全耗尽

作品数:92被引量:86H指数:5
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相关机构:中国科学院北京大学中国科学院微电子研究所西安理工大学更多>>
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全耗尽异质栅单Halo SOI MOSFET二维模型
《电子学报》2007年第2期212-215,共4页李尊朝 蒋耀林 吴建民 
国家自然科学基金(No.NSFC60472003);国家重点基础研究发展计划项目(No.2005CB321701)
为了抑制深亚微米SOI MOSFET的短沟道效应,并提高电流驱动能力,提出了异质栅单Halo SOI MOS-FET器件结构,其栅极由具有不同功函数的两种材料拼接而成,并在沟道源端一侧引入Halo技术.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维Po...
关键词:MOSFET 异质栅 解析模型 阈值电压 
高速全耗尽CMOS/SOI 2000门门海阵列
《电子学报》2001年第8期1129-1131,共3页刘新宇 孙海峰 海朝和 刘忠立 吴德馨 
本文对全耗尽CMOS/SOI 2 0 0 0门门海进行了研究 ,阵列采用宏单元结构 ,每个宏单元包括 2× 8个基本单元和 8条布线通道 ,其尺寸为 :92 μm× 86 μm .2 0 0 0门门海阵列采用 0 8μm全耗尽工艺 ,实现了 10 1级环形振荡器和 4~ 12 8级...
关键词:门海阵列 薄膜全耗尽SOI CMOS SOI 集成电路 
全耗尽SOI MOSFET的阈电压的解析模型被引量:2
《电子学报》1996年第5期48-52,共5页付军 田立林 钱佩信 罗台秦 
国家基础性研究重大关键项目计划(攀登计划)研究课题
本文在近似求解全耗尽SOIMOSFET所满足的二维泊松方程的基础上,建立了阈电压的解析模型。通过与PISCES的模拟结果以及相应的实验数据的比较,证明本模型的误差较小。此外,本模型还具有计算简便、快速,形式直观,物理...
关键词:全耗尽 SOI MOSFET 阈电压 场效应器件 
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