等离子体损伤

作品数：15被引量：18H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郝跃唐瑜王守国胡顺欣邓建国更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华力微电子有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
相关期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《电子与封装》《微电子学》更多>>
相关基金：国家自然科学基金江苏省高技术研究计划项目国家高技术研究发展计划上海市教育委员会重点学科基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=Journal of Semiconductorsx
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
p-GaN ICP刻蚀损伤研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1097-1103,共7页龚欣 吕玲 郝跃 李培咸 周小伟 陈海峰 
国家重大基础研究发展规划资助项目(批准号:51327020301)~~
运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均...
关键词：GAN 感应耦合等离子体刻蚀 等离子体损伤 
等离子体对90nm工艺MOS器件的损伤被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第1期92-95,共4页唐瑜 郝跃 孟志琴 马晓华 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60506020)~~
研究了等离子体工艺对90nm铜大马士革工艺器件的损伤.对nMOSFET和pMOSFET分别进行了HCI和NBTI应力实验,实验结果证明天线比仍是反应等离子体损伤重要的标准且通孔天线结构器件的损伤最大,并从通孔刻蚀工艺过程中解释其原因.
关键词：等离子体损伤 天线结构 通孔 铜大马士革工艺 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部