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晶圆级导通电阻测试精度的改进方法
《半导体技术》2021年第1期75-80,共6页方绍明 李照华 
针对晶圆级导通电阻测试误差过高,满足不了低压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)毫欧级导通电阻的测试精度要求,给产品晶圆测试规范的制定及品质监控带来困扰的问题,提出了晶圆级导通电阻测试精度的改进方法。基于开尔文法电阻测...
关键词：晶圆级 测试精度 导通电阻 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 接触电阻 
超高压JFET器件电参数的合理实现
《集成电路应用》2020年第9期188-191,共4页方绍明 
基于高性价比的10层masks UHVBCD工艺平台,对UHVJFET电参数机理进行分析,并做出实验数据总结,可作为半导体工艺器件研发人员的参考资料。依靠Double Resurf原理实现高击穿电压BVd。Combined结构的JFET漏极击穿电压BVd取决于与其并联的UH...
关键词：电子器件 超高压JFET BCD工艺 击穿电压 夹断电压 
低压MOSFET集成ESD保护结构的设计方法被引量：1
《集成电路应用》2020年第9期192-194,共3页方绍明 赵美英 
为了有效防止低压MOSFET在受到静电击穿而损坏产品,需要设计专门的静电保护二极管,并联在MOSFET的栅极和源极之间,以对栅氧化层进行保护。静电保护结构的设计规则尺寸、注入剂量和级联结构,都会影响保护效果。设计者需在弄清ESD保护工...
关键词：集成电路制造 MOSFET 保护二极管 静电 人体模式 多晶硅 注入 栅源 
VDMOS栅源漏电的经验解析
《电子技术（上海）》2020年第3期30-32,共3页方绍明 赵美英 闻正锋 
针对VDMOS的栅源漏电(Igss)机理进行分析,对于平面型VDMOS、沟槽型VDMOS栅源漏电的各种原因进行分析,并列出各种芯片生产实例,提出相应工艺改善措施进行总结。
关键词：集成电路制造 垂直双扩散MOS 栅源漏电 良率 
三重表面降场UHVLDMOS的仿真分析
《电子技术（上海）》2020年第3期23-25,共3页方绍明 
提出三重表面降场(Triple RESURF)UHVLDMS的两种结构:无NTOP及有NTOP结构,分别对其击穿耐压和导通电阻进行仿真,得出BVdss,Rdson后获得最优工艺条件,并换算出Rsp,与双重resurf的Rsp对比,无Ntop结构具有10%左右的优势,有NTOP结构具有32%...
关键词：集成电路设计 三重表面降场技术 UHVLDMOS 仿真 耐压 导通电阻 比导通电阻 
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