平衡混频器

作品数：128被引量：107H指数：6
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K_Ka频段MMIC宽带无源混频器芯片的设计
《电子技术（上海）》2024年第8期53-55,共3页廖学介 王测天 刘莹 羊洪轮 王为 邓春 蒋汶兵 
阐述一款K_Ka频段MMIC宽带无源混频器芯片的设计。芯片采用无源双平衡混频器结构,本振和射频的巴伦为螺旋Marchand巴伦。关键技术指标表现出色,芯片尺寸仅为1.15mm×0.8mm×0.1mm,实现了小型化。通过精心设计与优化,该混频器芯片在宽频...
关键词：电路设计 MMIC 宽带 无源双平衡混频器 螺旋Marchand巴伦 
毫米波宽带高中频单平衡混频器设计与实现
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第6期610-616,共7页杨笔帆 邢天时 徐子昂 赵亮 郭健 
针对毫米波宽带通信、雷达和测试仪器领域的应用需求,提出一种E波段宽带高中频(IF)单平衡混频器。射频(RF)及本振(LO)信号通过多分支宽带加宽波导正交耦合器输入,通过鳍线过渡结构将信号从波导传输模式过渡到微带模式,并提供宽带中频信...
关键词：加宽波导正交耦合器 单平衡 高中频 宽带 低损耗 
一款18~40GHzMMIC无源双平衡混频器
《电子与封装》2024年第5期48-52,共5页陈亮宇 骆紫涵 许丹 蒋乐 豆兴昆 
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(p HEMT)工艺,设计了一款18~40 GHz的无源双平衡混频器。该混频器采用肖特基二极管构成的混频环和3耦合线Marchand巴伦的结构,提高工作带宽的同时也减小了芯片尺寸。当本振(LO)功率为14 d Bm、中...
关键词：无源双平衡混频器 宽带 单片微波集成电路 
基于GaAs pHEMT工艺的L波段高线性度混频器
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2023年第6期83-91,共9页饶留铭 马平洋 高海军 
国家自然科学基金资助项目(61871161)。
采用0.25μm GaAs pHEMT工艺设计了一款L波段无源高线性度混频器。混频器由片上无源巴伦、本振驱动放大器及无源双平衡混频器核心组成,芯片尺寸为3.1 mm×2.1 mm×0.1 mm。测试结果表明,本振输入频率为800~1000 MHz,射频输入频率为960~1...
关键词：无源双平衡混频器 巴伦 高线性度 
C波段无源双平衡混频器的设计与分析
《电子制作》2023年第16期104-106,共3页杜兴宇 
本文基于WIN半导体的0.15μmGaAspHEMT工艺,设计了一款工作频段为4.5~6GHz的无源双平衡混频芯片。整体电路集成了肖特基二极管环路、射频及本振端微带螺旋巴伦以及匹配网络等.部分,最终版图尺寸为1000μm×700μm。通过ADS仿真软件测试,...
关键词：双平衡混频器 微带巴伦 变频损耗 隔离度 
一种基于GaAs肖特基二极管W波段混频器芯片设计被引量：1
《现代信息科技》2023年第11期52-55,60,共5页樊帆 傅琦 
对基于GaAs肖特基二极管的W波段单平衡混频器进行了研究,包括肖特基二极管特性等效电路拟合、曲线测试、参数提取、模型建立。基于单平衡混频器隔离度和杂散抑制的机理,研究了W波段巴伦的设计。基于GaAs pHEMT工艺,结合W波段电路设计方...
关键词：砷化镓 单平衡混频器 W波段 变频损耗 
一种高频高性能宽带混频器芯片的设计被引量：2
《通信电源技术》2023年第8期59-61,66,共4页王朋 郝志娟 
采用GaAs肖特基二极管工艺,设计研发了一款宽带高性能的双平衡无源混频器芯片。该混频器采用环形二极管和新型巴伦结构,获得了良好的变频损耗与高隔离度指标,大大减小了芯片面积,大幅提高了线性度和杂散抑制能力。其射频频率和本振频率...
关键词：肖特基二极管 双平衡混频器 巴伦结构 隔离度 
一种W波段低损耗宽带单平衡混频器设计被引量：2
《空间电子技术》2023年第2期34-39,共6页王立权 居闽 柴娟芳 韩志强 张颖 
上海市航天科技创新基金(编号:SAST2020-005)。
针对某型半实物仿真系统大带宽、高动态的技术需求,研制了一种覆盖整个W波段的单平衡混频器。混频器基于波导-石英混合电路以及分立肖特基二极管设计,射频信号经减高波导同相激励两个肖特基结,以减少无源电路的额外损耗。本振信号通过波...
关键词：W波段 单平衡混频 宽带 低变频损耗 
一种双向同源相参微波光纤稳相传输系统被引量：1
《计算机工程与科学》2022年第8期1474-1480,共7页吉宪 刘朋 左朋莎 祁帅 亢海龙 
在电子对抗系统、雷达系统、卫星导航和深空探测等多个领域中,微波信号经激光器调制后加载到光信号上经过光纤传输后其相位受外界环境的影响,无法实现稳相传输。首次提出了一种双向同源相参微波光纤稳相传输系统,可实现微波信号在光纤...
关键词：光纤稳相传输 鉴相 相位稳定 双平衡混频器 VODL 
宽带高线性高隔离无源双平衡混频器被引量：4
《电子元件与材料》2022年第4期423-428,共6页张博 黄晴 吴昊谦 
陕西省重点研发计划项目(2018ZDXM-GY-010,2017ZDXM-GY-004,2016KTCQ01-08);西安市集成电路重大专项(201809174CY3JC16);陕西省创新人才推进计划-科技创新团队(2020TD-019);陕西省教育厅重点科学研究(20JY059)。
基于InGap/GaAs HBT工艺设计了一款宽带无源双平衡混频器,针对双平衡混频器射频中频交叠及射频到中频端口隔离度差的问题,采用了双混频环+新型滤波补偿网络的结构,不仅提高了隔离度和线性度,同时扩宽了带宽,改善了混频器整体性能。射频...
关键词：砷化镓 双平衡结构 滤波补偿网络 双混频环 隔离度 线性度 
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