双平衡混频器

作品数：55被引量：53H指数：4
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一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC被引量：7
《半导体技术》2021年第6期451-455,共5页王贵德 范举胜 
混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极...
关键词：GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 无源双平衡混频器 超宽带 高隔离度 
一种高线性无源双平衡混频器被引量：6
《半导体技术》2019年第6期421-425,432,共6页曲韩宾 高思鑫 张晓朋 高博 
设计了一种适用于1.0～2.0 GHz的高线性下变频混频器。电路设计采用了无源双平衡结构,片内集成宽带巴伦、限幅本振放大器、混频核和偏置电路。为了提高混频器的线性度,在对无源双平衡的结构进行分析的基础上,折中选择混频核的晶体管尺寸...
关键词：混频器 BICMOS 无源双平衡 高线性度 下变频 
L波段四通道发射电路芯片的设计与实现被引量：4
《半导体技术》2018年第7期504-509,共6页王鑫华 陈明辉 杨格亮 
河北省自然科学基金和重点基础研究专项资助项目(18960202D)
基于有源相控阵雷达的应用,设计了一款四通道的发射芯片,适用于发射1.2-1.4 GHz的射频信号。电路设计采用直接上变频的结构,将低频的基带信号转换为射频信号。针对直接上变频输出谐波多和输出功率低的问题,采用高阶滤波器、窄带选频网...
关键词：发射芯片 直接上变频 有源RC滤波器 双平衡混频器 四通道 CMOS工艺 
一款集成驱动放大器的低变频损耗混频器设计被引量：2
《半导体技术》2018年第4期260-265,共6页杨立 李卫民 张佃伟 段冲 
采用0.5μm Ga As工艺设计并制造了一款单片集成驱动放大器的低变频损耗混频器。电路主要包括混频部分、巴伦和驱动放大器3个模块。混频器的射频（RF）、本振（LO）频率为4-7 GHz,中频（IF）带宽为DC-2.5 GHz,芯片变频损耗小于7 dB,本...
关键词：双平衡混频器 串联二极管环 螺旋式巴伦 变频损耗 集成驱动放大器 
GaAs MMIC宽带双平衡混频器的研制被引量：7
《半导体技术》2009年第12期1220-1223,共4页赵宇 吴洪江 高学邦 王绍东 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2009CB320200)
采用GaAs肖特基二极管工艺,设计并制造了一款宽带无源双平衡混频器,射频、本振频率为1.5~3.7 GHz,变频损耗小于10 dB,本振到射频隔离度大于35 dB,中频带宽DC^0.8 GHz。该混频器采用了环形二极管和螺旋式巴伦结构,在获得良好的变频损耗...
关键词：混频器 双平衡 巴伦 变频损耗 肖特基二极管 
一种高线性度CMOS混频器的设计被引量：1
《半导体技术》2007年第2期117-120,共4页吴明明 叶水驰 
国家973科研计划项目(51312)
采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度。采用TSMC 0．18μm RF CMOS模型进行了电路仿真。仿真结果:在电源电压为1．8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10．3 dBm,输入1 dB压缩点(P-1dB)为-3．5 dBm,增益为9．2 dB,单边带噪声系数为17...
关键词：双平衡混频器 互补金属氧化物半导体工艺 射频集成电路 
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