云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 河北省自然科学基金(08B013)

河北省自然科学基金(08B013): 作品数：3被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 相关作者：王丽华刘彩池郝秋艳王娜孙卫忠更多>>; 相关机构：河北工业大学天津职业大学更多>>; 相关期刊：《材料热处理学报》《半导体技术》更多>>; 相关主题：半绝缘砷化镓大直径SI-GAASLECEL2更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

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热处理对大直径半绝缘砷化镓中EL2缺陷的影响: 《材料热处理学报》2012年第7期9-12,共4页王丽华郝秋艳解新建刘红艳刘彩池; 河北省自然科学基金资助项目(08B013); 利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)单晶中深施主缺陷EL2的影响。结果表明,原生大直径SI-GaAs样品中EL2缺陷浓度沿直径方向的分布呈现中心区域较高、近中心区域最低、边缘...; 关键词：半绝缘砷化镓热处理 EL2缺陷微区红外测量技术

大直径LEC Si-GaAs中深施主缺陷的红外光谱分析: 《现代仪器》2009年第5期41-42,50,共3页孙卫忠王娜王丽华郝秋艳刘彩池; 河北省自然科学基金(08B013);河北省科学技术研究与发展指导计划(07215138); 本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC (Light Energy Converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成w型分布,中心区域比较高,靠近中间区域最低,边缘区...; 关键词：半绝缘砷化镓 EL2 红外光谱分析

离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究: 《半导体技术》2008年第S1期42-44,67,共4页王娜王丽华孙卫忠郝秋艳刘彩池; 河北省自然科学基金(08B013);河北省科学与技术研究与发展指导计划(07215138); 用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。...; 关键词：半绝缘砷化镓离子注入电特性快速热退火

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