低能离子

作品数：257被引量：968H指数：17
导出分析报告
相关领域：生物学更多>>
相关作者：余增亮秦广雍刘志凯杨少延陈诺夫更多>>
相关机构：郑州大学中国科学院等离子体物理研究所中国科学院北京师范大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划国家科技攻关计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 基金=国家重点基础研究发展计划x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
在线测量低能离子束电荷态和能量的新型探测器被引量：2
《原子核物理评论》2022年第4期490-496,共7页骆夏晖 程锐 王国东 周泽贤 王昭 杨杰 
国家重点基础研究发展计划(2017YFA0402300);国家自然科学基金资助项目(U1532263,11505248,11375034)。
基于加速器装置的离子与物质相互作用过程研究,在原子物理、材料、生物等诸多领域具有重要的科学意义和应用价值。本工作设计并研发了一种新型磁谱仪离子探测器,主要由高稳定性偏转磁铁、大面积位置灵敏探测器、空间匹配的散射腔室构成...
关键词：磁谱仪 离子探测器 低能高电荷态离子 能损 电荷态分布 
低能Ar+刻蚀时间对抛光单晶LiNbO3薄膜忆阻器的影响
《电子元件与材料》2020年第5期60-66,共7页梁翔 帅垚 潘忻强 乔石珺 吴传贵 
国家重点研究发展计划(2017YFB0406400);国家自然科学基金(51772044,51602039,U1435208)。
调节低能Ar+刻蚀对单晶LiNbO3(LN)的刻蚀时间,制备了不同LN厚度的单晶薄膜忆阻器。利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和电子顺磁共振(EPR)对器件的微观形貌与表面氧空位进行了表征。通过电流-电压曲线(IV曲线)、数据保持特性(...
关键词：忆阻器 LiNbO3薄膜 阻变 低能离子辐照 
小麦品种偃展4110低能离子束突变体库的初步建立及籽粒硬度突变体筛选被引量：4
《麦类作物学报》2014年第7期904-911,共8页薛霏雯 董中东 崔党群 陈锋 
国家重点基础研究发展计划(973计划)项目(2014CB138105);国家自然科学基金项目(31370031);教育部新世纪优秀人才项目(NCET-13-0776)
低能离子束注入技术是近年发展起来的一种物理性诱发突变技术,在作物诱变育种中应用越来越广泛。为进一步探讨低能离子束的诱变功效,构建小麦突变体库,采用两种不同剂量的低能氮离子束对软质小麦品种偃展4110进行了诱变处理,共获得了1 ...
关键词：小麦 低能离子束 籽粒硬度 PUROINDOLINE基因 
低能离子注入E.coli K12的HRS／IRR效应及recA基因在其诱发中的作用被引量：4
《原子核物理评论》2008年第4期397-401,共5页杨天佑 李培睿 田静 李宗伟 秦广雍 
国家重点基础研究发展规划资助项目(2004CB719604);国家自然科学基金资助项目(10505018)~~
以MG1655(野生型),LE392(recA-)和DH5α(recA-)3株E.coliK12菌株为材料,研究了30keVN+离子注入E.coliK12时HRS/IRR效应的诱发情况及recA基因在其诱发中的作用。结果显示:小于10×1014ions/cm2低剂量离子注入大肠杆菌可诱发HRS/IRR效应;3...
关键词：HRS/IRR N^+ 注入 E.COLI K12 RECA 
离子束注入提高Trichosporon lactis T立体拆分布洛芬水平的研究被引量：1
《微生物学报》2006年第2期306-309,共4页谈重芳 陈林海 王雁萍 李宗伟 秦广雍 李宗义 苏明杰 杨天佑 段宇珩 霍裕平 
国家"973项目"(2004CB719604)~~
以从土壤中分离筛选到的可立体选择性水解布洛芬乙酯生成S-布洛芬的菌株Trichosporon lactis T为出发菌株，对其进行能量30KeV，剂量1×10^15-5×10^15 ions／cm^2的低能N^＋注入，筛选立体选择性水解布洛芬乙酯活性高的诱变株。菌株T．...
关键词：低能离子注入 S-布洛芬 立体选择性 TRICHOSPORON LACTIS 
制备45°双外延超导结的新工艺
《低温物理学报》2005年第3期241-245,共5页李壮志 王福仁 孟树超 马平 聂瑞娟 戴远东 
国家重点基础研究计划项目(项目编号:G1999064609);国家高技术研究发展计划项目(项目编号:2002AA306412)资助.~~
我们使用脉冲激光沉积方法对YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜在MgO基片上通过CeO2/YSZ双缓冲层的生长进行了系统的研究,发现MgO单晶基片的表面质量是决定能否得到理想外延薄膜质量的关键因素,通过使用低能离子束对MgO表面进行轰击,以增加其表面...
关键词：YBCO薄膜 双外延超导结 YBA2CU3O7-Δ JOSEPHSON结 工艺 临界电流密度 薄膜质量 表面质量 低能离子束 
低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1658-1661,共4页宋书林 陈诺夫 周剑平 尹志岗 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1);国家重大基础研究计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~
对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd...
关键词：GaAs:Gd X射线衍射 X光电子能谱 
低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第8期967-971,共5页刘力锋 陈诺夫 张富强 陈晨龙 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1和 60 3 90 0 72 ) ;国家重大基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~
利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子...
关键词：硅 铁 低能离子束 重掺杂 
低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
《固体电子学研究与进展》2004年第2期258-261,共4页宋书林 陈诺夫 周剑平 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 60 1760 0 1;国家重大基础研究计划项目 G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5共同资助
室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力...
关键词：镓、钆、砷薄膜 低能离子束系统 砷化镓衬底 
低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜被引量：2
《功能材料》2004年第4期429-431,共3页刘力锋 陈诺夫 张富强 陈晨龙 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905)
　利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe Si合金薄膜。利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性。测试结果表明在室温下制备的Fe Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,...
关键词：低能离子束 硅 铁磁性 磁性半导体 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部