双极型器件

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双极型器件低剂量率损伤增强效应机理研究进展
《火箭军工程大学学报》2021年第4期94-100,共7页陕宇皓 刘延飞 彭征 
针对双极型器件中低剂量率损伤增强(Enhanced Low Dose Rate Sensitivity,EL-DRS)效应问题,评述了国内外关于ELDRS效应机理模型的主要研究成果,并分析了未来可能的研究方向.研究发现:界面陷阱的形成对ELDRS效应起着决定性作用,且ELDRS...
关键词：双极型器件 低剂量率损伤增强效应 机理模型 ELDRS-free器件 多源协同辐照 
双极型模拟IC总剂量效应仿真验证研究被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2020年第1期18-23,共6页罗俊 
为了解决航天用双极型模拟集成电路的电离总剂量效应评估问题,结合基于失效物理的半导体器件仿真方法,提出了基于失效物理的双极型模拟集成电路电离总剂量效应仿真验证方法。在此基础上,以某型高性能固定频率电流型控制器芯片为研究对象...
关键词：双极型器件 模拟集成电路 总剂量效应 失效物理 仿真验证 
双极型器件的总剂量辐射效应与损伤机理被引量：1
《核电子学与探测技术》2013年第12期1557-1562,共6页张婷 刘远 李斌 恩云飞 何玉娟 杨元政 
国家自然科学基金(61204112);中国博士后科学基金(2012M521628)
随着空间技术的发展,双极型器件和线性电路被广泛应用于辐射环境。从钝化层辐射损伤机理出发,介绍辐射诱生钝化层固定电荷与界面态的产生机理与计算模型,结合基极电流模型探讨双极型器件与电路的总剂量辐射效应,并针对双极型器件的低剂...
关键词：双极型器件 总剂量辐射效应 低剂量率 
半导体器件辐射效应及抗辐射加固被引量：8
《现代电子技术》2006年第19期138-141,共4页李致远 
随着空间技术、核技术和战略武器技术的发展,各种电子设备已经广泛用于人造卫星、宇宙飞船、运载火箭、远程导弹和核武器控制系统中。构成电子设备的电子元器件不可避免地要处于空间辐射和核辐射等强辐射应用环境之中,辐射作用会对元器...
关键词：双极型器件 MOS器件 辐射效应 辐射加固 
iPOLAR——创新的高电压模拟制造工艺给工业双极型器件注入新的生命
《电子与电脑》2005年第9期105-107,共3页Craig D.Wilson 
关键词：创新工艺 双极型 制造工艺 高电压 生命 注入 器件 工业 模拟 
iPOLAR^(TM)在双极型器件中的应用
《电子元器件应用》2005年第7期57-58,共2页Craig D.Wilson 
关键词：双极型 美国模拟器件公司 制造工艺 工业应用 再设计 耐高压 面积比 
SiGe材料及其在双极型器件中的应用被引量：3
《电子与封装》2005年第1期31-35,共5页陈震 吴德馨 
SiGe材料具有很多独特的性质,高性能的应变SiGe外延层能够将能带工程的概念引入到传统的S基材料中去。外延SiGe合金使得在Si基材料上制作性能优异的双极晶体管成为可能。本文回顾了siGe材料和SiGe异质结双极晶体管的最新研究进展,包括...
关键词：SIGE 异质结双极晶体管 微波器件 
新世纪电力半导体器件发展的一个新特点
《电力电子》2003年第6期13-16,共4页王正元 
结合新材料、新理论的发展,从单极型、双极型和混合型器件性能比较的角度来讨论电力半导体器件在新世纪的发展特点。
关键词：电力半导体器件 单极型器件 双极型器件 混合型器件 发展特点 
Si_(1-x)Ge_x材料和双极型器件的进展被引量：6
《半导体情报》1999年第3期18-24,共7页贾宏勇 孙自敏 陈培毅 
Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料具有许多优良的性质，高质量的应变外延层可以把能带工程的概念引入到Ⅳ族器件之中。外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ基区的异质结双极型晶体管（ＨＢＴ）获得了优良的性能，并且，其具有可以同硅工艺兼容的优点，把Ｓｉ１－...
关键词：SI1-XGEX HBT 微波器件 异质结 双极晶体管 
双极型器件基区电阻的测量
《半导体技术》1998年第3期29-31,共3页冒慧敏 
着重介绍了三种测量基区电阻Ｒｂ的ＤＣ测量法，并通过反面实例说明其中两种方法（１．由Ｉ－Ｖ特性来提取Ｒｂ及Ｒｅ；２．基于碰撞离子产生的反向基区电流的ＤＣ法）的局限性，指出第三种方法（双基极引线孔法）是值得借鉴的方法。Ｄ...
关键词：基区电阻 DC测量法 器件参数 双极型 半导体器件 
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