随机存取

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石墨烯用于未来自旋电子装置
《现代材料动态》2016年第1期5-5,共1页董丽 
瑞典查尔姆斯理工大学的研究人员发现大面积石墨烯能使电子自旋保持较长时间，而且比之前认为的传输距离更远。这项发现开启了自旋电子发展的大门，其目的是制造计算机中速度更快能源效率更高的内存和处理器与先进的硬件。自旋电子学基...
关键词：电子自旋 电子装置 石墨 磁随机存取存储器 自旋电子学 研究人员 传输距离 能源效率 
日本东北大学开发出低耗电的超高密度磁记录技术
《现代材料动态》2013年第11期13-14,共2页杨晓婵(摘译) 
日本东北大学金属材料研究所高梨弘毅教授领导的研究小组开发出使HDD（硬盘驱动器）和MRAM（磁性随机存取存储器）等磁记录器件，既能满足大容量、高密度要求，又能使信息写入时耗电量较低的磁转换技术。
关键词：日本东北大学金属材料研究所 磁记录技术 超高密度 开发 低耗电 随机存取存储器 硬盘驱动器 MRAM 
日本尔必达和夏普将合作开发新一代记忆体昌片
《现代材料动态》2011年第1期18-19,共2页
日本经济新闻报导，尔必达记忆体（Elpida Memory）和夏普将合作开发新一代记忆体晶片（存储器芯片），并在2013年投入商业化。该报称，目前移动设备中广泛采用NAND快闪记忆体（闪存）晶片，但电阻式随机存取记。
关键词：快闪记忆体 合作开发 夏普 日本 存储器芯片 NAND 移动设备 随机存取 
存储器市场恢复但前景不旺
《现代材料动态》2010年第2期17-17,共1页邓志杰（摘译） 
2009年1季度DRAM（动态随机存取存储器）和NAND（与非门）闪存储全球销售均下降14．3％，可望于第2季度增长3％，3季度和4季度分别有22％和17．5％的较大增长。但供过于求的情况依然严重，消费生产量无疑会对将来市场产生消极影响。
关键词：动态随机存取存储器 市场 NAND DRAM 供过于求 与非门 生产量 
自旋电子学：可望使下一代存储器得以突破被引量：1
《现代材料动态》2009年第6期2-4,共3页邓志杰（摘译） 
自旋极化电流将使光盘驱动上的数字存储发生革命性变化，自旋电子学的下一步是用磁隧道结代替闪速存储器，制成磁性随机存取存储器（MRAM）。
关键词：自旋电子学 闪速存储器 随机存取存储器 数字存储 光盘驱动 极化电流 磁隧道结 革命性 
制备FeRAM的新材料
《现代材料动态》2007年第1期5-5,共1页邓志杰（摘译） 
东京理工学院和富士通公司联合开发成功一种制备新一代非易失铁电随机存取存储器（FeRAM）用的新材料。该材料是经调整组分的铁氧体铋化合物（BiFeO3，BFO），它的数据存储密度比现在FeRAM产品中的所用材料增加5倍。
关键词：FERAM 新材料 铁电随机存取存储器 富士通公司 铋化合物 数据存储 铁氧体 
未来芯片制造尺度水平可达到45nm
《现代材料动态》2004年第10期25-25,共1页
世界最大芯片生产商美国英特尔公司已采用最先进的65nm芯片制造工艺生产出了储存量为70M的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该公司宣布，下一代纳米芯片制造技术水平将达到45nm。
关键词：芯片制造工艺 芯片生产商 美国英特尔公司 产出 最大 未来 世界 静态随机存取存储器 纳米芯片 储存量 
美德联手研发新—代电脑内存芯片
《现代材料动态》2003年第7期28-28,共1页
关键词：美国 德国 电脑 内存芯片 磁随机存取存储器 磁内存 
精细图形DRAM
《现代材料动态》2002年第5期9-9,共1页邓志杰 
关键词：精细图形 DRAM 动态随机存取存储器 加工工艺 半导体 
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