平面型

作品数:292被引量:329H指数:7
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可集成制造的平面型电磁直线作动器研究被引量:1
《半导体光电》2022年第6期1092-1098,共7页武强 管伟昌 戴旭涵 王怀治 高宇帆 丁桂甫 
国家自然科学基金项目(51875337);国家基础科研计划项目(JCKY2019602B004)。
电磁作动器具有输出力大、行程长、无接触等优势,在通信、自动测试、电力电子等领域有着广泛的应用,但受限于体积大、制造工艺复杂,难以满足相关领域电子系统向微型化、集成化的发展需求。针对上述问题,应用平面型集成线圈及高深宽比微...
关键词:微电磁驱动器 微线圈 集成制造 
平面型APD抑制边缘击穿的方法研究被引量:1
《半导体光电》2012年第1期7-11,33,共6页杨怀伟 韩勤 杨晓红 李彬 王秀平 王杰 刘少卿 
国家"863"计划项目(2009AA03Z404);国家自然科学基金面上项目(60876039;61176053)
雪崩光电二极管(APD)作为一种具有内部增益的光电探测器,被广泛地应用于光纤通信领域,其中平面型APD具有暗电流低、可靠性高等优点而被大量研究。但是平面型APD边缘处由于高电场易被提前击穿,影响器件性能。文章对抑制平面型APD边缘击...
关键词:雪崩光电二极管 边缘击穿 保护环 参数优化 
平面型InP/InGaAs雪崩光电二极管多级台阶结构研究
《半导体光电》2009年第6期870-873,共4页肖雪芳 
厦门理工学院经费支持项目(YKJ06011R)
平面型雪崩光电二极管(APD)在结弯曲处具有更高的电场,易导致结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对多级台阶结构的平面型InP/InGaAs APD的电场分布进行了二维有限元模拟,在表面电荷密度为5×1011cm-2时分析了台阶级数、台阶高度等因素对...
关键词:边缘击穿 雪崩光电二极管 多级台阶 
平面型InGaAs/InP APD边缘提前击穿行为的抑制被引量:1
《半导体光电》2006年第3期278-281,共4页肖雪芳 杨国华 王国宏 王树堂 陈良惠 
平面型雪崩光电二极管(APD)在结弯曲处具有高的电场,导致在结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面型InP/InGaAs APD的电场分布进行了二维有限元模拟,在表面电荷密度为5×1011cm-2时分析了吸收层厚度、...
关键词:边缘击穿 雪崩光电二极管 结构 
平面型Gunn器件低温SiO_2淀积
《半导体光电》1995年第4期352-354,共3页陈定钦 徐建成 
中科院院经费资助
采用“夹层结构”的方法,在制作平面型Gunn畴雪崩器件的n型GaAs外延材料上,低温(420~450℃)淀积SiO2;并叙述了原理、工艺条件及其重要结果。
关键词:半导体器件 砷化镓 处延生长 低温淀积 
LPE制作平面型InGaAs/InP APD
《半导体光电》1993年第1期41-47,共7页郑显明 
叙述了用液相外延(LPE)制作 InGaAsP/InP 雪崩光电二极管(APD)的物理性能。分析了该器件的设计参数。介绍了器件结构、器件制作中 LPE 生长条件及器件性能。最后,评述了器件发展水平及改进意见。
关键词:半导体材料 LPE APD 外延生长 
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