优势更加明显。与少子寿命控制技术相...; 关键词：半导体二极管模拟/阻断特性寿命控制

SiGeC/Si异质结二极管特性分析与优化设计: 《固体电子学研究与进展》2008年第4期621-626,共6页刘静高勇王彩琳马丽; 国家自然科学基金资助项目(50477012);高等学校博士学科点专向科研基金资助项目(20050700006);西安理工大学优秀博士学位论文研究基金资助; 基于异质结理论,提出了一种新型p+(SiGeC)-n--n+异质结功率二极管结构。分析了C对SiGe合金的应变补偿作用的物理机理。利用MEDICI模拟、对比分析了C的引入对器件电特性的影响,并针对不同Ge/C组分比进行优化设计。结果表明:在SiGe/Si功...; 关键词：硅锗碳功率二极管临界值漏电流

薄膜全耗尽应变Si SOI MOSFET特性模拟与优化分析(英文)被引量：1: 《电子器件》2008年第3期859-863,共5页刘静高勇王彩琳黄媛媛; 国家自然科学基金资助(50477012);高等学校博士学科点专向科研基金资助项目(20050700006); 研究了应变Si沟道引入对薄膜全耗尽SOI MOSFET器件特性的影响,并分析了器件特性改进的物理机理。与传统的SOI MOSFET结构相比,器件的驱动电流和峰值跨导都有明显提高,对n-FET分别为21%和16.3%,对p-FET为14.3%和10%。应变Si沟道的引入还...; 关键词：应变硅全耗尽驱动电流功耗

SiGeC异质结功率二极管通态特性研究: 《固体电子学研究与进展》2008年第3期455-459,共5页马丽高勇刘静王彩琳; 国家自然科学基金(50477012);高等学校博士学科点专项科研基金(20050700006);陕西省教育厅专项科研计划资助(05JK268); 研究了一种大功率低功耗p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管结构,分析了Ge、C含量对器件正向通态特性的影响。结果表明:与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000 A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降有明显的降低。当...; 关键词：硅锗碳/硅异质结功率二极管正向通态特性大功率低功耗

SiGe超快速软恢复功率开关二极管(英文): 《功能材料与器件学报》2007年第5期490-494,共5页马丽高勇刘静余明斌; National Natural Science Foundation of China(No.50477012);Special Scientific Research Program of Shaanxi Pro-vincial Education Bureau(No.05JK268).; SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中。实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,制造出了超快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关二极管。与同结构的传统Si二极管相比,该功率二极管可以获得...; 关键词：SIGE/SI异质结功率二极管超快速软恢复

国家自然科学基金(50477012)