等离子体增强化学气相沉积

作品数：200被引量：425H指数：8
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基于PECVD的TSV深孔绝缘层沉积工艺优化被引量：2
《微纳电子技术》2020年第6期492-497,共6页唐伟 王文杰 吴道伟 李宝霞 杜亚飞 赵鸿 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB1102900)。
研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的硅通孔(TSV)中(孔径5μm,深宽比10∶1)二氧化硅(SiO2)薄膜的生长技术。分析了低频功率、腔室压力和分步沉积次数对TSV深孔SiO2膜层覆盖率的影响。实验结果表明,深孔内底部的膜层覆盖率最...
关键词：等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 硅通孔(TSV) 二氧化硅(SiO2) 覆盖率 沉积速率 
用于FET的PECVD SiN_x掺杂MoS_2的有效性与可控性
《微纳电子技术》2017年第4期229-234,共6页战俊 粟雅娟 罗军 贾昆鹏 段宁远 闫祥宇 
国家自然科学基金资助项目(61306124)
通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS_2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS_2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS_2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS_2FET器件进行了电学特性表征,研制...
关键词：二硫化钼场效应晶体管(MoS2 FET) 掺杂 二维(2D)半导体材料 过渡金属硫化物(TMD) 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 
氩稀释无氨氮化硅薄膜的制备被引量：3
《微纳电子技术》2016年第5期345-350,共6页赵润 高鹏飞 刘浩 李庆伟 何刚 
氮化硅(SiNx)薄膜是一种广泛应用于半导体光电器件的介质膜,其性质的优劣直接影响器件的性能。使用SiH4与NH3作为反应气体制备出的氮化硅薄膜含有大量氢,应用于某些光电器件时,会导致器件工作时光电特性不稳定。针对此问题研发了一种使...
关键词：氮化硅(SiNx)薄膜 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 无氨工艺 氩稀释 傅里叶变换红外光谱分析法(FTIR) 
PECVD制备非晶硅薄膜的研究被引量：2
《微纳电子技术》2009年第11期664-666,共3页顾卫东 胥超 李艳丽 
实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在Si衬底上制备了非晶硅薄膜。研究了射频功率、PH3掺杂浓度等因素对薄膜电阻率以及应力的影响。实验结果表明,对于非掺杂非晶硅薄膜,当射频功率从15W增加到45W时,薄膜应力从张应力变化到压应...
关键词：等离子体增强化学气相沉积 非晶硅 应力 射频功率 掺杂 电阻率 
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