自热效应

作品数：92被引量：238H指数：7
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基于有限元法对发射极指分段结构的多指SiGe HBT的研究
《电子器件》2010年第6期680-683,共4页王任卿 张万荣 金冬月 陈亮 丁春宝 肖盈 孙博韬 赵昕 
国家自然科学基金项目资助(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目资助(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目资助(67002013200301)
针对传统多指SiGeHBT发射极指中心区域和器件中心区域温度较高导致热不稳定问题,提出了新型发射极指分段结构来抑制功率SiGeHBT中心区域的自热效应,提高器件温度分布均匀性。利用有限元软件ANSYS对器件进行建模和三维热模拟,研究器件温...
关键词：SIGE HBT 热模拟 分段结构 自热效应 
HBT自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿被引量：2
《电子器件》2007年第3期829-832,共4页陈延湖 申华军 王显泰 葛霁 刘新宇 吴德馨 
中国科学院重大创新项目资助"新型高频;大功率化合物半导体电子器件研究(KGCX2-SW-107)"
研究了GaAs HBT的自热效应对功率放大器镜像电流源偏置电路性能的影响.HBT自热效应使得这种偏置电路的镜像精度和温度特性变差.利用HBT器件特有的集电极电流热电负反馈理论,通过优化基极偏置电阻的方法,对自热效应进行了有效补偿,偏置...
关键词：自热效应 HBT 镜像电流源偏置电路 功率放大器 
基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制
《电子器件》2007年第3期738-740,共3页陈晓娟 李诚瞻 刘新宇 罗卫军 
国家973计划"新一代化合物半导体电子器件与电路研究"资助项目(2002CB311903);中国科学院创新资助项目(KGCX2-SW-107)
本文报道了基于国产外延材料的SiC基Al GaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)器件的研制,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)生长,器件栅长0.8μm,输出电流密度达到0.94A/mm,在5.4GHz下,单指型管芯获得了3.1W/mm的连续波测试功率,...
关键词：SIC ALGAN/GAN HEMT 自热效应 外延材料 
考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析被引量：2
《电子器件》2004年第4期559-563,共5页周守利 崇英哲 黄永清 任晓敏 
国家"973"计划项目 ( 2 0 0 3 CB3 1 490 1 ) ;高等学校博士学科点专项科研基金 ( 2 0 0 2 0 0 1 3 0 1 0 )
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩 ,从而产生能带变窄效应 ( BGN)。对于因重掺杂 NPN突变 Al Ga As/Ga As HBT,而引起 BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果 ,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于 Jain-Roul...
关键词：热场发射扩散 能带变窄效应(BGN) 自热效应 Jain—Roulston模型 
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