《固体电子学研究与进展》

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《固体电子学研究与进展》
主办单位：南京电子器件研究所
最新期次：2025年2期更多>>
发文主题：GAAS砷化镓硅GAN氮化镓更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
发文作者：陈堂胜林金庭陈效建李忠辉薛舫时更多>>
发文机构：南京电子器件研究所东南大学复旦大学中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
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一种基于耦合线功率合成的Ka波段功率放大器
《固体电子学研究与进展》2025年第2期61-66,共6页孙晗 杨晓政 何进 
开放基金资助项目(OCTN-002)。
基于55 nm RF CMOS工艺设计了一款应用于5G毫米波通信的Ka波段功率放大器(Power amplifier,PA)。该PA创新性地采用了基于非对称耦合线的功率合成网络。该网络能够被用于金属层厚度差异较大的工艺,而且具有易于设计、低损耗的特点,有利...
关键词：5G 毫米波 功率放大器 耦合线 分布式巴伦 自适应偏置 
一种应用于5G的高隔离度双频MIMO天线设计
《固体电子学研究与进展》2025年第2期67-72,共6页段铸 BILLAH MASUM 白茹冰 
提出了一种应用于5G的高隔离度双频多输入多输出(Multiple-input multiple-output,MIMO)天线。采用圆形单极子作为天线单元,通过在圆形辐射贴片上刻蚀C型槽来产生新的谐振,实现了天线的双频特性。天线单元间的边缘间距仅为12 mm(0.14λ_...
关键词：多输入多输出 双频段 高隔离度 单极子天线 去耦合结构 
一种超低输入电压的热电能量采集芯片设计
《固体电子学研究与进展》2025年第2期73-78,共6页杨淼 周俊豪 刘新宁 
无锡市“太湖之光”科技攻关项目(G20223025)。
基于0.18μm 1P4M BCD工艺设计了一款超低输入电压的电源管理芯片,可实现自启动和升压,能对外界的热电能量进行采集管理。提出了一种将反馈控制电路和充电控制电路相结合的架构,利用迟滞比较器阵列和交叉耦合复用电路实现主从电源切换...
关键词：热电 低输入电压 能量采集 电源管理 
征稿启事
《固体电子学研究与进展》2025年第2期78-78,共1页
《固体电子学研究与进展》是全国性学术期刊,向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性研究。征稿主要范围是:无机和有机固体物理,硅微电子学,射频器件和微波集成电路,微机电系统(MEMS),纳米技术,固体光...
关键词：征稿启事 无机固体物理 有机固体物理 
一种低功耗降压型DC-DC转换器设计
《固体电子学研究与进展》2025年第2期79-85,共7页宋阜恒 蔡甜甜 王培浩 王紫阳 夏晓娟 
航空科学基金资助项目(202200240X9001)。
设计了一种超低静态功耗的同步整流降压型脉冲频率调制模式的DC-DC转换器。在轻载条件下,利用输出电压启动电路,降低静态功耗,并加入电感峰值限流,减小输出电压纹波。基于0.5μm的CMOS工艺进行设计以及仿真验证,测试结果表明,当输出电压...
关键词：降压型DC-DC转换器 低功耗 高效率 脉冲频率调制模式 
阳极退火对Co阳极准垂直结构GaN基肖特基二极管性能影响
《固体电子学研究与进展》2025年第2期86-91,共6页吴志勇 马群 王良臣 李晋闽 王军喜 刘志强 伊晓燕 
在蓝宝石衬底上制备了不同阳极叉指宽度的钴(Co)阳极准垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管(GaN Schottky barrier diode, GaN SBD),在此基础上分别进行300、350、400℃阳极退火。实验结果显示较小的阳极叉指宽度有利于实现较低的比导通电阻...
关键词：肖特基二极管 阳极退火 氮化镓 准垂直 
启事
《固体电子学研究与进展》2025年第2期91-91,共1页
本刊已加入《中国学术期刊(光盘版)》、《中国期刊网》、美国《化学文摘》、荷兰Scopus数据库、《万方数据知识服务平台》、维普网等。凡在本刊发表的文章,将统一由编辑部全文入编上述刊、网,作者著作权使用费与本刊稿酬一次性给付。如...
关键词：中国学术期刊 启事 
一种灵敏度提高的垂直型霍尔器件及仿真模型
《固体电子学研究与进展》2025年第2期92-96,共5页王双喜 李建强 李良 周林 李杰林 徐跃 
国家自然科学基金资助项目(62171233);中国电子学会-智芯科研专项项目(20220370-0090);江苏省研究生科研与实践创新计划项目(SJCX23_0298)。
基于180 nm BCD工艺实现了一种灵敏度提高的五孔垂直型霍尔器件(Five-contact vertical Hall-effect device,FCVHD)。采用掺杂浓度较低且阱深较深的N型漂移区(N-type drift region,NDRF)作为器件有源区,并在器件表面的N~+接触孔之间进行...
关键词：五孔垂直型霍尔器件(FCVHD) N型漂移区(NDRF) 仿真模型 电流相关灵敏度 
具有N型赝埋层的新型SiGe-HBT器件及应用研究
《固体电子学研究与进展》2025年第2期97-100,共4页刘冬华 陈曦 钱文生 
提出了一种新型锗硅异质结双极晶体管(Germanium silicon heterojunction bipolar transistor,SiGe-HBT)结构,摒弃了传统SiGe-HBT中的深隔离沟槽、N型埋层以及通过外延生长形成的集电区。通过在浅隔离槽底部采用离子注入技术形成N型赝埋...
关键词：N型赝埋层 锗硅异质结双极晶体管 深接触孔 
DC~170GHz InP DHBT超宽带双模混频器
《固体电子学研究与进展》2025年第2期F0003-F0003,共1页项萍 杨昆明 王维波 程伟 陈膺昊 苗鹤瑜 陈莹梅 
南京电子器件研究所基于自主101.6 mm(4英寸)250 nm InP DHBT工艺平台,设计制备了DC-170GHZ超宽带双模混频器芯片(如图1所示,单只芯片尺寸835μm*650μm)研究了亚微米难熔发射极制备,高质量基极欧姆接触等核心工艺,突破了微带耦合反馈、...
关键词：亚微米 难熔发射极 工艺平台 基极欧姆接触 
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