国家高技术研究发展计划(2006AA03A129)

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Si衬底GaN基功率型LED制造技术开发
《中国科技成果》2010年第10期13-13,16,共2页
国家863计划课题（2006AA03A129）.
1课题目的 本课题以发展具有自主知识产权的Si衬底外延生长、芯片制造及功率型LED器件封装核心技术为目的。解决Si衬底GaN基LED外延生长、高效功率型GaN基LED芯片制造及封装技术。
关键词：GAN基LED 功率型LED SI衬底 芯片制造 技术开发 自主知识产权 外延生长 器件封装 
一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED
《半导体技术》2008年第S1期235-237,共3页卫静婷 张佰君 刘扬 范冰丰 招瑜 罗睿宏 冼钰伦 王钢 
国家"863"高技术项目(2006AA03A129);广东省科技项目(2007A010501007;2007A010500011)
为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通...
关键词：硅衬底 通孔 垂直结构LED 电流扩展 绿光LED N电极 
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