深槽刻蚀

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ICP硅刻蚀中底部掏蚀现象研究
《集成电路通讯》2011年第4期1-5,共5页黄斌 陈璞 吕东锋 郭群英 
等离子硅深槽刻蚀中，反射离子造成的掏蚀现象直接影响MEMS器件的加工质量，通过在现有ICP硅深槽刻蚀工艺条件的基础上进行改进，有效的降低了等离子的反射密度和能量，大大改善了结构释放过程中底部掏蚀的不良影响，为底部掏蚀问题提...
关键词：深槽刻蚀 结构释放 Log效应 掏蚀 
一种铝悬空膜的制作
《集成电路通讯》2011年第4期11-14,共4页汪继芳 简崇玺 王文婧 
悬空膜技术是MEMS器件制作中的一项基础工艺技术，它利用不同材料在同一种腐蚀液（或腐蚀气体）中腐蚀速率的差异，选择性地将结构图形与衬底之间牺牲层材料刻蚀掉，形成空腔膜或其它悬空结构，构成器件的敏感区域。这种悬空膜技术已成...
关键词：铝悬空膜 深槽刻蚀 牺牲层 
ICP硅深槽刻蚀技术研究
《集成电路通讯》2009年第4期23-27,共5页黄斌 郭群英 
介绍电感耦合等离子刻蚀（ICP）技术的基本概念，并结合英国STS公司高密度反应离子刻蚀机的刻蚀机理及刻蚀过程，对硅深槽刻蚀技术进行分析和研究，总结出满足不同工艺要求的硅深槽刻蚀方案。
关键词：ICP Boseh技术 速率 均匀性 SOI Footing效应 
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