总剂量辐射效应

作品数：54被引量：113H指数：5
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相关作者：张正选郭旗李豫东崔江维陈明更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院大学中国科学院新疆理化技术研究所电子科技大学更多>>
相关期刊：《微电子学与计算机》《核电子学与探测技术》《红外与激光工程》《固体电子学研究与进展》更多>>
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双极型器件的总剂量辐射效应与损伤机理被引量：1
《核电子学与探测技术》2013年第12期1557-1562,共6页张婷 刘远 李斌 恩云飞 何玉娟 杨元政 
国家自然科学基金(61204112);中国博士后科学基金(2012M521628)
随着空间技术的发展,双极型器件和线性电路被广泛应用于辐射环境。从钝化层辐射损伤机理出发,介绍辐射诱生钝化层固定电荷与界面态的产生机理与计算模型,结合基极电流模型探讨双极型器件与电路的总剂量辐射效应,并针对双极型器件的低剂...
关键词：双极型器件 总剂量辐射效应 低剂量率 
0.35μm部分耗尽SOI NMOSFET的总剂量辐射效应与偏置状态的关系
《核电子学与探测技术》2010年第8期1031-1036,共6页唐威 刘佑宝 耿增建 吴龙胜 
研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因。通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相...
关键词：SOI 抗总剂量辐射 部分耗尽 俘获电荷 背沟道反型 
CMOS电路γ总剂量辐射效应评论
《核电子学与探测技术》1992年第1期27-34,共8页陈盘训 高文明 谢泽元 米榜 
本文从实验结果出发,评论了国产市售和加固CMOS电路抗γ总剂量的辐射特性。介绍了几种工艺CMOS电路阈电压、静态功耗电流、输入输出特性和传输延迟时间等对总剂量辐射的不同响应规则。对多种实验电路进行了为期两年的辐射特性退火观察...
关键词：CMOS电路 总剂量 辐射加固 退火 
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